Дослідження приладів на основі P-N переходів. Лабораторна робота з Схемотехніка комп’ютерів. Робота № 524429

Дослідження приладів на основі P-N переходів

Інформація про навчальний заклад

ВУЗ:

Національний університет Львівська політехніка

Інститут:

ІКТА

Факультет:

Не вказано

Кафедра:

Не вказано

Інформація про роботу

Рік:

2013

Тип роботи:

Лабораторна робота

Предмет:

Схемотехніка комп’ютерів

Завантажити

Частина тексту файла (без зображень, графіків і формул):

МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ, МОЛОДІ ТА СПОРТУ УКРАЇНИ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ «ЛЬВІВСЬКА ПОЛІТЕХНІКА» ІКТА кафедра ЗІ ЗВІТ До лабораторної роботи №4 з курсу: «Схемотехніка пристроїв технічного захисту інформації» на тему: «Дослідження приладів на основі P-N переходів» Варіант №9 Мета роботи Ознайомитися з основними параметрами і характеристиками напівпровідникових діодів, дослідити їх вольт-амперні характеристики. Ознайомитись з випрямними властивостями діода. Завдання За допомогою графічного редактора системи схемотехнічного моделювання MicroCap 8 ознайомитись з моделями діода та стабілітрона. Отримати та дослідити вольт-амперні характеристики діода та стабілітрона. Дослідити роботу діода у схемі однопівперіодного випрямляча. Порядок виконання роботи 1. В системі схемотехнічного моделювання Micro-Cap8 (MC8) вибрати напівпровідниковий діод 1N4001 та ознайомитись з його параметрами. 2. За допомогою системи MC8 синтезувати схему для дослідження вольт-амперних характеристик напівпровідникового випрямного діода (рис.9,а). Використати джерело струму І1=1мА і джерело постійної напруги V1=10В. 3. За допомогою аналізу передавальних характеристик за постійним струмом отримати вольт-амперну характеристику діода D1. З вольт-амперної характеристики визначити порогову напругу, напругу пробою та струм насичення діода. 4. В системі схемотехнічного моделювання Micro-Cap8 (MC8) вибрати кремнієвий стабілітрона 1N3830 та ознайомитись з його параметрами. 5. За допомогою системи MC8 синтезувати схему для дослідження вольт-амперних характеристик кремнієвого стабілітрона (рис.9,б). Використати джерело струму I1=1мА. 6. За допомогою аналізу передавальних характеристик за постійним струмом отримати вольт-амперну характеристику стабілітрона D1. З вольт-амперної характеристики визначити порогову напругу та напругу пробою стабілітрона. 7. За допомогою системи MC8 синтезувати схему для дослідження випрямних властивостей діода (рис.9.в). Використати джерело сінусоїдальної напруги V1 з частотою f=50Гц та амплітудою А=30 В. 8. Отримати часові характеристики напруги та струму джерела сигналу та в резисторі навантаження. Використовуючи часові характеристики пояснити випрямні властивості діода. а) б) в) Схеми дослідження вольт-амперних характеристик діода (а), стабілітрона (б) та випрямних властивостей діода (в) Результати роботи: Завдання 1-2 Завдання 3-4 Завдання 5-6 Завдання 7-8 Висновок: на цій лабораторній роботі я ознайомлювався з властивостями та параметрами напівпровідникового діода та стабілітрона. Оцінивши ВАХ діода, я зробив висновок, що діод має низький опір при прямому підключенні і дуже великий опір при зворотному. З ВАХ стабілітрона можна сказати, що до пробою в ньому протікають дуже маленькі струми, а після – спостерігається різке наростання струму

Лабораторна робота Схемотехніка комп’ютерів

MacTeP

29.05.2013 18:50

Коментарі

Ви не можете залишити коментар. Для цього, будь ласка, або зареєструйтесь.

Ділись своїми роботами та отримуй миттєві бонуси!

поділитись