DevioLab CRYPTO TRADING AUTOMATION
LIVE
AUTOMATED CRYPTO TRADING • BINANCE
Автоматизуйте свій криптопортфель
Торгові боти DevioLab аналізують крипторинок, автоматично відкривають і закривають позиції та керують вашим портфелем на Binance 24/7.
CRYPTO 80 Bots
BINANCE Spot Trading
TRADING 24 / 7
Спробувати DevioLab
deviolab.com

Лабораторна робота № 5

Інформація про навчальний заклад

ВУЗ:
Інші
Інститут:
Не вказано
Факультет:
РТ
Кафедра:
Не вказано

Інформація про роботу

Рік:
2013
Тип роботи:
Лабораторна робота
Предмет:
Електроніка

Частина тексту файла (без зображень, графіків і формул):

Міністерство освіти і науки України Дрогобицький механіко-технологічний коледж Лабораторія основ електроніки і мікроелектроніки Затверджую: Заст. директора з навчальної роботи _______ Ренжин П.М. “___”____2009р. Лабораторна робота № 5 Дослідження транзистора в схемі зі спільною базою Дрогобич 2009 р. 1.Мета Роботи: Вивчення властивостей біполярного транзистора, ввімкненого по схемі зі спільною базою, шляхом зняття його вхідних вихідних характеристик. 2. Схема Макета:  Вольтметр(V1) – Ц20, 1,5 В, клас точності 2 або М42100, 1,5 В, клас точності 1,5; Вольтметр(V2) – Ц20, 6 В, клас точності 2; Міліамперметр (mA1) – Ц20, 30 мА, клас точності 2; Міліамперметр (mA2) – Ц20, 30 мА, клас точності 2; 3. Теоритичні Основи: Транзистор можна ввімкнути в схему трьома способами : за схемою зі спільною базою за схемою зі спільною базою за схемою зі спільним емітером ; за схемою зі спільним колектором. Різні схеми ввімкнення транзисторів мають різні властивості. У схемі зі спільною базою спілною точкою вхідного і вихідного кіл є база. Підсилювальний каскад, що його складено за схемою зі спільною базою, має вхідний малий опір (одиниці – десятки Ом) і значний віхідний опір (сотні кілоом). Малий вхідний опір каскаду зі спільною базою є його істотним недоліком. У багатокаскадних схемах цей опір шунтує опір навантаження попереднього каскаду і різко знижує виділення цього каскаду за напругою і потужністю. Схема зі спільною базою дає виділення за напругою до 100 – 200 і приблизно таке саме виділення за потужністю, оскільки коефіціент виділення за струмом у цьому випадку дещо менший від одиниці. Для схеми зі спільною базою вхідна характеристика є залежностю струму емітера Iе від напруги між емітером і базою Uкб при незмінній величини напруги між колктором і базою Uкб Iе = ƒ (Uеб) при Uкб = const. Типові вхідні статичні характеристики транзистора для схеми зі спільною базою наведено на рис.1. З рисунка видно, що вхідні характеристики аналогічні вольтамперній характеристиці електронно – діркового переходу для прямого струму, причому зміна напруги Uкб мало впливає на струм емітера. Це починається тим, що електричне поле, створене напругою Uкб у схемі зі спільною базою майже повністю зосереджене в колекторному переході і виявляє незначний вплив на проходження зарядів через емітерний перехід.  Рис.1 Рис.2 Вхідні характеристики транзистора для схеми зі спільною базою зображають залежність струму колектора Iк від напруги між колектором і базою Uкб при сталих значенях емітерного струму Iе Iк = ƒ ( Uкб ) при Iе – const. На рис.2 зображеро вихідні статиччні характеристики транзистора для схеми зі спільною базою. З рисунка видно, що при нормальній робочій полярності напргуги Uкб, коли колекторний перехід перебуває під зворотньою напругою, вихідні характеристики є прямими лініями, розташованими майже паралельно осі абсцис. Це пояснюється тим, що проходять з емітера через базу до колектора. Тому величину колекторного струму визначає величина струму емітера, що незначною мірою залежить від напруги Uкб, прикладеної до колекторного переходу. З рисунка видно, що навіть при Uкб = 0 струм колектора може мати значну величину залежно від струму емвтера. При Iе = 0 характеристика виходить з початку координат, а потім проходить на великій висоті майже паралельно осі абсцис. Ця характеристика відповідає звичйній характеристиці зворотного струму електронно – діркового переходу. З рис.2 видно також, що при зміні полярності напруги Uкб струм Iк різко зменшується і досягає нуля при значенях напруги Uкб близько десятих часток вольта. У цьому разі колекторний перехід перебває під прямою напругою і напруга Uкб протидіє дифузії носіїв зарядів, направлених від емітера до колектора. При дальшому підвищені прямої напруги, прикладеної до колекторного переходу, струм через цей перехід різко зростає, а його напрям стає протилежним нормальному робочому струму. Тому ділянки характеристик показані на рис.2 штриховими лініями, не є робочими і звичайно на графіках їх не наводять. Основні параметри транзистора для схеми зі спільною базою : Ueб Вхідний опір h11б = Ic при Uкб – const; Коофіцієнт зворотнього звязку за напругою h12= при Іе – const; Коофіціент передачі струму h21= при Uкб – const; Вихідні провідність h22= при Iе - сonst 4.Порядок Складання Схеми Подати на макет напруги живлення 9 і 20 В. Вимірювальні прилади зєднати з відповідними клемами макета, звертаючи увагу на полярність їх ввімкнення. Після перевірки схеми ввімкнути сденд. 5.Знімання Вхідних Хврактеристик Транзистора Зняти Iе = ƒ ( Uеб ) при постійній напрузі Uкб. Для цього потенціометром R3 встановити напругу Uкб = 0. За допомогою потенціометра R2 змінювати вхідну напругу Uеб і, користуючись міліамперметром mA1, зняти відліки струму емітера. Дані експерименту записати у таблицю 1. Повторити експеримент, встаномити інше значення напруги Uкб. Таблиця 1 Uкб1= 0 Uеб , В         Iе , мА        Uкб2=… В Uеб , В         Iе , мА         6. Знімання Вхідних Характеристик Зняти залежність Iк = ƒ (Uкб ) при постійному значені струму емітера Iе. Для цього потенціометром R2 встановити задане значення струму емітера Iе і впроцесі експерименту підтримувати його незмінним. За допомогою потенціометра R3 змінювати вихідну напругу Uкб і, користуючись міліамперметром mA2, зняти значення струму колектора Iк. Дані записати у табл.2. Повторити експеримент, встановити інше значення емітерного стрму Iе. Таблиця 2 Iе1 = … мА Uкб , В          Iк , мА         Iе2 = … мА Uкб , В          Iк , мА          7. Обробка Експериментальних Даних На міліметровому папері побудувати вхідні і вихідні статичні характеристики транзистора в схемі зі спільною базою і визначити його параметри : h11 б, h12 б, h21 б, h22 б. 8. Зміст Звіту : Найменуванування і мета; Принципова електрична схема; Таблиці, графіки і результати обчислень; Висновки : Інструкцію склав викладач____________________Щупляк Н.М.
Антиботан аватар за замовчуванням

30.05.2013 15:39

Коментарі

Ви не можете залишити коментар. Для цього, будь ласка, увійдіть або зареєструйтесь.

Ділись своїми роботами та отримуй миттєві бонуси!

Нічого не вибрано
0%

Оголошення від адміністратора

Антиботан аватар за замовчуванням

Подякувати Студентському архіву довільною сумою

Admin

26.02.2023 12:38

Дякуємо, що користуєтесь нашим архівом!