DevioLabавтоматичне керування капіталом
ПРАЦЮЄ 24/7
КРИПТОВАЛЮТИ · АКЦІЇ · 10 БІРЖ

Портфель, який керується автоматично

DevioLab підбирає стратегії, відстежує ринки та автоматизує купівлю і продаж активів. Кількість доступних криптовалют, акцій і торгових можливостей зростає щодня.

10підключених біржCrypto + Stocksв одному портфелі24/7автоматичний контроль

Лабораторна робота № 7. Дослідження польових транзисторів

Інформація про навчальний заклад

ВУЗ:
Київський механіко-технологічний коледж
Інститут:
МЕХ
Факультет:
РТ
Кафедра:
Не вказано

Інформація про роботу

Рік:
2009
Тип роботи:
Лабораторна робота
Предмет:
Основи електроніки і мікроелектроніки
Група:
ЕТ-13
Коротко про документ

Про що ця робота

Документ містить методичні вказівки до виконання лабораторної роботи з дослідження польових транзисторів. Наведено теоретичні відомості, порядок складання схеми та методика зняття стокових і стоко-затворних характеристик.

У роботі розглядаються

  • Польові транзистори
  • Електроніка
  • Стокові характеристики
  • Стоко-затворні характеристики
  • Напівпровідникові прилади
  • Мікроелектроніка

Зміст і розділи

  1. Мета роботи
  2. Схема макета
  3. Теоретичні відомості
  4. Порядок складання схеми
  5. Зняття стокових характеристик транзистора
  6. Знімання стоко-затворної характеристики транзистора
  7. Обробка експериментальних даних
Для кого:Студенти технічних спеціальностей коледжів та вишів
Викладачі:Ренжин П. М.

Ключові поняття

стоквитікканалкрутизна характеристикирежим насиченняелектронно-дірковий перехід

Частина тексту файла (без зображень, графіків і формул):

Міністерство освіти і науки України Дрогобицький механіко-технологічний коледж Лабораторія основ електроніки і мікроелектроніки Затверджую: Заст. директора з навчальної роботи _______ Ренжин П.М. “___”____2009р. Лабораторна робота № 7 Дослідження польових транзисторів Дрогобич 2009 р. 1 .Мета роботи : Вивчення властивостей польового транзистора шляхом зняття його стокових і стоко-затворних характеристик. 2.Схема макета  Рис.1 Вольтметр / V1 / - М42100, 5В, клас точності 1,5 ; Вольтметр / V2 / - М42100,15 В, клас точності 1.5; Міліамперметр / mA / - М42100, 5 мА, клас точності 1.5. 3.Теоретичні відомості: Польові транзистори за своїми конструктивними особливостями можна розділити на дві групи: Польові транзистори з електронно-дірковим переходом; Польові транзистори з ізольованим затвором / МДН-транзистори / На рис.1 приведена конструкція схеми ввімкнення польового транзистора з електронно – дірковим переходом.Тонкий шар напівпровідника типу “n” / “ р”/ , обмежений з двох сторін електронно-дірковими переходами, називається каналом. Принцип дії транзисторів з каналом типу “n” або “р” аналогічний : різниця полягає лише в полярності напруг джерел живлення. Ввімкнення каналу в електричне коло забезпечується за допомогою двох омічних електродів,один з яких називається виток /В/, а другий - стоком /С/. Вивід, що під’єднюється До області р-типу, являється керуючим електродом і називається затвором. Величина струму в каналі залежить від напруги Uсв, прикладеної між витоком і стоком. При Uсв і Rн=const струм в каналі Iс/струм стоку/ залежить тільки від ефективної площі поперечного перетину каналу. Джерело Езв створює від'ємну напругу на затворі, що призводить до збільшення товщини електронно-діркового переходу і зменшенння поперечного перетину канала.  При зменшенні перетину каналу збільшується опір між витоком і стоком знижується величина струму стоку.  Нехай напруга між затвором і витоком Uзв=0. При збільшенні напруги Uсв на стоку струм Iс буде наростати. Напочатку залежності IС =f /Ucв буде майже лінійною. Але при зростанніIc збільшується падіння напруги на каналі, підвищується зворотнє зміщення для електронно-діркових переходів, що приведе до звуження поперечного перетину каналу і заповільнення наростання струму Iс. Внаслідок цього канал звужується настільки, що подалъше підвищення напруги вже не приводить до зростання струму стоку, цей режим одержав назву режиму насичення. Залежність Ic =f /Uзв при Uсв-сonst одержала назву стоко-затворної характеристики /рис.3/. Основними параметрами польових транзисторів є: Крутизна характеристики S= ∆Ic/∆Uзв при Uсв-const Вхідний oпip Rвх= ∆Uзв/ ∆Iзв при Uсв-const Вихідний опір Rвих = ∆Uсв/ ∆Ic ghb Uзв-const 4.Порядок складання схеми Подати на макет напругу живлення 9 і 24 В. Вимірювальні прилади з'єднати з відновідними клемами макета, звертаючи увагу на полярність їх ввімкнення. Після перевірки схеми ввімкнути стенд. 5. Зняття стокових характеристик транзистора Зняти залежнісьть Ic= f /Uсв при постійній напрузі на затворіUзB . Для цього потенціометром R2 встановити напругу Uзв=0.За допомогою потенціометра R4 змінювати вихідну напругу Ucв і користуючись мілівольтметром, зробити відлік струму стоку I0 Дані експерименту записати у табл.1. Таблиця 1 Uзв=0 Uсв. В          Iс. мА          Uзв=…B Uсв. В          Ic . мА м         а Повторити експеримент, встановивши інше значения напруги затвору Uзв . 6. Знімання стоко-затворної характеристики транзистора Зняти залежість Iсв=f /Uзв при постійній напрузі між стоком і витоком Ucв. Для цього потенціометром R4 встановити задане значения напруги стоку Ucв і в процесі експерименту пітримувати її незмінною. За допомогою потенціометра R2 змінювати напругу Uзв І користуючись міліамперметром. Провести відліки струму стоку Іс Дані експерименту записати у таблицю 2. Uсв=…B Uзв ,В          Іс , МА         Ucв=… B Uзв , B          І0 . МА         Таблиця 2 повторити експеримент, встановивши Інше значення напруги сток 7 . Обробка експериментальних даних На міліметровому папері побудувати стокові і стоко-затворні статичні характеристики польового транзистора з електронно-дірковим переходом і визначити крутизну характеристики і вихідний опір.
Допоможи студентському архіву

Ми допомогли тобі — допоможи наступному студенту

Файл ще не обрано

Оголошення від адміністратора

Антиботан аватар за замовчуванням

Подякувати Студентському архіву довільною сумою

Admin

26.02.2023 12:38

Дякуємо, що користуєтесь нашим архівом!