Лабораторна робота № 7

Інформація про навчальний заклад

ВУЗ:
Інші
Інститут:
Не вказано
Факультет:
РТ
Кафедра:
Не вказано

Інформація про роботу

Рік:
2009
Тип роботи:
Лабораторна робота
Предмет:
Електроніка

Частина тексту файла (без зображень, графіків і формул):

Міністерство освіти і науки України Дрогобицький механіко-технологічний коледж Лабораторія основ електроніки і мікроелектроніки Затверджую: Заст. директора з навчальної роботи _______ Ренжин П.М. “___”____2009р. Лабораторна робота № 7 Дослідження польових транзисторів Дрогобич 2009 р. 1 .Мета роботи : Вивчення властивостей польового транзистора шляхом зняття його стокових і стоко-затворних характеристик. 2.Схема макета  Рис.1 Вольтметр / V1 / - М42100, 5В, клас точності 1,5 ; Вольтметр / V2 / - М42100,15 В, клас точності 1.5; Міліамперметр / mA / - М42100, 5 мА, клас точності 1.5. 3.Теоретичні відомості: Польові транзистори за своїми конструктивними особливостями можна розділити на дві групи: Польові транзистори з електронно-дірковим переходом; Польові транзистори з ізольованим затвором / МДН-транзистори / На рис.1 приведена конструкція схеми ввімкнення польового транзистора з електронно – дірковим переходом.Тонкий шар напівпровідника типу “n” / “ р”/ , обмежений з двох сторін електронно-дірковими переходами, називається каналом. Принцип дії транзисторів з каналом типу “n” або “р” аналогічний : різниця полягає лише в полярності напруг джерел живлення. Ввімкнення каналу в електричне коло забезпечується за допомогою двох омічних електродів,один з яких називається виток /В/, а другий - стоком /С/. Вивід, що під’єднюється До області р-типу, являється керуючим електродом і називається затвором. Величина струму в каналі залежить від напруги Uсв, прикладеної між витоком і стоком. При Uсв і Rн=const струм в каналі Iс/струм стоку/ залежить тільки від ефективної площі поперечного перетину каналу. Джерело Езв створює від'ємну напругу на затворі, що призводить до збільшення товщини електронно-діркового переходу і зменшенння поперечного перетину канала.  При зменшенні перетину каналу збільшується опір між витоком і стоком знижується величина струму стоку.  Нехай напруга між затвором і витоком Uзв=0. При збільшенні напруги Uсв на стоку струм Iс буде наростати. Напочатку залежності IС =f /Ucв буде майже лінійною. Але при зростанніIc збільшується падіння напруги на каналі, підвищується зворотнє зміщення для електронно-діркових переходів, що приведе до звуження поперечного перетину каналу і заповільнення наростання струму Iс. Внаслідок цього канал звужується настільки, що подалъше підвищення напруги вже не приводить до зростання струму стоку, цей режим одержав назву режиму насичення. Залежність Ic =f /Uзв при Uсв-сonst одержала назву стоко-затворної характеристики /рис.3/. Основними параметрами польових транзисторів є: Крутизна характеристики S= ∆Ic/∆Uзв при Uсв-const Вхідний oпip Rвх= ∆Uзв/ ∆Iзв при Uсв-const Вихідний опір Rвих = ∆Uсв/ ∆Ic ghb Uзв-const 4.Порядок складання схеми Подати на макет напругу живлення 9 і 24 В. Вимірювальні прилади з'єднати з відновідними клемами макета, звертаючи увагу на полярність їх ввімкнення. Після перевірки схеми ввімкнути стенд. 5. Зняття стокових характеристик транзистора Зняти залежнісьть Ic= f /Uсв при постійній напрузі на затворіUзB . Для цього потенціометром R2 встановити напругу Uзв=0.За допомогою потенціометра R4 змінювати вихідну напругу Ucв і користуючись мілівольтметром, зробити відлік струму стоку I0 Дані експерименту записати у табл.1. Таблиця 1 Uзв=0 Uсв. В          Iс. мА          Uзв=…B Uсв. В          Ic . мА м         а Повторити експеримент, встановивши інше значения напруги затвору Uзв . 6. Знімання стоко-затворної характеристики транзистора Зняти залежість Iсв=f /Uзв при постійній напрузі між стоком і витоком Ucв. Для цього потенціометром R4 встановити задане значения напруги стоку Ucв і в процесі експерименту пітримувати її незмінною. За допомогою потенціометра R2 змінювати напругу Uзв І користуючись міліамперметром. Провести відліки струму стоку Іс Дані експерименту записати у таблицю 2. Uсв=…B Uзв ,В          Іс , МА         Ucв=… B Uзв , B          І0 . МА         Таблиця 2 повторити експеримент, встановивши Інше значення напруги сток 7 . Обробка експериментальних даних На міліметровому папері побудувати стокові і стоко-затворні статичні характеристики польового транзистора з електронно-дірковим переходом і визначити крутизну характеристики і вихідний опір.
Антиботан аватар за замовчуванням

30.05.2013 15:05-

Коментарі

Ви не можете залишити коментар. Для цього, будь ласка, увійдіть або зареєструйтесь.

Ділись своїми роботами та отримуй миттєві бонуси!

Маєш корисні навчальні матеріали, які припадають пилом на твоєму комп'ютері? Розрахункові, лабораторні, практичні чи контрольні роботи — завантажуй їх прямо зараз і одразу отримуй бали на свій рахунок! Заархівуй всі файли в один .zip (до 100 МБ) або завантажуй кожен файл окремо. Внесок у спільноту – це легкий спосіб допомогти іншим та отримати додаткові можливості на сайті. Твої старі роботи можуть приносити тобі нові нагороди!
Нічого не вибрано
0%

Оголошення від адміністратора

Антиботан аватар за замовчуванням

Подякувати Студентському архіву довільною сумою

Admin

26.02.2023 12:38

Дякуємо, що користуєтесь нашим архівом!