Дослідження біполярних транзисторів

Інформація про навчальний заклад

ВУЗ:

Тернопільський національний економічний університет

Інститут:

Інститут комп'ютерних технологій

Факультет:

Комп'ютерна інженерія

Кафедра:

Не вказано

Інформація про роботу

Рік:

2010

Тип роботи:

Лабораторна робота

Предмет:

Комп’ютерна електроніка

Група:

СКС

Коротко про документ

Про що ця робота

У роботі досліджуються принцип дії, властивості та характеристики біполярних транзисторів. Наведено схеми для визначення вхідних та вихідних вольт-амперних характеристик.

У роботі розглядаються

Біполярні транзистори
Вхідні характеристики транзистора
Вихідні характеристики транзистора
Схеми увімкнення транзисторів
Параметри транзисторів
Комп'ютерна електроніка

Зміст і розділи

Дослідження біполярних транзисторів
Основні схеми увімкнення транзисторів
Вхідні та вихідні характеристики транзистора
Класифікація транзисторів
Схеми для визначення ВАХ

Для кого:Студенти технічних спеціальностей вищих навчальних закладів

Викладачі:Викладач кафедри

Ключові поняття

базавольт-амперна характеристикасхема зі спільним емітеромсхема зі спільною базоюнапівпровідниковий приладелектронікапараметри транзистора

Схожі матеріали

Лабораторна робота № 1 з дисципліни «Комп’ютерна електроніка» Переглянути → Лабораторна робота № 5. Дослідження тиристорів Переглянути → Дослідження польових транзисторів Переглянути → Дослідження підсилювальних каскадів Переглянути → Дослідження автоколивальних та чекаючих мультивібраторів на біполярних транзисторах Переглянути → Дослідження автоколивальних та чекаючих мультивібраторів на операційних підсилювачах Переглянути →

Частина тексту файла (без зображень, графіків і формул):

МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ ТЕРНОПІЛЬСЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ ЕКОНОМІЧНИЙ УНІВЕРСИТЕТ Кафедра комп’ютерної інженерії Лабораторна робота № 4 з дисципліни «Комп’ютерна електроніка» ЛАБОРАТОРНА РОБОТА №4 Тема. Дослідження біполярних транзисторів. Мета роботи: вивчення принципу дії та властивостей, дослідження характеристик, ознайомлення з основними параметрами та використанням біполярних транзисторів. Рис. 4.1 - Біполярні транзистори типу “p-n-p” (а) і “n-p-n” (б) Рис. 4.2 - Основні схеми увімкнення транзисторів Рис.4.3- Вхідні (а) та вихідні (б) характеристики р-п-р транзистора, увімкненого за схемою зі спільним емітером Таблиця 4.1. Р\f <3 МГц (НЧ) 3…30 МГц (СрЧ ) >30 МГц (ВЧ і НВЧ) Малої потужності <0,3Вт 1 2 3 Середньої потужності <0,3Вт 4 5 6 Потужні > 3Вт 7 8 9 Рис. 4.4 - Схема для визначення вхідної ВАХ (СЕ) Рис. 4.5- Схема для визначення вихідної ВАХ (СЕ) Рис. 4.6 - Схема для визначення вихідної ВАХ (СБ)

Лабораторна робота Комп’ютерна електроніка

Допоможи студентському архіву