DevioLabавтоматичне керування капіталом
ПРАЦЮЄ 24/7
КРИПТОВАЛЮТИ · АКЦІЇ · 10 БІРЖ

Портфель, який керується автоматично

DevioLab підбирає стратегії, відстежує ринки та автоматизує купівлю і продаж активів. Кількість доступних криптовалют, акцій і торгових можливостей зростає щодня.

10підключених біржCrypto + Stocksв одному портфелі24/7автоматичний контроль

Дослідження підсилювальних каскадів на біполярних транзисторах

Інформація про навчальний заклад

ВУЗ:
Національний університет Львівська політехніка
Інститут:
ІКТА
Факультет:
Факультет телекомунікацій
Кафедра:
Кафедра захисту інформації

Інформація про роботу

Рік:
2012
Тип роботи:
Звіт до лабораторної роботи
Предмет:
схемотехніка пристроїв технічного захисту інформації
Група:
ЗІ-31
Коротко про документ

Про що ця робота

Досліджено основні параметри і характеристики підсилювальних каскадів на біполярних транзисторах для різних схем ввімкнення. Отримано амплітудно-частотні характеристики, визначено коефіцієнти підсилення та смуги пропускання.

У роботі розглядаються

  • Біполярні транзистори
  • Підсилювальні каскади
  • Спільна база
  • Амплітудно-частотні характеристики
  • Смуга пропускання

Зміст і розділи

  1. Мета роботи
  2. Схема електрична принципова підсилювального каскаду
  3. АЧХ та ФЧХ підсилювального каскаду
  4. Висновок
Для кого:Студенти технічних спеціальностей вищих навчальних закладів
Викладачі:Собчук І. С.

Ключові поняття

підсилювальний каскадспільна базакоефіцієнт підсиленнясмуга пропусканняамплітудно-частотна характеристикафазочастотна характеристикаелектрична схема

Частина тексту файла (без зображень, графіків і формул):

МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ «ЛЬВІВСЬКА ПОЛІТЕХНІКА» ІКТА кафедра ЗІ З В І Т до лабораторної роботи №1 з предмету : «Схемотехніка пристроїв технічного захисту інформації» на тему: «Дослідження підсилювальних каскадів на біполярних транзисторах» Львів - 2012 Мета роботи : Ознайомитися з основними параметрами і характеристиками підсилювальних каскадів на біполярних транзисторах для різних включень: спільним емітером(СЕ), спільним колектором(СК), спільною базою(СБ). Отримати амплітудно-частотні характеристики, визначити коефіцієнти підсилення по напрузі і смугу пропускання підсилювальних каскадів для різного включення транзистора. Виявити вплив зміни параметрів пасивних елементів на коефіцієнт підсилення та смугу пропускання підсилювальних каскадів.  Рисунок 1 Схема електрична принципова підсилювального каскаду зі спільною базою  Рисунок 2. Залежність амплітуди вхідного і вихідного сигналів  Рисунок 3. АЧХ та ФЧХ підсилювального каскаду для ввімкнення зі спільною базою  Рисунок 4. Схема електрична принципова підсилювального каскаду зі спільним емітером  Рисунок 5. Залежність амплітуди вхідного та вихідного сигналів  Рисунок 6. АЧХ та ФЧХ підсилювального каскаду для ввімкнення зі спільним емітером  Рисунок 7. Схема електрична принципова підсилювального каскаду зі спільним колектором  Рисунок 8. Залежність амплітуди вхідного і вихідного сигналів  Рисунок 9. АЧХ та ФЧХ підсилювального каскаду для включення зі спільним колектором Висновок: На лабораторній роботі розглянуто основні параметри і характеристики підсилювальних каскадів на біполярних транзисторах. Для схеми зі спільною базою коефіцієнт підсилення за напругою є великий, а за потужністю - малий. Цей підсилювальний каскад має досить широку смугу пропускання. Із збільшенням опору смуга пропускання зменшується, а коефіцієнт підсилення збільшується. Вплив ємностей С1 і С2 на смугу незначний. Для схеми зі спільним емітером коефіцієнт підсилення за напругою е більший чим в схемі зі спільною базою, коефіцієнт підсилення за потужністю е великий. Смуга пропускання менша чим в схемі зі спільною базою. При збільшенні опору збільшується коефіцієнт підсилення за напругою, а за потужністю зменшується. Вплив ємностей С1 і С2 на смугу незначний. Для схеми зі спільним колектором коефіцієнт підсилення за напругою є найменший, як і за потужністю. Смуга пропускання найбільша серед схем. Зі збільшенням опору збільшується коефіцієнт підсилення і смуга пропускання. Збільшення ємностей С1 і С2 призводить до розширення смуги пропускання.
Допоможи студентському архіву

Ми допомогли тобі — допоможи наступному студенту

Файл ще не обрано

Оголошення від адміністратора

Антиботан аватар за замовчуванням

Подякувати Студентському архіву довільною сумою

Admin

26.02.2023 12:38

Дякуємо, що користуєтесь нашим архівом!