Дослідження підсилювальних каскадів на біполярних транзисторах. Звіт до лабораторної роботи з Захист інформації. Робота № 525028

Перехід до торгівельного партнера Binance

Дослідження підсилювальних каскадів на біполярних транзисторах

Інформація про навчальний заклад

ВУЗ:

Національний університет Львівська політехніка

Інститут:

ІКТА

Факультет:

Не вказано

Кафедра:

Не вказано

Інформація про роботу

Рік:

2012

Тип роботи:

Звіт до лабораторної роботи

Предмет:

Захист інформації

Група:

ЗІ-31

Завантажити

Частина тексту файла (без зображень, графіків і формул):

МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ «ЛЬВІВСЬКА ПОЛІТЕХНІКА» ІКТА кафедра ЗІ З В І Т до лабораторної роботи №1 з предмету : «Схемотехніка пристроїв технічного захисту інформації» на тему: «Дослідження підсилювальних каскадів на біполярних транзисторах» Львів - 2012 Мета роботи : Ознайомитися з основними параметрами і характеристиками підсилювальних каскадів на біполярних транзисторах для різних включень: спільним емітером(СЕ), спільним колектором(СК), спільною базою(СБ). Отримати амплітудно-частотні характеристики, визначити коефіцієнти підсилення по напрузі і смугу пропускання підсилювальних каскадів для різного включення транзистора. Виявити вплив зміни параметрів пасивних елементів на коефіцієнт підсилення та смугу пропускання підсилювальних каскадів. Рисунок 1 Схема електрична принципова підсилювального каскаду зі спільною базою Рисунок 2. Залежність амплітуди вхідного і вихідного сигналів Рисунок 3. АЧХ та ФЧХ підсилювального каскаду для ввімкнення зі спільною базою Рисунок 4. Схема електрична принципова підсилювального каскаду зі спільним емітером Рисунок 5. Залежність амплітуди вхідного та вихідного сигналів Рисунок 6. АЧХ та ФЧХ підсилювального каскаду для ввімкнення зі спільним емітером Рисунок 7. Схема електрична принципова підсилювального каскаду зі спільним колектором Рисунок 8. Залежність амплітуди вхідного і вихідного сигналів Рисунок 9. АЧХ та ФЧХ підсилювального каскаду для включення зі спільним колектором Висновок: На лабораторній роботі розглянуто основні параметри і характеристики підсилювальних каскадів на біполярних транзисторах. Для схеми зі спільною базою коефіцієнт підсилення за напругою є великий, а за потужністю - малий. Цей підсилювальний каскад має досить широку смугу пропускання. Із збільшенням опору смуга пропускання зменшується, а коефіцієнт підсилення збільшується. Вплив ємностей С1 і С2 на смугу незначний. Для схеми зі спільним емітером коефіцієнт підсилення за напругою е більший чим в схемі зі спільною базою, коефіцієнт підсилення за потужністю е великий. Смуга пропускання менша чим в схемі зі спільною базою. При збільшенні опору збільшується коефіцієнт підсилення за напругою, а за потужністю зменшується. Вплив ємностей С1 і С2 на смугу незначний. Для схеми зі спільним колектором коефіцієнт підсилення за напругою є найменший, як і за потужністю. Смуга пропускання найбільша серед схем. Зі збільшенням опору збільшується коефіцієнт підсилення і смуга пропускання. Збільшення ємностей С1 і С2 призводить до розширення смуги пропускання.

Звіт до лабораторної роботи Захист інформації

AmatorNS

04.11.2013 21:11-

Коментарі

Ви не можете залишити коментар. Для цього, будь ласка, або зареєструйтесь.

Ділись своїми роботами та отримуй миттєві бонуси!

Маєш корисні навчальні матеріали, які припадають пилом на твоєму комп'ютері? Розрахункові, лабораторні, практичні чи контрольні роботи — завантажуй їх прямо зараз і одразу отримуй бали на свій рахунок! Заархівуй всі файли в один .zip (до 100 МБ) або завантажуй кожен файл окремо. Внесок у спільноту – це легкий спосіб допомогти іншим та отримати додаткові можливості на сайті. Твої старі роботи можуть приносити тобі нові нагороди!

поділитись