Дослідження підсилювальних каскадів на біполярних транзисторах. Звіт про виконання лабораторної роботи з Інші. Робота № 525432

Перехід до торгівельного партнера Binance

Дослідження підсилювальних каскадів на біполярних транзисторах

Інформація про навчальний заклад

ВУЗ:

Національний університет Львівська політехніка

Інститут:

Не вказано

Факультет:

Не вказано

Кафедра:

Кафедра захисту інформації

Інформація про роботу

Рік:

2008

Тип роботи:

Звіт про виконання лабораторної роботи

Предмет:

Інші

Група:

ІБ-31

Завантажити

Частина тексту файла (без зображень, графіків і формул):

Міністерство освіти і науки України Національний університет „Львівська політехніка” Кафедра «Захисту інформації» Звіт Про виконання лабораторної роботи №1 На тему: «Дослідження підсилювальних каскадів на біполярних транзисторах» Мета роботи: ознайомитися з основними параметрами і характеристиками підсилювальних каскадів на біполярних транзисторах для різних включень: спільним емітером (СЕ), спільним колектором (СК), спільною базою (СБ). Отримати амплітудно-частотні характеристики, визначити коефіцієнти підсилення по напрузі і смугу пропускання підсилювальних каскадів для різного включення транзистора. Виявити вплив зміни параметрів пасивних елементів на коефіцієнт підсилення та смугу пропускання підсилювальних каскадів. Схеми для проведення дослідів : Рис.1. Схема підсилювального каскаду на біполярному транзисторі зі спільною базою Рис.2. Схема підсилювального каскаду на біполярному транзисторі зі спільним емітером Рис.3. Схема підсилювального каскаду на біполярному транзисторі зі спільним колектором Коротка характеристика елементів, що входять до кожної зі схем: 1.Схема з СБ (рис.1) : V1 – батарея 12В, V2 – джерело напруги, яке генерує синусоїдальний сигнал з амплітудою 0,01В і частотою 50Гц, R1=27кОм, R2=3,6кОм, R3=7,5кОм, Rn=5,1кОм, C1=5,1мкФ, C2=4,7мкФ, C3=33мкФ, Q1 – p-n-p транзистор марки 2T360A1 2. Схема з СЕ (рис.2) : V1 – батарея 12В, V2 – джерело напруги, яке генерує синусоїдальний сигнал з амплітудою 0,01В і частотою 50Гц, R1=30кОм, R2=10кОм, Rе=1,5кОм, Rк=4,7кОм, Rn=5,1кОм, C1=4,7мкФ, C2=4,7мкФ, Cе=15мкФ, Q1 – p-n-p транзистор марки 2T360A1. 3. Схема з СК : V1 – джерело напруги, яке генерує синусоїдальний сигнал з амплітудою 0,01В і частотою 50Гц, V2 – батарея 12В, R1=30кОм, R2=7,5кОм, Rе=1,3кОм, Rn=1кОм, C1=6,8мкФ, C2=47мкФ, Q1 – p-n-p транзистор марки 2T360A1 Графіки залежності вхідного і вихідного сигналів підсилювального каскаду: 1. Зі спільною базою 2.Спільним емітером 3. Спільним колектором 1.Коефіцієнт підсилення за напругою для схеми з СБ K=19.61. 2.Коефіцієнт підсилення за напругою для схеми з СЕ K=10.92. 3. Коефіцієнт підсилення за напругою для схеми з СК K=1,06. АЧХ та ФЧХ підсилювальних каскадів 1.Зі спільною базою 2.Зі спільним емітером 3.Зі спільним колектором Висновок:

Звіт про виконання лабораторної роботи Інші

qwerty

06.01.2014 02:01-

Коментарі

Ви не можете залишити коментар. Для цього, будь ласка, або зареєструйтесь.

Ділись своїми роботами та отримуй миттєві бонуси!

Маєш корисні навчальні матеріали, які припадають пилом на твоєму комп'ютері? Розрахункові, лабораторні, практичні чи контрольні роботи — завантажуй їх прямо зараз і одразу отримуй бали на свій рахунок! Заархівуй всі файли в один .zip (до 100 МБ) або завантажуй кожен файл окремо. Внесок у спільноту – це легкий спосіб допомогти іншим та отримати додаткові можливості на сайті. Твої старі роботи можуть приносити тобі нові нагороди!

поділитись