Подякувати Студентському архіву довільною сумою
Admin
26.02.2023 12:38
Дякуємо, що користуєтесь нашим архівом!
Інформація про навчальний заклад
ВУЗ:
Національний університет Львівська політехніка
Інститут:
Не вказано
Факультет:
КН
Кафедра:
Автоматики і телемеханіки
Інформація про роботу
Рік:
2006
Тип роботи:
Курсовий проект
Предмет:
Електроніка та мікросхемотехніка
Частина тексту файла (без зображень, графіків і формул):
Міністерство освіти і науки України
Національний університет “Львівська політехніка”
кафедра автоматики і телемеханіки
Курсовий проект
з навчальної дисципліни “ Електроніка та мікросхемотехніка ”
“ Підсилювач низької частоти ”
Технічне завдання :
Потужність навантаження : РН=2.5 Вт ;
Опір навантаження : RH=100 Oм ;
Нижня частота : FH=120 Гц ;
Верхня частота : FB=12 кГц ;
Коефіцієнт частотних спотворень на нижніх частотах : МН=2.5 дБ ;
Коефіцієнт частотних спотворень на верхніх частотах : МВ=2.5 дБ ;
Коефіцієнт гармонік : КГ = 5 % ;
Вхідна напруга : Евх = 10 мВ ;
Опір джерела напруги : Rдж = 30 кОм ;
Діапазон регулювання : ДР = 20 дБ ;
Температура навколишнього середовища : ТНС = +10 (+60оС
1) Вступ :
Підсилювач низької частоти підсилює неперервні періодичні сигнали в діапазоні від десятків герц до десятків кілогерц. Частотний діапазон або смуга пропускання від 120 Гц до 12 кГц, задані в таблиці 3, забезпечує високоякісне радіомовлення першого класу.
В кінцевому результаті на заданому навантаженні підсилювач низьких частот (ПНЧ) має забезпечувати необхідну потужність сигналу, що підсилюється.
Джерелом вхідного сигналу для ПНЧ може бути звукознімач , мікрофон , термопара , остектор . Як правило , джерела вхідного сигналу для ПНЧ мають низьку напругу безпосередньо на вхід каскаду підсилення потужності немає сенсу, бо при малій напрузі управління неможливо отримати потрібне підсилення до вихідної потужності.
Тому в схему ПНЧ включають каскади попереднього підсилення. Кількість цих каскадів визначається технічними умовами для даного ПНЧ по вихідній потужності та якості сигналу.
2) Аналіз типових схем підсилювальних каскадів. Вибір структурної схеми.
Найбільш поширеними схемами ПНЧ є схеми , в яких транзистор , як елемент підсилення включається трьома способами : по схемі з спільною базою (СБ), схемі з спільним емітером (СЕ), по схемі з спільним колектором (СК).
Схема зі спільною базою (СБ) дозволяє отримати найменші нелінійні спотворення, але має мале підсилення по потужності. Схема має малий вхідний опір (десятки Ом) і великий вихідний опір (сотні кОм). Параметри каскадів в такій схемі мало залежать від температури оточуючого середовища. У двотактних схемах транзисторів з СБ їхні коефіцієнти підсилення можуть відрізнятися до 30 %.
Схема з СЕ характеризується малим струмом бази. Тому вхідний опір схеми з СЕ є вищий , ніж схеми з СБ. Вихідний опір становить десятки кОм . Це дозволяє в багатокаскадному підсилювачі включати каскади без додаткових узгоджувальних елементів. Тому схеми з СЕ є найбільш розповсюдженні.
Схема зі СК має великий вхідний опір ( сотні кОм ), а вихідний становить сотні Ом. Тому каскад з СК не дає підсилення сигналу по напрузі і має невисокий коефіцієнт підсилення по потужності.
Схема зі СК найчастіше використовується для узгодження опору між окремими каскадами або між виходом підсилювача і низькоомним навантаженням. Каскад з СК бажано використовувати на вході підсилювача тоді, коли вхідний опор каскаду зі СЕ недостатній для узгодження підсилювача з джерелом вхідного сигналу.
Однією з найважливіших схем попереднього підсилення є резистивний каскад з спільним емітером. Типова схема каскаду зображена на рис.1
Рис.1
В цій схемі резистори R1 і R2 , що підключені до джерела живлення ЕК , є подільником напруги, від якого живляться емітерний і колекторний р – n переходи транзистора. Елементи R5 і C1 є розв’язуючим фільтром. Стабілізація режиму роботи транзистора виконана за рахунок введення в коло емітера резистора R4. Спад напруги на резисторі R4., пропорційний струму емітера, є зворотним зв’язком для переходу емітер-база. Це створює від’ємний зворотний зв’язок за постійним струмом, який автоматично стабілізує режим роботи каскаду при зміні параметрів транзистора. Для усунення від’ємного зворотного зв’язку за змінним струмом, який знижує коефіцієнт підсилення за напругою, резистор R4 шунтується конденсатором С4 великої ємності. Конденсатори С2 і С3 розділюючі.
В схемі зі СК (рис.2) резистор R3 є опором навантаження і тому не шунтується конденсатором. Тому в схемі існує зворотній від’ємний зв’язок за змiнним струмом. Цим пояснюється високий вхідний опір і низький коефіцієнт підсилення за напругою. Для збільшення вхідного опору до сотень кілоом можна використати схему на рис.3 або схеми на польових транзисторах.
Емітерний повторювач зображений на рис.3 дозволяє отримати коефіцієнт підсилення по потужності (20(30) дБ.
Рис.2.
Рис.3
Вихідні каскади можуть бути побудовані за однотактною чи двотактною схемами . Схема однотактного підсилювача зображена на рис.4.
Двохтактний каскад (рис.5) віддає вдвічі більшу потужність , ніж однотактний, має трансформатор без постійного підмагнічування і допускає в кілька разів більші пульсації джерела живлення. Також двохтактний каскад має вищий ККД. Але для його роботи потрібні два транзистори, вихідний трансформатор з подвоєним числом витків , а також фазоінверсна схема попереднього каскаду або ще один вхідний трансформатор з середньою точкою.
Рис.4
Рис.5
На цей час найбільш розповсюдженими є безтрансформаторні схеми вихідних каскадів, що відрізняються високою економічністю, малими габаритами і масою.
Схема такого каскаду зображена на рис.6. Безтрансформаторний вихідний каскад може працювати на низькоомне навантаження. Вмикання навантаження безпосередньо у вихідне коло підсилювальних елементів без вихідного трансформатора дозволяє ліквідувати частотні та нелінійні викривлення від трансформатора.
Рис.6
При охопленні підсилювача від’ємним зворотнім зв’язком підвищує якість роботи підсилювача. Недоліком таких каскадів є порівняно невелика вихідна потужність і коефіцієнт підсилення по потужності, а також відносно невелика термостабільність.
Враховуючи сказане структурна схема ПНЧ приведена на рис.7, а функціональна – на рис.8. Під час розрахунків ці схеми будуть коректуватись.
Джерело Вхідний Проміжний Проміжний Вихідний Наванта-
сигналу каскад каскад 1 каскад 2 каскад ження
Рис.7
Рис.8
Знайдемо потужність сигналу на вході підсилювача. Найбільшу потужність джерело струму віддає в коло навантаження , якщо опір навантаження дорівнює внутрішньому опору джерела :
PВХ=
Необхідний коефіцієнт підсилення за потужністю цілого підсилювача :
Коефіцієнт підсилення в дБ :
КР[дБ] = 10*lgKP ;
КР[дБ] = 10*lg3*10 9 = 94.8 дБ ;
Вважаючи , що кожний каскад підсилювача при включенні транзистора по схемі з СЕ може забезпечити підсилення по потужності приблизно на 20-25дБ, приймаємо орієнтовне число каскадів :
Приймаємо m=4. Під час розрахунку перевіримо , чи забезпечується необхідне підсилення , якщо ні , то збільшимо кількість проміжних каскадних підсилень.
3) Розрахунок вихідного безтрансформаторного каскаду.
Рис.
Вихідні данні : РВИХ=2.5 Вт ; RН=100 Ом ;
Визначимо потужність джерела живлення :
;
Приймаємо ЕК=60 В.
Вибираємо трансформатори VT8 i VT9. Максимальні струми колектора :
;
IK ДОП ( 2*ІК MAX ;
Максимальна потужність колектора :
PK ДОП = 0.2*РН = 0.2*2.5 = 0,5 Вт;
РК ДОП( РK MAX ;
Отже вибираємо для VT8 i VT9 транзистор КТ815Г з параметрами :
(MIN = 30 TП MAX = 1000C
IK MAX = 1,5 A fB =314 Гц
РK MAX = 10 Вт СКЛ = 115пФ
UKE MAX = 80 B UБЕ MAX = 1.5 B
IK0<100 мкА ІБ MAX =1 A
Розрахуємо параметри радіаторів для транзисторів VT8 ,VT9 :
;
Tn max =100 0C ;
RТПК – тепловий опір перехід-корпус ;
;
Визначаємо вхідний опір транзистора VT8 :
RВХ 8 = (8·RH = 30·100 = 3000 Ом ;
За вихідним опором восьмого транзистора вибираємо опори резисторів R14 i R15 :
R14 = R15 > (3(4)·RВХ 8 = (900(12000) Ом .
Приймаємо значення опорів :
R14 = R15 =13000 Ом = 13 кОм.
Вибираємо робочу точку для VT8 , VT9 ;
I0K 8 = I0K 9 = 0.1·IK MAX = 0.1·0.224 ≈ 0.025 A ;
Знаходимо струм колектора VT6 :
IK ВТ = IБ 8m + ;
Щоб знайти цей струм нам необхідно розрахувати RБ8 і ІБ8 :
RБ8 = Ом ;
;
Отже струм колектора VT6 :
;
Вибираємо транзистори VT6 і VT7. Транзистор VT6 провідності типу n-p-n , а VT7 типу p-n-p.
VT6 – KT503T
(MIN = 40 fβ =5 МГц
IK MAX = 0,15 A СК = 20мкФ
РK MAX = 0,35 Вт
UKE MAX = 80 B
IK0( 0,015 мкА
VT7 - KT502Г
(MIN = 40 fβ =5 МГц
IK MAX = 0,15 A СК = 20мкФ
РK MAX = 0,35 Вт
UKE MAX = 80 B
IK0( 0.015 мкА
Вибираємо робочу точку для VT6 :
Знайдемо UK3m :
Розрахуємо опір R12 за формулою :
Цей опір реалізує необхідний спад напруги для забезпечення VT6 необхідною з номінального ряду Е=24, вибираємо :
R12 = 33000 Ом = 33кОм ;
Вибираємо діоди VD1, VD2 , VD3 :
Знайдемо струм , що протікає через діоди :
Вибираємо діоди по І0К3 , для яких при струмі І0К3 виконується нерівність:
UД1+UД2+UД3 ( UБЕ6 +UБЕ7 +UБЕ8
Вибираємо VD1, VD2 , VD3 типу ГД104А з параметрами :
ІПР МАХ = 5мА, при UПР = 0,7 B;
Характеристики діодів зображені на рис.
Знаходимо струм, при якому відкривається транзистор захисту :
Транзистори VT3 і VT4 вибираємо того ж типу , що і транзистор VT6-KT503Г.
Транзистор VT5 вибираємо того ж типу , що і транзистор VT7 : КТ502Г
Знаходимо опори R16 і R17 :
Вибираємо номінали опорів R16 = R17 =2,4 Ом. Знаходимо опір R13 :
;
Вибираємо R13 = 5,1 кОм
ІБ03 – струм бази транзистора VT3
Знаходимо струм ІД = (2(3)·ІБ 03 – струм дільника.
ІД = (3(5) ІБ 03 = 5·0,000022 = 0,11 (мА) ;
Знаходимо значення опорів дільника R11 і R13 :
Напруга емітера VT3 :
UE3 = I0K3 ·R13 = 0,00087·5,1·103 = 4,4 (B)
Вибираємо R11 = 43 кОм .
R10 розрахуємо за формулою :
Коефіцієнт (MIN визначаємо :
Вибираємо R10 = 750 кОм .
Знаходимо вхідний опір каскаду :
RВХ = rБ + (1+()(rE + R13)=200+(1+40) ·(29+5100)=210,5 (кОм).
Знаходимо rE – диференціальний опір емітерного переходу із врахуванням внутрішнього зворотнього зв’язку :
;
- опір базового дільника транзистора VT3.
Знаходимо коефіцієнт підсилення за напругою VT6 – VT8 :
Знаходимо RГ’ який дорівнює опору дільника RГ ((RБ
Знаходимо еквівалентний колекторний опір навантаження транзистора VT4
Знайдемо вхідний опір VT6 :
RВХ 6 = R4·(6·(8 = 100·40·30 = 120000 Ом.
Визначимо KU для транзистора VT3 :
Повний KU всього підсилювального каскаду :
KU( = KU(6-8) ·KU3 = 4,9·0,94 = 4,6.
Знаходимо КІ для транзисторів VT4 , VT6 , VT8 :
4)Розрахунок проміжного каскаду 2
Вихідні дані :
UВИХ m = 4,8 B,
RH = 33,6 кОм.
Рис.
Вибираємо транзистор VT5 типу КТ209Г з параметрами :
(MIN = 40 T = 1000C
IK MAX = 0.3 A UH БЕ = 1.5 B
РK MAX = 0.2 Вт ІБ MAX =0.1 A
UKE MAX = 30 B I0K=0.005А
U0K ( UВИХ m + UKH + UE
EK = UKE + UE + URк – напруга джерела живлення .
Визначимо напругу між колектором та емітером транзистора
UKE = UВИХ m + UKH = 4,8 +0.8 = 5,6 (B);
Приймаємо ЕК = 15(В).
U0K ( UВИХ m + UKH + UE
UE = 0,2 Знаходимо коефіцієнт підсилення по струму підсилювального вихідного каскаду :
KI( = KI8*KI6*KI3 = 21*30*10.87 = 6848
Знаходимо коефіцієнт підсилення по потужності підсилювального вихідного каскаду :
KР( = KI(*KU( = 92*6848 =630 *103
EK = 0,2·15=3 (B)
U0K ( 4,8 + 0,8 + 3 = 8,6 (B)
Максимальний струм колектора :
Приймаємо RE = 620 Ом ;
Приймаємо RK = 1200 Ом.
Отже ,
Визначаємо струм базової області транзистора
Струм дільника ІД :
ІД = (3(10)ІБ0 = 5·0,000125 = 0,000625(А).
Визначаємо опори R6 і R7 дільника :
UE = I0K·RE = 0,005·620 = 3,1(B).
Приймаємо R7 = 6200 Ом
Приріст зворотного струму колектора при зміні температури :
Приймаємо R6 = 16 кОм.
Знаходимо вхідний опір каскаду :
RВХ = rБ + rE’(1+() ;
rБ = rБ’ + rБ’’ ;
rБ’ – об’ємний опір бази ;
rБ’ = 200 Ом ;
rБ’’ – дифузійний опір бази
rБ = 200 + 202,5 = 402,5 (Ом);
rE – дифузійний опір емітерного переходу з врахуванням зворотнього зв’язку
RВХ = 402.5 + 2,5(1+80) = 605 (Ом).
Знаходимо RГ = R7 ((R8 – опір дільника
Знайдемо вихідний опір каскаду :
RВИХ = RK ((rK’ ;
RK = 1МОм ;
rK’ – опір колекторного переходу для схеми з спільним емітером
Визначаємо коефіцієнт підсилення за напругою даного каскаду
де RKH – еквівалентний опір колекторного навантаження
5) Розрахунок проміжного каскаду 1.
IH = IБ0 = 0,27 (мА)
RH = RBX = 533 (Ом)
UВИХ MAX = 0,14 (B)
Транзистор вибираємо типу KT209Д , як і в попередньому каскаді .
I0K = (1.5(2)IH = 2·0,00027 = 0,00054 (A)
Приймаємо I0K = 0.001 А
U0K ( UВИХ М + UKH + UE ;
UE = (0.1(0.3)EK ;
EK = UKE + UE + URK ;
UKE = UВИХ М + UKH = 0,14 + 1 = 1,14(B).
Приймаємо UKE = 2 B
URK ( UВИХ MAX
Приймаємо URK = 2 B
Приймаємо EK = 5 B
Визначаємо робочу точку :
U0K ( UВИХ MAX +UKH + UE = 0,14 + 1 + 1 = 2,14 (B)
Максимальний струм колектора :
Приймаємо RE = 1 кОм
Приймаємо RK = 2 кОм.
Визначаємо струм бази :
IД = (3(10)IБ0 – струм дільника
IД = 5ІБ0 =5*0.000025 = 0.000125(А)
UE = I0K·RE = 0,001*1000 = 1(B).
Отже,
Приймаємо R2 = 13 кОм
(MIN = 0.98
Приймаємо R1 =24000 Ом.
RВХ = rБ + rЕ’(1+() ;
rБ = rБ’ + rБ’’ ;
rБ’ = 200 Ом ;
rГ’’ = rE ·(1+()/2 ;
rБ = 200 + 1012 = 1212 (Ом) ;
RBX = 1212 + 12.5(1+80) = 2224 (Ом) ;
Визначаємо опір базового дільника :
Вихідний опір :
RВИХ = RK ((rK’ ; rK = 1МОм ;
RГ’ = RГ ((RБ = (84000·110)/(84000+110) ≈ 110 (Ом).
Визначаємо коефіцієнт підсилення каскаду за напругою:
6) Розрахунок вхідного каскаду.
RH = 2224 Ом;
Uвих.m = 0,01 В;
ІН = 0,0000045 А.
Вибираємо транзистор типу КП307А з вихідними і вхідними параметрами
S = 8 мА/В ; CBX = 5пФ ; IC MAX = 25 мА ; Uвід = 3 В ; CПР = 1,5 пФ.
Розрахуємо робочу точку :
iC0 = IH(1,2(1,5) = 1,5·4,5*10 –6 = 6,7 (мкА).
Приймаємо iC0 = 1мА.
Приймаємо Rв = 2,4 кОм.
Для забезпечення великого вхідного опору , необхідно виконати умову :
R3 (( RДЖ , приймаємо R3 = 510 кОм.
Еквівалентний опір навантаження каскаду
Вихідний опір каскаду
Розрахуємо вхідну ємність каскаду :
CBX = CПР +СВХ(1-KU)
CВХ = 1,5·10 –12 + 5·10 –12 (1-0,9) = 2 (пФ).
Знаходимо вхідний опір транзистора і вхідний опір каскаду для змінного струму на максимальній частоті
7) Розрахунок обмежуючого резистора і фільтруючого конденсатора.
Визначаємо струм , який потрібно одержати на виході резистора :
IСУМ = IC0 +IK MAX + IД1 + ІК MAX2 + IД2
IСУМ = 0.001 + 0.0025 + 0.001 + 0.000625 + 0.000125 = 0.01425(A)
URФ = 60 – 5 = 55 (В)
Приймаємо R13 = 3800 Ом
Розрахуємо фільтруючий конденсатор С6 :
Приймаємо С = 47 мкФ
8) Розрахунок дільника.
RP = RP’+RP’’
RBX2K = 2224 Ом
RBИX1K = 110 Ом
Приймаємо RP = 1200 Ом
Приймаємо RP’’ = 150 Ом , R3 = 150 Ом
RP’ = RP - RP’’ = 1200 –150 = 1050 (Ом)
Вибираємо RP’ = 1500 Ом , R4 = 1500 Ом.
9) Розрахунок схеми індикації.
Світлодіод типу АЛ307В з параметрами :
UПР = 2 В , ІПР = 10 мА
Приймаємо R22 = 6,2 кОм
9) Розрахунок частотних спотворень на високій і низькій частотах :
MB = MB(·MBC
W( = 2(f( ;
(C = CK(1+()(RГ + RH)
CK – ємність колектора
f( - гранична частота підсилення струму транзистора в схемі з СЕ;
СК = 60 пФ;
f( = 3 МГц
(В = 2(fB = 75398
(( = 2(f( = 18849556
MB = MB(*MBC = 1.0000079*1.0000006 = 1.0000085
2.
MH(дБ) = 0.17 дБ
10) Розрахунок конденсаторів.
Вибираємо :
CP1 = 1 нФ - КМ-6
CP2 = 220 нФ - К73-9
CP3 = 150 нФ - К73-9
CP4 = 330 нФ - КМ-6
CP5 = 470 нФ - КМ-6
CP7 = 10 нФ - КМ-6
CP9 = 4.7 мкФ - К50 – 6
(Р = СР(RГ ЕКВ +RH ЕКВ) ;
(Р1 = 0.000469 (Р7 = 0.000467
(Р2 = 0.000467 (Р9 = 0.00047
(Р3 = 0.000468
(Р4 = 0.000468
(Р5 = 0.00046
11) Розрахунок потужностей резисторів.
12. Розрахунок нелінійні спотворення в підсилювачі потужності
При розрахунку коефіцієнта гармонік переважно користуються спрощеними способами гармонічного аналізу, який дає достатню для практичних цілей точність і не вимагає побудови залежності вихідного струму від часу. Найбільш розповсюдженим є метод п’яти ординат, який називають також методом Клина за прізвищем його автора.
Якщо залежність вихідного струму від е.р.с. джерела сигналу, який змінюється за гармонічним законом, нелінійна, то вихідний струм в загальному випадку буде містити постійну складову, першу і ряд вищих гармонік. Таким чином, завданням гармонічного аналізу є визначення коефіцієнтів розкладу в ряд Фур’є: Іср, І1m, І2m, І3m, І4m.
Рис.2. Сімейство вихідних характеристик і навантажувальна пряма вихідного каскаду в схемі з спільним емітером для транзистора типу КТ815А
Рис.3. Вхідна характеристика транзисторів КТ815А.
Розрахунок гармонічних складових вихідного струму, які потрібні для визначення коефіцієнта гармонік транзисторного підсилювального каскаду здійснюють за наскрізною характеристикою. Наскрізна динамічна характеристика змінного струму є залежністю вихідного струму підсилювального елементу від е.р.с. джерела вхідного кола при наявності у вихідному колі опору навантаження.
В підсилювальних каскадах на біполярних транзисторах нелінійні спотворення виникають як у вхідному, так і в вихідному колах, тому наскрізна динамічна характеристика підсилювального каскаду дає можливість визначити нелінійні спотворення, які вносяться сумісними діями нелінійності вхідного і вихідного кіл. Для побудови наскрізної динамічної характеристики використовуємо навантажувальну пряму змінного струму (рис.1) і вхідну характеристику транзистора (рис.2). Для кожної точки перетину навантажувальної прямої з статичними вихідними характеристиками знаходимо значення вихідного струму Ік і для відповідних значень вхідного струму Іб за вхідною статичною характеристикою визначаємо відповідні значення вхідних напруг Uбе. Потім для кожної з цих точок розраховуємо значення е.р.с. джерела вхідного сигналу
де – опір джерела сигналу транзистора для змінного струму.
Таблиця 1
№
Iк , мА
Іб, мА
Uбе, В
1
25
0,5
0,68
1,23
2
80
2
0,81
3,01
3
138
4
0,87
5,27
4
194
6
0,92
7,52
5
248
8
0,95
9,75
6
285
10
0,98
11,98
Рис.4. Визначення гармонічних складових колекторного струму методом п’яти ординат за наскрізною динамічною характеристикою
Знайдені таким чином точки із значеннями Ік і Едж наносять у відповідних координатах і, з’єднавши їх плавною кривою, отримують наскрізну динамічну характеристику змінного струму для певного значення опору джерела вхідного сигналу .
Розрахунок гармонічних складових вихідного струму, які потрібні для визначення коефіцієнта гармонік транзисторного підсилювального каскаду здійснюють за наскрізною характеристикою методом п’яти ординат наступним чином. На наскрізній характеристиці (рис.3) відмічають п’ять точок, які відповідають: розрахунковій амплітуді е.р.с. джерела сигналу Ес.m, половині амплітуди е.р.с. джерела сигналу 0,5Ес.m, точці спокою (при відсутності сигналу е.р.с.), половині від’ємної півхвилі е.р.с. сигналу – 0,5Ес.m, від’ємній амплітуді е.р.с. джерела сигналу – Ес.m. Значення вихідного струму в цих п’яти точках дорівнюють відповідно: Іmax=285мА; І1=238 мА; І0=176мА; І2=108 мА; Іmin=25 мА. тоді амплітуди першої, другої, третьої, четвертої гармонік вихідного струму І1m, І2m, І3m, І4m і постійну складову Іср можна знайти, використовуючи наступні вирази
Правильність обчислення знайдених струмів перевіряємо за формулою
Підставляючи знайдені значення струмів І1m, І2m, І3m, І4m в формулу для коефіцієнта гармонік, розраховуємо його значення
Визначаємо крутизну вихідного транзистора S
Отже, коефіцієнт гармонік з врахуванням місцевого зворотного звязку
Конструкторсько-технічна документація. Опис конструкції приладу.
Корпус приладу складається з двох алюмінієвих кришок, в пази яких вкладаються три алюмінієві поперечки товщиною 2мм. Дві перегородки 12 знаходяться в передній частині конструкції і служать для кріплення кнопки 2, індикатора 13(який показує чи розімкнутий) і регулятора виходу 4, який здійснює регулювання вихідної потужності приладу. Кнопка кріпиться до задньої поперечки за допомогою двох болтів і двох гайок. На кнопку покладається ковпачок з пластмаси , а регулятор ручка.
На задній панелі кріпиться гніздо для живлення 8, а також два гнізда для вхідного і вихідного сигналу 5 і 6, і запобіжник 7. Гнізда входу виходу кріпляться до панелі за допомогою двох болтів з гайками 11.
Верхня кришка кріпиться до нижньої за допомогою чотирьох гвинтів 10. Ніжки приладу впресовані в корпус. Плата 3 кріпиться до нижньої панелі за допомогою чотирьох гвинтів. На монтажній платі в нас знаходяться радіоелементи , зокрема радіатори.
Література
Гершунский Б.С. Справочник по расчету электронных схем. – Киев: Высшая школа, 1983
Гершунский Б.С. Основы электроники и микроэлектроники. - Киев: Высшая школа, 1989
Виноградов Ю.В. Основы электроники и полупроводниковой техники. ----Москва : Энергия, 1972
Зойгивилло Г.В. Усилительные устройства. –Москва : Радио и связь, 1983
Справочник конструктора РЕА . Общие принципы конструирования /Под редакцией Р.Г.Варламова – Москва : Советское радио, 1980
Гель П.П., Иванов-Есипович Н.К. Конструирование и миниатюризация радиоэлектронной аппаратуры. –Ленинград : Энергоатомиздат, 1984
Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. –Москва : Энергия, 1967
Лавриненко В.Ю. Справочник по полупроводниковым приборам. –Киев : Техника, 1977.
Перелік елементів
Позн.
Найменування
Кіль-ть
Примітка
Конденсатори ГОСТ2519-67
С1
КМ-6-150В-1нФ(1%
1
С2
К73-9-100В-220нФ(1%
1
С3
К73-9-100В-150нФ(1%
1
С4
К73-9-100В-330нФ(5%
1
С5
К73-9-100В-470нФ(5%
1
С6
КМ-6-150В-4.7нФ(1%
1
С7
КМ-6-150В-10нФ(1%
1
С8
КМ-6-150В-4.7нФ(1%
1
С9
К50-6-250В-4.7МКФ(5%
1
Резистори ГОСТ 2825-64
R1
МЛТ-0.125Вт-510кОм(5%
1
R2
МЛТ-0.125Вт-2.4кОм(5%
1
R3
МЛТ-0.125Вт-150кОм(5%
1
R4
С2-10-0.25Вт-1.5кОм(1%
1
R5
МЛТ-0.125Вт-20кОм(5%
1
R6
МЛТ-0.125Вт-13Ком(0.5%
1
R7,R8
МЛТ-0.125Вт-1кОм(5%
2
R9
МЛТ-0.125Вт-6.2кОм(5%
1
R10
МЛТ-0.125Вт-2.56кОм(5%
1
R11
МЛТ-0.125Вт-301кОм(5%
1
R12
МЛТ-0.125Вт-200кОм(5%
1
R13
МЛТ-0.125Вт-250кОм(5%
1
R14
МЛТ-0.125Вт-118кОм(5%
1
R15
МЛТ-0.125Вт-16кОм(5%
1
R16
МЛТ-0.125Вт-33кОм(5%
1
R17
МЛТ-0.125Вт-549кОм(5%
1
R18,19
МЛТ-0.125Вт-13кОм(5%
2
R20,21
МЛТ-0.125Вт-2.4кОм(5%
2
R22
МЛТ-1Вт-5800Ом(5%
1
Транзистори ГОСТ 20003 – 74
VT1
КП307А
1
VT2,VT3
КТ209Д
2
Позн.
Найменування
Кіль-ть
Примітка
VT4,VT5,VT7
КТ503Г
3
VT6,VT8
КТ502Г
2
V9, V10
КТ817Г
2
Діоди ГОСТ20003-74
VD1…VD3
ГД107А
3
Світлодіод
VD4
АЛ307В
1
Запобіжник
F1
ВП1-1-1А-100В
1
Перемикач
SB1
ПМ-3П-3М
1
06.02.2014 19:02-
Ділись своїми роботами та отримуй миттєві бонуси!
0%
Оголошення від адміністратора