Міністерство освіти і науки України
НУ “Львівська політехніка
Інститут комп’ютерних технологій,
автоматики і метрології
Пояснювальна записка
до курсового проекту
з електроніки та мікросхемотехніки
На тему: “Генератор гармонічних коливань”
Зміст
Технічне завдання 2
1. Вступ 3
2. Вибір елементної бази. 7
3. Розрахунок принципової схеми 8
3.1. Розрахунок задаючого генератора 9
3.2. Розрахунок атеньюатора 12
3.3. Розрахунок підсилювача потужності 14
3.3.1 Розрахунок вихідного каскаду підсилювача потужності 15
3.3.2. Розрахунок вхідного каскаду підсилювача потужності 19
3.4. Розрахунок схеми живлення операційного підсилювача. 22
3.5 Розрахунок схеми індикації вихідної напруги 23
3.5 Розрахунок розділювальних конденсаторів 24
4. Розрахунок технічних показників пристрою 26
4.1. Розрахунок частотної похибки пристрою 26
4.2. Розрахунок похибки нелінійних спотворень 27
5.Конструкторсько технологічна документація 29
Опис конструкції приладу 29
Список літератури 30
Додаток 1 31
Додаток 2 32
Додаток 3 33
Додаток 4 35
Технічне завдання
Нижня частота 12
Верхня частота 12
Похибка частоти 0.8
Вихідна напруга 20
Опір навантаження 100
Коефіцієнт гармонік 1.5
Діапазон регулювання
вихідної напруги 40
Температура оточуючого середовища
мінімальна 0
максимальна +60
Вступ
Генератори гармонічних коливань перетворюють енергію джерел живлення в енергію незатухаючих синусоїдальних коливань на ваиході. Вони містять активний елемент АЕ і частотно-виборчий чотириполюсник ЧВЧ. В якості активних елементів широко використовуються транзистори і операційні підсилювачі, а в якості ЧВЧ в області низьких частот(звуковий діапазон) RC–чотириполюсники: міст Віна, потрійні RC-ланки диференціюючого і інтегруючого типів.
На рис.1.1 показана структура елементарного автогенератора, що будується по кільцевій схемі з позитивним зворотнім зв’язком ПЗЗ. Його основними елементами є АЕ і ЧВЧ. Частота, що генерується RC-генератором, називається квазірезонансною, т.я. ЧВЧ на RC-елементах не володіють резонансними властивостями, як, наприклад LC-контур.
Для того, щоб при подачі на схему напруги живлення на його виході генерувались гармонічні коливання, необхідно забезпечити виконання умов самозбудження генератора:
умова балансу амплітуд КуU ((((
і умова балансу фаз (к+(( =2(n,
де n= 0,1,2,3… .
По принципу побудови RC-автогенератори поділяються на дві основні групи:
автогенератори без повороту фази сигналу в колі ЗЗ на (( на квазірезонансній частоті (0=2(f0;
автогенератори з поворотом фази сигналу в колі ЗЗ на (( на квазірезонансній частоті (0.
У RC-автогенераторах без повороту фази сигналу в колі ЗЗ в якості ЧВЧ використовується міст Віна. Оскільки на частоті квазірезонансу (0 міст Віна дає зсув фаз, рівний нулю, то для забезпечення балансу фаз, вихід ЧВЧ зв’язаний з неінвертуючим входом операційного підсилювача.
У RC-автогенераторах з поворотом фази сигналу в колі ЗЗ в якості ЧВЧ містить потрійну RC-ланку диференціюючого або інтегруючого типу. Оскільки ЧВЧ такого типу на частоті квазірезонансу (0 зсуває фазу на ((, її вихід з’єднаний з інвертуючим входом операційного підсилювача.
Генератори гармонічних коливань поділяються на підкласи в залежності від частотного піддіапазону:
LC-високі частоти(100кГц(100МГц)
RC-низькі частоти(10Гц(100кГц)
LR- низькі та інфранизькі частоти(<10Гц)
У даному курсовому проекті розробляється низькочастотний генератор гармонічних коливань. Сучасним рішенням проблеми побудови такого генератора є побудова на базі резистивно-ємнісного генератора. Така елементна база має суттєві позитивні якості, порівняно з індуктивно-ємнісною:
Не мають великих масогабаритів, на відміну від LC-генераторів;
Більш технологічні;
Працюють у ширшому діапазоні частот;
Мають меншу собівартість.
Обгрунтування вибору структурної схеми.
При охопленні підсилювача додатнім зворотним зв’язком(ДЗЗ), він самозбуджується, т.я. кофіцієнти підсилення на окремих частотах досягають безмежно великого значення.
Генератори гармонічних коливань розділяються на LC- автоге-нератори, RC-автогенератори і кварцові генератори.
Як ланку зворотнього зв’язку використано міст Віна. Перевагою такої схеми(рис.2.1) в даному випадку є можливість регулювання частоти у широкому діапазоні.
Принципова схема моста Віна
Підібравши набір конденсаторів С1 , С2 з різними номіналами можна перемикати межі діапазонів частот у межах одного заданого діапазона, а підібравши змінні резистори R1,R2 , з’являється можливість плавно регулювати частоту у межах кожного піддіапазона.
Виходячи з тих міркувань, що операційний підсилювач забезпечує стабільність частоти, точність форми кривої з похибкою не більше 1%(цього не забазпечують ані транзисторний підсилювач на БТ,ані тим більше підсилювач на електронній лампі, ані двополюсник з від’ємним диференційним опором).
Для забезпечення стабільності амплітуди вихідної напруги, в коло від’ємного зворотнього зв’язку операційного підсилювача включено термозалежний елемент – термістор.
Для забезпечення необхідної потужності використано підсилювач потужності, який складається з двох каскадів. Вихідний каскад виконаний по двотактній схемі і працює в режимі АВ. У цьому каскаді суттєво зменшені нелінійні спотворення. Він має внутрішній від’ємний зворотній зв’язок через опір навантаження. Каскад забезпечує підсилення по потужності.
Вхідний каскад виконаний по однотактній схемі зі спільним емітером і працює в режимі А. В ньому застосована емітерна стабілізація робочої точки. Каскад забезпечує підсилення по напрузі, а також по потужності.
Була альтернатива використати потужний каскад на операційному підсилювачі 174УН-12, але він має досить великий кофіцієнт гармонік(0,2- це багато для приладу, що розробляється).
Між схемами задаючого генератора і підсилювача потужності включено схему атеньюатора, для регулювання вихідної напруги генератора. Розроблений атеньюатор дає можлиівість регулювання за допомогою переключення на різні діапазони і плавного регулювання в межах кожного діапазону.
Розроблено схему індикації на базі мікроамперметра і однопівперіодного випростувача. Цифровий вимірювальний пристрій в даному випадку використовувати недоцільно тому що відносна похибка вимірювання є не меншою 5%, і знімати покази буде не зручно(з-за неперервного блимання цифр молодших розрядів).
Структурна схема приладу зображена на рис. 1.3.
2. Вибір елементної бази.
Активний елемент задаючого генератора операційний підсилювач 140УД10 з високим коефіцієнтом підсилення, високим вхідним і низьким вихідним опором, значною навантажувальною здатністю. Резистори і конденсатори моста Віна вибрано прецезійними (відхилення від номіналу не більше ) і з малим значенням ТКО і ТКЄ.
Атеньюатор-резистивний, складається з трьох постійних резисторів (діапазонних) і 1-го змінного для плавного регулювання.
Підсилювач потужності – безтрансформаторний, вихідний каскад якого виконаний по двотактній схемі на компліментарних транзисторах і на більш потужних вихідних транзисторах однієї провідності. Діоди вихідного каскаду забезпечують необхідну напругу зміщення і стабільність робочої точки.
Для покращення характеристик всі блоки схеми з’єднані через розділювальні конденсатори.
Живлення вихідного підсилювача потужності несиметричне (-33В,0); живлення операційного підсилювача симетричне (-15В, +15В).3. Розрахунок принципової схеми
3.1. Розрахунок задаючого генератора
Рис 3.1.1. Схема електрична принципова задаючого генератора
Вихідні дані:
Нижня частота
Верхня частота
Визначаємо кількість частотних піддіапазонів:
;
;
вибираємо коефіцієнт перекриття частотних піддіапазонів:
, тоді
верхні частоти піддіапазонів:
першого
другого
третього
Надалі підберемо параметри RC-ланки для моста Віна, щоби забезпечити покриття даних піддіапазонів частот. Опираючись на формулу,
підберемо необхідні елементи (R і C). Спочатку підберемо конденсатори, виходячи з тих міркувань, що градація номіналів для конденсаторів є грубшою ніж для резисторів. Тому спочатку легше вибрати конденсатори, а потім підібрати для них резистори, а не навпаки.
Тип
Ном.Напруга
Група ТКЄ
C3’= C3’’=0.047пФ
КМ-5
100
П100
C2’= C2’’=0.47мкФ
КМ-5
70
Н30
C1’= C1’’=4.7мкФ
К10-47
250
Н30
Обчислимо опори постійних резисторів і . Це є мінімальні опори на кожному піддіапазоні, при яких буде встановліватись верхнє граничне значення частоти:
.
Тип
Опір,Ом
Потужн,Вт(при(С)
ТКО(%/(С)
С2-34
2700(5%
0,25(70)
(100(10-6
Тепер розраховуємо номінальні опори змінних резисторів :
.
Тип
Опір,Ом
Потужн,Вт(при(С)
ТКО (%/(С)
СП5-30
27000(10%
15(85)
(100(10-6
Розраховуємо параметри кола від’ємного зворотнього зв’язку: Виберемо термістор . Вибираєм термістор ТПМ 6/2, залежність якого побудована в дод. 1. рис. 2. По характеристиках (дод. 1. рис. 1. )вибираємо робочу точку: , , .
Обчислимо вихідну напругу генератора ,
,.
Розраховуємо змінний резистор :
;
.
Тип
Опір,Ом
Потужн,Вт(при(С)
ТКО (%/(С)
СП3-24
820
0,25(40)
(100(10-6
Розраховуємо резистор :
;
.
Тип
Опір,Ом
Потужн,Вт(при(С)
ТКО (%/(С)
С5-35В
2550(1%
7,5(40)
(100(10-6
Розраховуємо швидкість наростання вихідної напруги:
;
.
Вибираємо операційний підсилювач:
140УД10 – загального призначення, швидкодіючий ; ; ; ; ; ; ; ; ;.
Оскільки максимальний вхідний струм операційного підсилювача 500 мА, а резистори підключені послідовно до входу ОП, то можемо визначити максимальну потужність, що розсіюватиметься на даних опорах:
Визначимо кофіцієнти передачі ланки ВЗЗ:
; .
Уиова збудження виконується: виконується
Розраховуємо вихідний опір генератора:
;
.
Сумарний опір ланки зворотнього зв’язку:
;
.3.2. Розрахунок атенюатора
Вхідні дані: діапазон регулювання вихідної напруги
сумарний опір ланки зворотнього зв’язку
;
.
Отже діапазон розбиваємо на три піддіапазони 1:1, 1:10, 1:100.
Принципова схема атеньюатора
Розраховано опір :
;
Тип
Опір,Ом
Потужн,Вт(при(С)
ТКО (%/(С)
СП3-9
10000(1%
0,5(40)
(100(10-6
Виходячи із співвідношення для подільника, обчислимо значення опорів
Розраховуємо опори дільника:
;;;
; ; ;
Тип
Опір,Ом
Потужн,Вт(при(С)
ТКО(%/(С)
С2-14
100(5%
0,5(85)
(100(10-6
;;;
Тип
Опір,Ом
Потужн,Вт(при(С)
ТКО(%/(С)
С2-29В
910(5%
0,5(85)
(100(10-6
Тип
Опір,Ом
Потужн,Вт(при(С)
ТКО(%/(С)
С2-36
9100(5%
0,125(70)
(100(10-6
Знайдемо струм, що проходить через опори атеньюатора:
; .
Визначимо потужність, що споживається опорами
; ; ;
;
;
;
.
Розраховуємо вихідний опір атеньюатора:
; .
Еквівалентний опір атеньюатора:
; .
Перевіряємо максимальний опір навантаження операційного підсилювача:
; де - сумарний опір моста Віна; .
.
Отже .3.3. Розрахунок підсилювача потужності
Вихідні дані: ; .
Розраховуємо вхідну потужність:
; де ; ;
.
Розраховуємо вихідну потужність:
; .
Визначаємо загальний коефіцієнт підсилення по потужності:
; ;
; .
Визначаємо кількість каскадів підсилювача:
; .
3.3.1 Розрахунок вихідного каскаду підсилювача потужності
Принципова схема вихідного каскаду підсилювача потужності
Вихідні дані: ; .
Розрахунок ведемо згідно [2], [1].
Визначаємо напругу джерела живлення:
;
, .
Вибираємо .
Знаходимо максимальне значення колекторного струму транзисторів і :
; .
Вибираємо струм спокою транзисторів і :
; .
Визначаємо максимальну потужність, що розсіюється колекторним переходом транзисторів і :
; .
Вибираємо транзистори і з умови ; ;
.
КТ814Г з параметрами: ; ; ; ;
Користуючись вихідними і вхідними характеристиками транзистора (дод.1.рис.2) визначаємо:
; .
На навантажувальній прямій відмічаємо робочу точку Р.
; .
; .
Визначаємо середній вхідний опір транзистора :
; .
Усереднена крутизна характеристики :
; .
Вхідний опір плеча з врахуванням ВЗЗ:
; .
Вибираємо резистори і :
; ; .
Тип
Опір,кОм
Потужн,Вт(при(С)
ТКО(%/(С)
С2-34
9.1(5%
10(70)
(100(10-6
Амплітуда струму колектора передостатннього транзистора :
; .
Вибираємо передостанній транзистор з умови:
; ;
;
;
; ;
Вибираємо транзистори VT1, VT2 типу КТ502Е і КТ503Е з параметрами ; ; ; ;
Вибираємо діоди і з умови забезпечення необхідного зміщення транзисторів і , що дорівнює .
КД102Б, пряма характеристика якого зображена в дод.2. рис.6. На цій характеристиці шукаємо необхідний струм діода для , .
Розрахуємо резистори і :
; .
; .
Тип
Опір,Ом
Потужн,Вт(при(С)
ТКО(%/(С)
С2-29В
2000(1%
1(85)
(100(10-6
Розраховуємо вхідний опір плеча:
, де , .
, де - глубина ВЗЗ,
,
де - усереднена крутизна характеристики ;
; .
- вхідний опір ;
.
.
.
.
Будуємо наскрізну характеристику для (дод.1 рис.3) і визначаємо:
; .
Визначаємо коефіцієнт підсилення по напрузі:
;.
Визначаємо коефіцієнт підсилення по потужності:
; .
3.3.2. Розрахунок вхідного каскаду підсилювача потужності
Вхідні дані: , , .
Рис.3.3.2.1.
Принципова схема вхідного підсилювача потужності
Розрахунок ведемо згідно [1]
Вибираємо транзистор з умови:
, .
КТ503Е з параметрами приведеними вище.
Задаємо струм спокою:
, (дод.2. рис.5.).
Розраховуємо :
, .
; .
Тип
Опір, Ом
Потужн,Вт(при(С)
ТКО(%/(С)
С2-29В
12000(5%
0,25(85)
(100(10-6
Розраховуємо опір в колі термостабілізації:
; .
; .
Тип
Опір, Ом
Потужн., Вт (при(С)
ТКО(%/(С)
С2-29В
6040(0,05%
0,125(70)
(100(10-6
Розраховуємо конденсатор :
, .
Ємність, мкФ
Тип
Ном. напруга
Група ТКЄ
25
К10-17
50
Н90
Знаходимо напругу між колектором і емітером транзистора в режимі спокою:
, .
Переносимо робочу точку на вхідну характеристику
Визначаємо вхідний опір каскаду, провівши дотичну до вхідної характеристики через точку .
, .
Визначаємо величину опорів і дільника напруги. Задаємо спад напруги на опорі фільтру:
, .
Напруга, що підводиться до дільника:
, .
Струм в колі дільника:(
, .
, ;
.
, .
Умова (на порядок), - умова виконується.
, , .
R1:
Тип
Опір,Ом
Потужн,Вт(при(С)
ТКО(%/(С)
С2-29В
15000(5%
0,125(85)
(100(10-6
R2:
Тип
Опір,Ом
Потужн,Вт(при(С)
ТКО(%/(С)
С2-34
39000(5%
0,125(70)
(100(10-6
Розраховуємо елементи розв’язуючого фільтру:
, .
, .
Тип
Опір,Ом
Потужн,Вт(при(С)
ТКО(%/(С)
С2-14
2740(1%
0,125(85)
(100(10-6
, .
Ємність,пФ
Тип
Ном.Напруга
Група ТКЄ
100 000(30%
К50-6
50
П100
Визначаємо вихідний опір каскаду:
, де
- опір дільника слідуючого каскаду;
, , .
.
Коефіцієнт підсилення по напрузі:
, .
Коефіцієнт підсилення по потужності:
, .
3.4. Розрахунок схеми живлення операційного підсилювача.
Вхідні дані: ,
Напруга живлення ОП
Струм живлення ОП .
Рис.3.4.1.
Виберемо стабілітрон Д814Д з параметрами:
, , , .
Розраховуємо значення :
, .
, .
Тип
Опір,Ом
Потужн,Вт(при(С)
ТКО(%/(С)
БЛП
1500(5%
1(70)
(100(10-6
3.5 Розрахунок схеми індикації вихідної напруги
Вхідні дані: , .
Рис.3.4.1.
Схема індикації побудована на базі мікроамперметра, який працює в режимі вимірювання напруги і проградуйований у вольтах.
Вибираємо .
Тип
Опір,Ом
Потужн,Вт(при(С)
ТКО(%/(С)
С2-29В
53600(1%
0,125(85)
(100(10-6
Діоди і - Д223, , ,
Вибираємо мікроамперметр:
Тип
Iном, мА
Rрамки , Ом
М4228
6,3
150
Додатковий опір :
, .
Тип
Опір,Ом
Потужн,Вт(при(С)
ТКО(%/(С)
СП5-24
2000(5%
1(70)
(100(10-6
Конденсатори і вибираємо з умови:
, .
, .
Ємність,пФ
Тип
Ном.Напруга
Група ТКЄ
7400(5%
КМ-6
25
Н90
3.5 Розрахунок розділювальних конденсаторів
Конденсатор включений між задаючим генератором і атеньюатором.
Конденсатор включений між атеньюатором і вхідним каскадом підсилювача потужності.
Конденсатор включений між вхідним і вихідним каскадом підсилювача потужності і опором навантаження.
Задаємося коефіцієнтом частотних спотворень на нижній частоті .
Розподілимо між конденсаторами:
, , .
, .
, .
Розраховуємо : , .
, .
Ємність,пФ
Тип
Ном.Напруга
Група ТКЄ
225 000 000(5%
К10-17
40
Н90
Розраховуємо : , .
, .
Ємність,пФ
Тип
Ном.Напруга
Група ТКЄ
9 400 000(5%
КД-2
250
Н90
Розраховуємо : , .
, .
Ємність,пФ
Тип
Ном.Напруга
Група ТКЄ
110 000 000(5%
КМ3
250
Н30
Розраховуємо : .
, .
Ємність,пФ
Тип
Ном.Напруга
Група ТКЄ
250 000 000(20%
К50-6
50
Н90
4. Розрахунок технічних показників пристрою
4.1. Розрахунок частотної похибки пристрою
Вихідні дані: , , .
Загальний вираз для похибки частоти: , де
- сумарна похибка резисторів моста Віна.
- сумарна похибка конденсаторів моста Віна.
Температурний коефіцієнт опору резисторів
і - ,
- .
Отже
;
,
.
, .
Температурний коефіцієнт ємності конденсаторів:
;;
;;
;
;
, .
Похибка частоти:
.
в найгіршому випадку:
, .
Отже розрахована похибка частоти не перевищує заданого значення.
4.2. Розрахунок нелінійних спотворень
Для вихідного каскаду:
Вихідні дані: .
Коефіцієнт гармонік розраховуємо для силових транзисторів і вихідного каскаду
Будуємо наскрізну характеристику для транзистора , використовуючи співвідношення , (дод.1., рис.3.) по точкам 1, 2, 3, 4, 5 (дод.1., рис.2.).
Дані заносимо в таблицю
№
1
0,25
0,65
2,9
45
2
0,5
0,66
5,16
100
3
0,75
0,67
7,42
165
4
1
0,69
9,69
200
5
2
0,71
18,71
240
Знаходимо амплітудні значення гармонічних складових струму колектора за формулами:
;
;
;
;
;
;
;
;
;
Перевірка: ;
- правильно.
Коефіцієнт гармонік без врахування ВЗЗ:
, .
Коефіцієнт гармонік з врахуванням ВЗЗ:
, де - крутизна характеристики .
.
, .
Для вхідного каскаду:
Вихідні дані: .
Коефіцієнт гармонік розраховуємо для силового транзистора вхідного каскаду
Будуємо наскрізну характеристику для транзистора , використовуючи співвідношення , (дод.2., рис.7.) по точкам (дод.2., рис.5.).
Дані заносимо в таблицю
№
1
60
0,34
0,5
30
2
140
0,35
0,71
120
3
180
0,36
0,83
170
4
220
0,37
0,94
230
5
260
0,38
1,1
245
Знаходимо амплітудні значення гармонічних складових струму колектора за формулами:
;
;
;
;
;
;
;
;
;
Перевірка: ;
- правильно.
Коефіцієнт гармонік без врахування ВЗЗ:
,
.
Коефіцієнт гармонік з врахуванням ВЗЗ:
, де - крутизна характеристики.
, .
, .
Для задаючого генератора:
Операційний підсилювач є високоточний і швидкодіючий – його cумарний кофіцієнт гармонік .
Вагомим є також вплив резисторів і конденсаторів, адже мінімальний внесок спотворення на етапі генерування сигналу спричинить збільшену в декілька раз величину нелінійних спотворень для сигналу на виході. Беручи це до уваги всі резистори і конденсатори вибрано прецезійними; змінні резистори вибрано з лінійними характеристиками зміни опору від величини кута; термістор також вибрано високоточний.
5.Конструкторсько технологічна документація
Опис конструкції приладу
Основою корпусу генератора гармонічних коливань є рама-шассі 2. Вона виготовляється з алюмінієвого сплаву методом лиття під тиском. До рами-шассі кріпляться інші частини корпусу: передня панель3; задня панель 4; консух-кришка 5; монтажна плата 1 і ніжки стояки 7. До рами-шассі інші частини корпуса кріпляться гвинтами М3.
На передній панелі, яка виготовляється з алюмінієвого сплаву методом лиття під тиском, кріпляться: тумблер переривання живлення 13, мікроамперметр для реєстрації вихідної напруги 20, перемикач вихіжного масштабу 10, перемикач діапазону 18, змінні резистори регулювання вихідної напруги і частоти 11, 17. На осі перемикачів і змінних резисторів надіті декоративні ручки. Також на передній панелі кріпиться стандарьне вихідне гніхдо 14. Передня панель кріпиться до рами-шассі чотирьма гвинтами з шайбами М3.
Кожух кришка і нижня кришка виготовлені з алюмінієвого сплаву методом лиття під тиском. В кожусі кришці пророблені пази для вентиляції приладу. Нижня кришка кріпиться до рами-шассі разом з ніжками-стояками болтами М3.
Задня кришка виготовляється з алюмінієвого сплаву методом лиття під тиском. На ній розміщуються клема подачі живлення, клема заземлення і два запобіжники. Задня панель кріпиться до рами-шассі чотирьмома гвинтами М3.
Зовнішній монтаж ведеться за допомогою провідників в поліхлорвініловій ізоляції.
Список літератури
Гершунський Б.С. “Справочник по расчету электронных схем”. – К.: Вища школа, 1983.
Терпугов Р.М. “Расчет транзисторных усилителей”. – М.: Радио и связь, 1981.
Цыкина А.В. “Проектирование транзисторных усилителей низкой частоты”. – М.: Связь, 1967.
“Интегральные микросхемы”. Справочник /Под ред. Тарабрина Б.В. – М.: Радио и связь, 1984.
“Транзисторы для апаратуры широкого применения”. Справочник /Под ред. Перельмана Б.Л. – М.: Радио и связь, 1981.
“Полупроводниковые прибори. Диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы”. Справочник /Под ред. Горнюнова Н.Н. – М.: Энергоиздат, 1983.
Справочник по электрическим конденсаторам /Под ред. Четверткова И.И. и В.Ф. Смирнова. – М.: Радио и связь, 1983.
Справочник “Резисторы” /Под. общ. ред. Четверткова И.И. и Терехова В.М. – М.: Радио и связь, 1991.
“Операционные усилители.Обзор”. Справочник/Под ред.
Перебаскина А.В. – М.: “Додека”, 1994.
Справочник по полупроводниковым приборам / Под ред. Лавриненка В.Ю. – К.: “Техника”, 1984.
Справочник по резисторам и конденсаторам/ Под ред. И. Четверткова, В. Преснякова. – М.: “Патриот”, 1991.
Додаток 3
Поз
познач
Найменування
Кільк
Примітка
Резистори
R1, R3
С2-34-0,25Вт-2,7кОм±0,1%
2
R2, R4
СП5-30-0,125Вт-2,6кОм±0,1%
2
R5
С5-35В-7,5Вт-2550Ом±0,1%
1
R6
ТПМ 6/2
1
R7
СП3-24-0,25Вт-816Ом±10%
1
R8
БЛП-1Вт-720Ом±5%
1
R9
СП3-9-0,5Вт-10кОм±1%
1
R10
С2-14-0,5Вт-100Ом±5%
1
R11
С2-29-0,5Вт-900Ом±5%
1
R12
С2-36-0,125Вт-9кОм±5%
1
R13, R14
С2-29-0,125Вт-53кОм±1%
2
R15
С2-29В-0,125Вт-15кОм±5%
1
R16
С2-34-0,125Вт-40кОм±5%
1
R17
С2-29В-0,125Вт-7900Ом±5%
1
R18
С2-29В-0,125Вт-3900Ом±0,05%
1
R19
С2-14-0,125Вт-2730Ом±5%
1
R20, R21
С2-29В-1Вт-1220Ом±1%
2
R22, R23
С2-34-0,125Вт-220Ом±5%
2
Конденсатори
С1, С5
КТ-1-80В-560пФ±0,2%
2
С2, С6
КМ-5-100В-5600пФ±0,2%
2
С3, С7
КМ-5-70В-56000пФ±0,2%
2
С9
К10-17-40В-225мкФ±5%
1
С10, С11
КМ-6-50В-74000нФ
2
С12
КД-2-250В-9 400 000пФ±5%
1
С13
К50-6-50В-100 000пФ±30%
1
С14
КМ3-250В-100 000 000пФ±5%
1
С15
К10-17-50В-2 200 000пФ±5%
1
С16
К50-31-63В-1000мкФ±30%
1
Діоди
VD1
Д814Д
1
VD2, VD3
Д223
2
VD4, VD5
КД102Б
2
Транзистори
VТ1
КТ503Е
1
VТ2
КТ502Е
1
VТ3
КТ503Е
1
VТ4, VТ5
КТ814Г
2
Мікросхема
DA1
140УД10
1
S1
Перемикач ПМ 5П2Н
1
S2
Перемикач ПМ 11П2Н
1
S3
Мікротумблер Т1 ВРО.360.007ТУ
1
FU1, FU2
Запобіжник ВП1-1-2,5А-100В
2
РА1
Вимірювальний прилад М4228
1
Додаток 4
Позначення
Найменування
Кільк
Примітка
Документація
Пояснювальна записка
1
Принципова схема
1
Друкована плата
1
Перелік елементів
1
Складальне креслення
1
Деталі
1
Плата
1
2
Рама-шассі
1
3
Передня панель
1
4
Задня панель
1
5
Кожух кришка
1
6
Нижня кришка
7
Ніжка стояк
4
8
Шайба
36
9
Гвинт М3 6д838016
16
10
Перемикач ПМ 11П1Н
11
Резистор рег. СП2-66
12
Перемикач ПМ 5П2М
13
Мікротумблер
14
Гніздо СР-5073
15
Клема КП-15ТУ06-1784-32
16, 18
Ручка перемикача
2
17, 19
Ручка регулятора
2
20
Мікроамперметр М4228
1
21
Запобіжник ВП1-1-2,5А-100В
2