Подякувати Студентському архіву довільною сумою
Admin
26.02.2023 12:38
Дякуємо, що користуєтесь нашим архівом!
Інформація про навчальний заклад
ВУЗ:
Національний університет Львівська політехніка
Інститут:
Не вказано
Факультет:
ЗІ
Кафедра:
Не вказано
Інформація про роботу
Рік:
2014
Тип роботи:
Звіт до лабораторної роботи
Предмет:
Електроніка та мікросхемотехніка
Частина тексту файла (без зображень, графіків і формул):
Міністерство освіти і науки України
Національний університет «Львівська Політехніка»
ЗНЯТТЯ ХАРАКТЕРИСТИК І ВИЗНАЧЕННЯ
ПАРАМЕТРІВ ТРАНЗИСТОРА В СХЕМІ ЗІ СПІЛЬНИМ ЕМІТЕРОМ
Звіт до лабораторної роботи № 4
з дисципліни: “Електроніка та мікросхемотехніка”
Мета роботи – вивчення особливостей роботитранзистора в схемі з спільним емітером, зняття вхідних і вихідних статичних характеристик, визначення коефіцієнта підсилення за струмом і вхідного опору.
Основні параметри досліджуваного транзистора
.приUк = const(диференціальний коефіцієнт передачі емітерного струму;
приUк=const(диференціальний опір емітерного переходу , де (Т( температурний потенціал, який залежить від температури і при температурі оточуючого середовища Тос=20оС складає (Т =25 мВ;
приIe = const(диференціальний опір колекторного переходу, для малопотужних транзисторів rк( 1 МОм;
приIe = const(коефіцієнт внутрішнього зворотного зв’язку за напругою, який характеризує вплив Uк на Uе у зв’язку з явищем модуляції товщини бази, ;
rб( об’ємний опір бази, який залежить від конфігурації бази (її активної і пасивної частин) і матеріалу, переважно rб((100 ( 200) Ом;
( ємність (бар’єрна) колекторного переходу;
ік0( тепловий (некерований) струм колектора.
Схема для дослідження, необхідні прилади і деталі
Схема для зняття характеристик транзистора в схемі з спільним емітеромнаведена на рис.3. Для підбору елементів схеми необхідно знати параметри досліджуваного транзистора.
Досліджуваний транзистор, джерела живлення, вимірювальні прилади і потенціометри з'єднують за схемою зображеною на рис.3. Після перевірки схеми приступають до її випробування. Для цього потенціометром R2встановлюють напругу колектор-емітер Uке порядку (50(60)% від максимального значення напруги для досліджуваного транзистора. Підтримуючи цю напругусталою, змінюють напругуUбе (за допомогою потенціометра R1) і стежать за показами приладу, який вимірюєструм бази Іб. Його значення повинно змінюватися в межах, достатніх для зняття вхідної характеристики транзистора. Потім перевіряють можливість зняття вихідної характеристики. Для цього встановлюють повзунок потенціометра R1в середнє положення, задають значення струму бази Ібі підтримують його сталим. Змінюючи напругуUке, стежать за значенням струмуколектораІк, який повинен плавно змінюватися в межах, які дозволяють зняти вихідну статичну характеристику транзистора.
Зняття вхідних статичних характеристик транзистора
Іб=f(Uбе) приUке=const
Таблиця 1.1
Транзистор типу КТ814А
Uке=0, В
Uбе, В
0,1
0,5
0,6
0,615
0,62
0,64
0,7
Іб, мкА
0
2
50
100
150
300
400
U(ке=2, В
Uбе, В
0,1
0,6
0,62
0,64
0,7
0,71
0,72
Іб, мкА
0
10
50
100
150
300
400
Таблиця 1.2
Транзистор типу МП37Б
Uке=0, В
Uбе, В
0,1
0,18
0,21
0,24
0,26
0,3
0,33
Іб, мкА
0
50
100
150
200
300
400
U(ке=2, В
Uбе, В
0,1
0,2
0,245
0,5
0,65
0,78
0,85
Іб, мкА
0
25
50
100
150
200
230
Зняття вихідних статичних характеристик транзистора
Ік=f1 (Uке) приІб=const
Таблиця 2.1
Транзистор типу КТ814А
Іб =20, мкА
Іб =40, мкА
Іб =60, мкА
Іб=80, мкА
Uке, В
Ік, мА
Uке, В
Ік, мА
Uке, В
Ік, мА
Uке, В
Ік, мА
0
0
0
0
0
0
0
0
0,8
3
0,8
0,7
10
5,5
1
8
6
4,2
7,8
2
12
6,5
2
8,75
10
5
10
8
15
7,25
4
9,6
18
6,5
17
16,2
20,5
8
7
11
Таблиця 2.2
Транзистор типу МП37Б
Іб =50, мкА
Іб =100, мкА
Іб =150, мкА
Іб=200, мкА
Uке, В
Ік, мА
Uке, В
Ік, мА
Uке, В
Ік, мА
Uке, В
Ік, мА
0
0,4
0
4,6
0
8,3
0
11,8
10
2,7
1,8
6
6
10
2,2
11,95
14
3,25
10
6,3
10
10,35
10,4
14
18,2
4
17,9
7,9
17,7
12
15,8
16,5
Побудова статичних характеристик транзистора
На основі результатів табл.1 і табл.2, в прямокутній системі координат будуємо сімейства вхідних (а) і вихідних (б) статичних характеристик транзисторів.
Рис. 4.а.1 Вхідна характеристика КТ814А
Рис. 4.б.1 Вихідна характеристика КТ814А
Рис. 4.б.2 Вихідна характеристика МП37Б
Визначення коефіцієнта підсилення за струмом івхідного опору транзистора
Користуючись сімейством вихідних характеристик транзисторавизначаємозначення коефіцієнта підсилення за струмом.
КТ814А
МП37Б
Користуючись сімейством вхідних характеристик транзистора визначаємо вхідний опір транзистора Rвх.
КТ814А
Ом.
МП37Б
Ом.
Висновок
На даній лабораторній роботі я вивчив основні властивостітранзисторів шляхом практичного зняття і дослідження їх вольт-амперних характеристик.За статичними характеристиками визначив коефіцієнт підсилення по струму, та вхідний опір транзисторів.
23.06.2015 00:06-
Ділись своїми роботами та отримуй миттєві бонуси!
0%
Оголошення від адміністратора