Дослідження підсилювальних каскадів на біполярних транзисторах. Звіт до лабораторної роботи з Компонентна база засобів ТЗІ. Робота № 527453

Дослідження підсилювальних каскадів на біполярних транзисторах

Інформація про навчальний заклад

ВУЗ:

Національний університет Львівська політехніка

Інститут:

ІКТА

Факультет:

ЗІ

Кафедра:

Не вказано

Інформація про роботу

Рік:

2015

Тип роботи:

Звіт до лабораторної роботи

Предмет:

Компонентна база засобів ТЗІ

Завантажити

Частина тексту файла (без зображень, графіків і формул):

МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ, МОЛОДІ ТА СПОРТУ УКРАЇНИ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ «ЛЬВІВСЬКА ПОЛІТЕХНІКА» ІКТА кафедра ЗІ ЗВІТ До лабораторної роботи №1 з курсу: «Схемотехніка пристроїв технічного захисту інформації» на тему: «Дослідження підсилювальних каскадів на біполярних транзисторах» Львів 2014 1. Мета роботи Ознайомитися з основними параметрами і характеристиками підсилювальних каскадів на біполярних транзисторах для різних схем увімкнення: зі спільним емітером (СЕ), спільним колектором (СК), спільною базою (СБ). 2. Завдання За допомогою графічного редактора системи схемотехнічного моделювання MicroCap 8 синтезувати підсилювальні каскади на основі біполярного транзистора у схемах увімкнення зі спільним емітером, спільним колектором, спільною базою. Отримати амплітудо-частотні характеристики, визначити коефіцієнти підсилення за напругою, струмом та потужністю, і смугу пропускання підсилювальних каскадів для різних схем увімкнення транзистора. Виявити вплив зміни параметрів пасивних елементів на коефіцієнт підсилення та смугу пропускання підсилювальних каскадів. 3. Порядок виконання роботи За допомогою системи схемотехнічного моделювання Micro-Cap8 (MC8) синтезувати схему підсилювального каскаду у схемі зі СЕ (рис.6,а). Використати n-p-n транзистор марки KТ315V, джерело живлення ЕK=12В, джерело синусоїдального сигналу Еg з амплітудою 0.001В і частотою 1 кГц. Провести аналіз перехідних процесів – часову залежність напруги та струму вхідного і вихідного сигналів. Виявити існування зсуву фази напруги та струму вихідного сигналу. По отриманих значеннях амплітуди вхідного та вихідного сигналів розрахувати KU та KІ. Отримати амплітудо-частотну характеристику підсилювального каскаду зі СЕ. Визначити коефіцієнт підсилення за напругою, за струмом та за потужністю та смугу пропускання підсилювального каскаду зі СЕ на основі отриманих АЧХ. Дослідити вплив пасивних елементів – С1, С2, Rn підсилювального каскаду на АЧХ та смугу пропускання. Повторити пункти 1-6 для підсилювальних каскадів зі СБ (рис.6,б) та зі СК (рис. 6,в). Порівняти коефіцієнти підсилення та смуги пропускання каскадів з різними схемами увімкнення біполярного транзистора. а) б) в) Підсилювальний каскад на біполярному транзисторі: СЕ (а), СБ (б), СК (в) РЕЗУЛЬТАТИ ВИКОНАННЯ РОБОТИ а) Схема зі спільним емітером Часова залежність напруги та струму вхідного і вихідного сигналів Амплітудо-частотна характеристика підсилювального каскаду зі СЕ. Смуга пропускання (Ku) = fв-fн =26,4М - 95,1 (Hz) Смуга пропускання (Ki) = fн - fв = 6.8 – 382K (Hz) Смуга пропускання (Kp) = fн - fв = 90 - 382К (Hz) Вплив пасивних елементів – С1, С2, Rn підсилювального каскаду на АЧХ та смугу пропускання. а) Вплив С1 / б) Вплив С2 / в) Вплив Rn / б) Схема зі спільною базою Часова залежність напруги та струму вхідного і вихідного сигналів Амплітудо-частотна характеристика підсилювального каскаду зі СБ. Смуга пропускання (Ku) = fн - fв = 88 – 15.3М (Hz) Смуга пропускання (Ki) = fн - fв = 5 - 13М (Hz) Смуга пропускання ( Kp) = fн - fв = 87 – 10.6М (Hz) Вплив пасивних елементів – С1, С2, Rn підсилювального каскаду на АЧХ та смугу пропускання. а) Вплив С1 / б) Вплив С2 / в) Вплив Rn / в) Схема зі спільним колектором Часова залежність напруги та струму вхідного і вихідного сигналів Амплітудо-частотна характеристика підсилювального каскаду зі СК. Смуга пропускання (Ku) = fн - fв = 10 –16.8G (Hz) Смуга пропускання (Ki) = fн - fв = 6.3-7M (Hz) Смуга пропускання (Kp) = fн - fв = 12-7M (Hz) Вплив пасивних елементів – С1, С2, Rn підсилювального каскаду на АЧХ та смугу пропускання. а) Вплив С1 / б) Вплив С2 / в) Вплив Rn / Висновок: Я ознайомилася з основними параметрами і характеристиками підсилювальних каскадів на біполярних транзисторах для різних схем увімкнення: зі спільним емітером (СЕ), спільним колектором (СК), спільною базою (СБ).

Звіт до лабораторної роботи Компонентна база засобів ТЗІ

Young

06.12.2015 22:59

Коментарі

Ви не можете залишити коментар. Для цього, будь ласка, або зареєструйтесь.

Ділись своїми роботами та отримуй миттєві бонуси!

поділитись