Частина тексту файла (без зображень, графіків і формул):
МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ
НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ «ЛЬВІВСЬКА ПОЛІТЕХНІКА»
/
ЗВІТ
до лабораторної роботи №5
з навчальної дисципліни
«Компонентна база засобів технічного захисту інформації»
на тему:
«МОДЕЛЮВАННЯ ХАРАКТЕРИСТИК І ВИЗНАЧЕННЯ ПАРАМЕТРІВ БІПОЛЯРНИХ ТРАНЗИСТОРІВ»
Варіант 9
Мета роботи
Ознайомитися з особливостями роботи транзистора в схемі зі спільним емітером, промоделювати вхідні та вихідні статичні характеристики, визначити коефіцієнт підсилення за струмом і вхідний опор, порівняти характеристики транзистора і складеного транзистора.
Завдання
За допомогою графічного редактора системи схемотехнічного моделювання MicroCap 8 ознайомитись з моделями біполярного транзистора. Отримати та дослідити вольт-амперні характеристики біполярного транзистора у семах увімкнення зі спільним емітером та зі спільною базою. Визначити параметри біполярного транзистора.
Умовні графічні позначення біполярних транзисторів п-р-п- та р-п-р –типів:
Створені електричні схеми для дослідження ВАХ біполярних транзисторів для схем увімкнення зі спільною базою та зі спільним емітером:
//
Вхідні та вихідні ВАХ біполярного транзистора для схеми увімкнення зі спільною базою:
/
/
Вхідні та вихідні ВАХ біполярного транзистора для схеми увімкнення зі спільним емітером:
h11Б=0,252
h12Б=0,33
h21Б=0,968
h22Б=0,0056
h11E=162,11
h12E=0,0312
h21E=34,814
h22E=0,002
Висновок
У результаті виконання цієї лабораторної роботи я ознайомилася з особливостями роботи транзистора в схемі зі спільним емітером, промоделювала вхідні та вихідні статичні характеристики, визначила коефіцієнт підсилення за струмом і вхідний опір, порівняла характеристики транзистора і складеного транзистора.