Міністерство освіти і науки України Національний університет « Львівська політехніка» Кафедра фізики ЗВІТ Про виконання лабораторної роботи №30: «Визначення ширини забороненої зони напівпровідників» Львів – 2015 Мета роботи: Визначити ширину забороненої зони напівпровідників за температурної залежності їхньої провідності провідності. Теоретичні відомості та опис установки Як відомо, для власних напівпровідників залежність питомої провідності
від температури
описується виразом
(6.3) (див. §6.2). Цю залежність можна подати так:
, (1) де
( питома провідність власного напівпровідника при
;
( ширина забороненої зони напівпровідника;
( стала Больцмана. Формула (1) описує пряму
(рис.1), тангенс кута нахилу якої до осі абсцис дорівнює:
. Тому ширину
забороненої зони власного напівпровідника можна визначити із співвідношення:
, (2) де
,
– значення ординати прямої
у відповідних точках
і
її абсциси (рис.1). / Досліджуваний зразок має форму паралелепіпеда довжиною 3мм та площею поперечного перерізу 0,1мм2. Таблиця результатів вимірювань і обчислень ЕТ, мВ t, 0C T, K 1/T, K-1 *10^-3 R, Ом σ, Ом-1 ·м-1 ln σ ΔE, еВ  0,2 23 296 3,4 654 45 3,8 0,068   0,4 28 301 3,32 644 46,58 3,84    0,6 30 303 3,3 636 47,1 3,85    0,8 34 307 3,25 626 47,92 3,86    1 35 308 3,24 616 48,7 3,88   1,2 37 310 3,22 607 49,6 3,9    1,4 40 313 3,19 599 50,08 3,91    1,6 42 315 3,17 589 50,93 3,93    1,8 46 319 3,13 579 51,81 3,94    2 49 322 3,10 569 52,72 3,96   2,2 50 323 3,09 560 53,57 3,98    2,4 52 325 3,07 550 54,54 3,99    2,6 56 329 3,03 540 55,55 4,01    2,8 58 331 3,02 531 56,49 4,03    3 62 335 2,9 521 57,58 4,05     Графік залежності
/
L=1*10^-7 S=3*10^-3
=1*10^-7/654*3*10^-3=3*10^4/654=45
=3*10^4/644=46.58
=3*10^4/636=47.31
=3*10^4/626=47.92
=3*10^4/616=48.7
=3*10^4/607=49.6
=3*10^4/599=50.08
=3*10^4/589=50.93
=3*10^4/579=51.81
=3*10^4/569=52.72
=3*10^4/560=53.57
=3*10^4/550=54.54
=3*10^4/540=55.55
==3*10^4/531=56.49
=3*10^4/521=57.58 Висновок: На цій лабораторній роботі я навчився перевіряти ширину забороненої зони напівпровідників за температурної залежності їх провідності.