ДОСЛІДЖЕННЯ ПІДСИЛЮВАЛЬНИХ КАСКАДІВ НА БІПОЛЯРНИХ ТРАНЗИСТОРАХ. Звіт до лабораторної роботи з схемотехніка пристроїв технічного захисту інформації. Робота № 527906

Перехід до торгівельного партнера Binance

ДОСЛІДЖЕННЯ ПІДСИЛЮВАЛЬНИХ КАСКАДІВ НА БІПОЛЯРНИХ ТРАНЗИСТОРАХ

Інформація про навчальний заклад

ВУЗ:

Національний університет Львівська політехніка

Інститут:

Факультет:

ЗІ

Кафедра:

Не вказано

Інформація про роботу

Рік:

2015

Тип роботи:

Звіт до лабораторної роботи

Предмет:

схемотехніка пристроїв технічного захисту інформації

Завантажити

Частина тексту файла (без зображень, графіків і формул):

МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ «ЛЬВІВСЬКА ПОЛІТЕХНІКА» ЗВІТ до лабораторної роботи №1 з курсу: «Схемотехніка пристроїв технічного захисту інформації» на тему: «ДОСЛІДЖЕННЯ ПІДСИЛЮВАЛЬНИХ КАСКАДІВ НА БІПОЛЯРНИХ ТРАНЗИСТОРАХ» 1. Мета роботи Ознайомитися з основними параметрами і характеристиками підсилювальних каскадів на біполярних транзисторах для різних схем увімкнення: зі спільним емітером (СЕ), спільним колектором (СК), спільною базою (СБ). 2. Завдання За допомогою графічного редактора системи схемотехнічного моделювання MicroCap 8 синтезувати підсилювальні каскади на основі біполярного транзистора у схемах увімкнення зі спільним емітером, спільним колектором, спільною базою. Отримати амплітудо-частотні характеристики, визначити коефіцієнти підсилення за напругою, струмом та потужністю і смугу пропускання підсилювальних каскадів для різних схем увімкнення транзистора. Виявити вплив зміни параметрів пасивних елементів на коефіцієнт підсилення та смугу пропускання підсилювальних каскадів. 3.Порядок виконання роботи За допомогою системи схемотехнічного моделювання Micro-Cap8 (MC8) синтезувати схему підсилювального каскаду у схемі зі СЕ (рис.6,а). Використати n-p-n транзистор марки KТ315V, джерело живлення ЕK=12В, джерело синусоїдального сигналу Еg з амплітудою 0.001 В і частотою 1 кГц. Провести аналіз перехідних процесів – часову залежність напруги та струму вхідного і вихідного сигналів. Виявити існування зсуву фази напруги та струму вихідного сигналу. По отриманих значеннях амплітуди вхідного та вихідного сигналів розрахувати KU та KІ. Отримати амплітудо-частотну характеристику підсилювального каскаду зі СЕ. Визначити коефіцієнт підсилення за напругою, за струмом та за потужністю та смугу пропускання підсилювального каскаду зі СЕ на основі отриманих АЧХ. Дослідити вплив пасивних компонентів – С1, С2, Rn підсилювального каскаду на АЧХ та смугу пропускання. Повторити пункти 1– 6 для підсилювальних каскадів зі СБ (рис.6,б) та зі СК (рис. 6,в). Порівняти коефіцієнти підсилення та смуги пропускання каскадів з різними схемами увімкнення біполярного транзистора. / а) / б) /в) Рис.6. Підсилювальний каскад на біполярному транзисторі: СЕ (а), СБ (б), СК (в) СЕ 1. Визначення часової залежністі напруги та струму вхідного і вихідного сигналів СЕ / 2.Амплітудо-частотна характеристика підсилювального каскаду зі СЕ. / Смуга пропускання (Ku) = fв-fн=8,901М – 15,737 (Hz) Смуга пропускання (Ki) = fн - fв = 0,384-6,819K (Hz) Смуга пропускання (Kp) = fн - fв = 0,379 – 9,027К (Hz) 3.Вплив пасивних елементів – С1, С2, Rn підсилювального каскаду на АЧХ та смугу пропускання. С1 / С2 / Rn / СБ 1. Визначення часової залежністі напруги та струму вхідного і вихідного сигналів СБ / Амплітудо-частотна характеристика підсилювального каскаду зі СБ. / Смуга пропускання (Ku) = fн - fв = 17,181 – 8,769М (Hz) Смуга пропускання (Ki) = fн - fв = 17 – 4,5М (Hz) Смуга пропускання ( Kp) = fн - fв = 10,3 – 8.9М (Hz) Вплив пасивних елементів – С1, С2, Rn підсилювального каскаду на АЧХ та смугу пропускання. С1 / б) Вплив С2 / в) Вплив Rn / 1. Визначення часової залежністі напруги та струму вхідного і вихідного сигналів СК / Амплітудо-частотна характеристика підсилювального каскаду зі СК. / Смуга пропускання (Ku) = fн - fв = 16 –1,02G (Hz) Смуга пропускання (Ki) = fн - fв = 0,007-6,608M (Hz) Смуга пропускання (Kp) = fн - fв = 0,008-1,240M (Hz) Вплив пасивних елементів – С1, С2, Rn підсилювального каскаду на АЧХ та смугу пропускання. а) Вплив С1 / б) Вплив С2 / в) Вплив Rn / Висновок: Ознайомився з основними параметрами і характеристиками підсилювальних каскадів на біполярних транзисторах для різних схем увімкнення: зі спільним емітером (СЕ), спільним колектором (СК), спільною базою (СБ).

Звіт до лабораторної роботи схемотехніка пристроїв технічного захисту інформації

Donki

30.03.2016 11:03-

Коментарі

Ви не можете залишити коментар. Для цього, будь ласка, або зареєструйтесь.

Ділись своїми роботами та отримуй миттєві бонуси!

Маєш корисні навчальні матеріали, які припадають пилом на твоєму комп'ютері? Розрахункові, лабораторні, практичні чи контрольні роботи — завантажуй їх прямо зараз і одразу отримуй бали на свій рахунок! Заархівуй всі файли в один .zip (до 100 МБ) або завантажуй кожен файл окремо. Внесок у спільноту – це легкий спосіб допомогти іншим та отримати додаткові можливості на сайті. Твої старі роботи можуть приносити тобі нові нагороди!

поділитись