Інформація про навчальний заклад

ВУЗ:
Національний університет Львівська політехніка
Інститут:
Не вказано
Факультет:
СІ
Кафедра:
Кафедра КСА

Інформація про роботу

Рік:
2015
Тип роботи:
Розрахункова робота
Предмет:
Електроніка та мікросхемотехніка

Частина тексту файла (без зображень, графіків і формул):

Міністерствоосвіти і науки України Національний університет "Львівська політехніка" Кафедра КСА  Розрахункова робота з навчальної дисципліни : “Електроніка і мікросхемотехніка ” Варіант 2.12.1 Львів - 2015 Завдання №2. Для заданої схеми підсилювального каскаду вибрати тип операційного підсилювача і розрахувати значення всіх елементів схеми і вибрати їх номінальні значення і типи згідно з ГОСТом. Розрахувати основні параметри схеми (вхідний і вихідний опори, коефіцієнт підсилення за напругою, похибку коефіцієнта підсилення за напругою, значення дрейфу вихідної напруги) і визначити смугу пропускання частот. № вар. Ег.m (В) RН (кОм) Uвих.m (В) МН (дб) fН (Гц) fВ (кГц) RГ (кОм) TОС (оС)   0,5 0,1 5 3 20 20 1 0 ( + 50  / Розрахунок неінвертуючого підсилювача на операційному підсилювачі Розрахунок починаємо з вибору типу інтегрального операційного підсилювача. Визначаємо максимальну швидкість наростання вихідної напруги, яку повинен забезпечити операційний підсилювач DA1 Вибираємо тип операційного підсилювача, який має такі електричні параметрами: Vмакс; Кu0; (Uзм /ΔT (мкВ/оС); Rвх.д; Rвих.оп; Івх; Rн.мін; Еж. Параметр К140УД6  Коефіцієнт підсилення за напругою (Кu0), тис. 30  Напруга живлення(±Uж),В 15  Струм споживання(Iсп), мА 3  Напруга зміщення(Uзм), мВ 8  Вхідний струм (Iвх), нА 50  Різниця вхідних струмів (ΔІвх), нА 15  Дрейф напруги зміщення (ΔUзм/ΔT), мкВ/оС 20  Частота зрізу,МГц 1  Максимальна швидкість наростання вихідної напруги (Vmax), В/мкс 2  Вхідний диференціальний опір (Rвх.д), МОм 1  Вихідний опір(Rвих), кОм 0,2  Мінімальний опір навантаження (Rн.мін), кОм 1  Вихідна напруга(U±), В 12   Визначаємо необхідне значення коефіцієнта підсилення каскаду за напругою  Задаємося допустимим дрейфом вихідної напруги підсилювального каскаду  і визначаємо значення резистора зворотного зв'язку МОм Приймаємо:  МОм. Резистори загальногоз астосування з металодіелектричним провідним шаром : МОм де ((Івх/(T) − температурний дрейф вхідного струму операційного підсилювача. Приймаємо (Тос− максимальна різниця температур оточуючого середовища  Знаходимо значення резистора R1 з умови забезпечення необхідного коефіцієнта підсилення за напругою для неінвертуючого ввімкнення операційного підсилювача Приймаємо:Резистори загального застосування з металодіелектричним провідним шаром : Розраховуємозначеннявхідного опору для неінвертуючого ввімкнення операційного підсилювача  Визначаємо амплітудне значення струму в навантаженні, яке повинен забезпечити підсилювальний каскад  Максимальний струм, який може забезпечити безпосередньо сам операційний підсилювач, не повинен перевищувати значення  Транзистори VT1 і VT2 забезпечують підсилення за струмом і потужністю і складають схему комплементарний повторювач напруги. Параметри транзисторів повинні відповідати таким вимогам  Вибираємо типи транзисторів VT1 і VT2 , які мають необхідні електричні параметри. Тип транзистора fα, МГц h21e, (β) Ск, пФ τкб, пс Ік.0, мкА Uке.макс, В Ік.доп, А Pк.доп, Вт Rt.пк, оС/Вт  Транзистори кремнієві, провідність(n-p-n)  КТ503А 5 40-120 20  1 25 0,3 0,35 214  Транзистори кремнієві, провідність(p-n-p)  КТ502А 5 40-120 20  1 25 0,3 0,35    Визначаємо вихідний опір повторювача напруги на транзисторах VT1 і VT2  Визначаємо вихідний опір підсилювача з урахуванням загального від'ємного зворотного зв'язку  Вибираємо резистор R2 з умови забезпечення необхідного значення вхідного опору підсилювального каскаду на операційному підсилювачі і усунення впливу опору джерела вхідного сигналу  Приймаємо:Резистори загального застосування з металодіелектричним провідним шаром : Розподіляємо частотні спотворення на нижній частоті між конденсаторами схемиС1 і С2, переводимо частотні спотворення на нижній частоті у відносні одиниці (Мн=100,05·Мн[дб]) і розраховуємо значення ємностей конденсаторів   Приймаємо: Конденсатор керамічний типу:  Приймаємо: Конденсатор оксидний неполярний типу: Визначаємо статичну похибку коефіцієнта підсилення каскаду за напругою  Список літератури: Схемотехніка електронних систем: У3 кн.1 Аналогова схемотехніка та імпульсні пристрої. Підручник / В.І. Бойко, А.М. Гуржій, В.Я. Жуйков та ін. – 2-ге вид.,допов. і переробл. – К.: Вища школа, 2004. ( 366с. Електроніка та мікросхемотехніка / В.І. Сенько, М.В. Панасенко, Є.В. Сенько та ін. ( К.: Обереги.2000. – Т1. ( 299с. Волович Г. И. Схемотехника аналоговых и аналого-цифровых электронных устройств. — М.: Издательский дом «Додэка-ХХI», 2005. — 528 с. Додик С.Д. Полупроводниковые стабилизаторы постоянного напряжения и тока. ( М.: Советское радио, 1980.
Антиботан аватар за замовчуванням

30.05.2016 19:05-

Коментарі

Ви не можете залишити коментар. Для цього, будь ласка, увійдіть або зареєструйтесь.

Ділись своїми роботами та отримуй миттєві бонуси!

Маєш корисні навчальні матеріали, які припадають пилом на твоєму комп'ютері? Розрахункові, лабораторні, практичні чи контрольні роботи — завантажуй їх прямо зараз і одразу отримуй бали на свій рахунок! Заархівуй всі файли в один .zip (до 100 МБ) або завантажуй кожен файл окремо. Внесок у спільноту – це легкий спосіб допомогти іншим та отримати додаткові можливості на сайті. Твої старі роботи можуть приносити тобі нові нагороди!
Нічого не вибрано
0%

Оголошення від адміністратора

Антиботан аватар за замовчуванням

Подякувати Студентському архіву довільною сумою

Admin

26.02.2023 12:38

Дякуємо, що користуєтесь нашим архівом!