Зняття характеристика і визначення параметрів транзистора в схемі зі спільною базою. Звіт про виконання лабораторної роботи з СП. Робота № 529076

Перехід до торгівельного партнера Binance

Зняття характеристика і визначення параметрів транзистора в схемі зі спільною базою

Інформація про навчальний заклад

ВУЗ:

Національний університет Львівська політехніка

Інститут:

Не вказано

Факультет:

СІ

Кафедра:

Кафедра КСА

Інформація про роботу

Рік:

2015

Тип роботи:

Звіт про виконання лабораторної роботи

Предмет:

СП

Завантажити

Частина тексту файла (без зображень, графіків і формул):

Міністерство освіти і науки України Національний університет «Львівська політехніка» Кафедра КСА / ЗВІТ Про виконання лабораторної роботи № 5 Зняття характеристика і визначення параметрів транзистора в схемі зі спільною базою Мета роботи: зняття вхідної і вихідної характеристик транзистора в схемі з спільною базою і визначення його h-параметрів за статичними характеристиками. Електричні параметри деяких типів транзисторів Тип транзистора Максимально допустимий постійний Струм колектора Ік макс, мА Максимально допустима напруга між колектором і емітером Uке макс, В Максимально допустима напруга між колектором і базою Uкб. макс, В Максимально допустима зворотна напруга між емітером і базою Uеб. макс зв, В Максимально допустима потужність, яка розсіюється на колекторі Рк макс, Вт П27 6 5 5 5 30 КТ203А 10 60 60 30 150 ГТ109А 20 6 10 5 30 МП41 20 15 15 15 150 КТ361А 50 25 25 4 150 КТ3107А 100 25 30 5 300 КТ503А 150 25 40 5 350 Схему для зняття характеристик кремнієвого стабілітрона Короткий опис параметрів елементів схеми У схемі є два джерела живлення, що дозволяє незалежно змінювати напругу на емітерному і колекторному переходах. При дослідженні малопотужних транзисторів джерелом е.р.с. E1 може служити сухий елемент чи акумулятор, що дає напругу порядку декількох вольт, а джерелом е.р.с. E2 – батарея чи випрямляч на (20(30) В. Потенціометри R1 і R(1— низькоомний з опором у декілька десятків Ом. Послідовне ввімкнення цих потенціометрів дозволяє плавно змінювати напругу на ділянці емітер-база. Потенціометр R2 — високоомний (одиниці кілоом). Вимірювальні прилади у вхідному і вихідному колах транзистора повинні бути розраховані нa вимірювання постійних струмів і напруг. Доцільно застосовувати прилади магнітоелектричної системи, не забуваючи, що при під’єднанні їх у схему необхідно дотримуватися відповідної полярності. Межі вимірювальних приладів повинні бути зручними для зняття вхідних і вихідних характеристик і залежати від значень струмів і напруг у колах досліджуваного транзистора. Зняття вхідних статичних характеристик транзистора Іе=f ( Uеб ) при Uкб=сonst Кремнієвий транзистор КТ502 Uкб=0, В U(кб=2, В Uбе, В Іе, мА Uбе, В Іе, мА Германієвий транзистор Uкб=0, В U(кб=2, В Uбе, В Іе, мА Uбе, В Іе, мА Зняття вихідних статичних характеристик транзистора Ік= f ( Uкб ) при Іе=сonst Кремнієвий транзистор КТ502 Іе=2, мА І(е=4, мА І((е=6, мА І(((е=8, мА Uкб , В Ік , мА Uкб , В Ік , мА Uкб , В Ік , мА Uкб , В Ік , мА Германієвий транзистор Іе=1, мА І(е=2, мА І((е=3, мА І(((е=4, мА Uкб , В Ік , мА Uкб , В Ік , мА Uкб , В Ік , мА Uкб , В Ік , мА / Рис. 2. Вхідна характеристика кремнієвого транзистора Визначення hб-параметрів за вхідними характеристиками транзистора ℎ 11б = ∆

Звіт про виконання лабораторної роботи СП

vetal32

09.02.2017 02:02-

Коментарі

Ви не можете залишити коментар. Для цього, будь ласка, або зареєструйтесь.

Ділись своїми роботами та отримуй миттєві бонуси!

Маєш корисні навчальні матеріали, які припадають пилом на твоєму комп'ютері? Розрахункові, лабораторні, практичні чи контрольні роботи — завантажуй їх прямо зараз і одразу отримуй бали на свій рахунок! Заархівуй всі файли в один .zip (до 100 МБ) або завантажуй кожен файл окремо. Внесок у спільноту – це легкий спосіб допомогти іншим та отримати додаткові можливості на сайті. Твої старі роботи можуть приносити тобі нові нагороди!

поділитись