Підсилювач низької частоти. Пояснювальна записка до курсового проекту з Електроніка та мікросхемотехніка. Робота № 529107

Перехід до торгівельного партнера Binance

Підсилювач низької частоти

Інформація про навчальний заклад

ВУЗ:

Національний університет Львівська політехніка

Інститут:

Не вказано

Факультет:

РТ

Кафедра:

Комп'ютеризовані системи автоматики

Інформація про роботу

Рік:

2014

Тип роботи:

Пояснювальна записка до курсового проекту

Предмет:

Електроніка та мікросхемотехніка

Завантажити

Частина тексту файла (без зображень, графіків і формул):

МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ Національний університет „Львівська політехніка” Кафедра „Комп’ютеризовані системи автоматики” ПОЯСНЮВАЛЬНА ЗАПИСКА до курсового проекту з навчальної дисципліни „Електроніка та мікросхемотехніка” на тему: “Підсилювач низької частоти” Зміст Вступ…………………………………………………………………………... 3 Технічне завдання………………………………………………………........ 5 Розрахунок електричної принципової схеми…………………………….. 6 2.1. Розрахунок безтрансформаторного вихідного каскаду підсилення потужності…….………………………………………………………………. 6 2.2. Розрахунок транзисторного каскаду в схемі з спільним емітером….… 10 2.3. Розрахунок транзисторного каскаду в схемі з спільним емітером……. 15 2.4. Розрахунок витокового повторювача………………………………....... 20 2.5 Розрахунок площі радіаторів вихідних транзисторів………………….. 23 2.6. Аналіз нелінійних спотворень………………………………………....... 23 Список використаної літератури………………………………………….. 26 Додатки……………………………………………………………………….. 27 Вступ Підсилювачі низької частоти (ПНЧ) призначені для підсилення неперервних періодичних сигналів, частотний спектр яких лежить в межах від десятків герц до десятків кілогерц. Сучасні ПНЧ виконуються переважно на біполярних і польових транзисторах в дискретному або інтегральному виконанні. Призначення ПНЧ в кінцевому підсумку полягає в отриманні на заданому опорі кінцевого навантажувального пристрою необхідної потужності сигналу, що підсилюється. В якості джерела вихідного сигналу можуть використовуватись такі пристрої як мікрофон, звукознімач, фотоелемент, термопара і т. д. Більшість з перерахованих вище джерел вхідного сигналу розвивають дуже низьку напругу. Подавати її безпосередньо на каскад підсилення за потужністю нема сенсу, оскільки при такій малій керуючій напрузі неможливо отримати значні зміни вихідного струму, а тому і вихідної потужності. Тому в склад структурної схеми підсилювача, що створює необхідну потужність корисного сигналу в навантаження, як правило, входять каскади попереднього підсилення. Основними технічними показниками ПНЧ є: коефіцієнт підсилення (за напругою, струмом, потужністю), вхідний і вихідний опори, вихідна потужність, коефіцієнт корисної дії, номінальна вхідна напруга (чутливість), діапазон підсилюваних частот, динамічний діапазон температур, амплітуд і рівень власних шумів, а також показники, що характеризують нелінійні, частотні і фазові спотворення сигналу, що підсилюється. Коефіцієнт підсилення. Коефіцієнтом підсилення за напругою називається величина, що вказує в скільки разів напруга сигналу на виході підсилювача більша ніж на вході. Для багатокаскадних підсилювачів загальний коефіцієнт підсилення дорівнює добутку коефіцієнтів підсилення окремих каскадів: Вхідний і вихідний опір. Вхідний опір підсилювача являє собою опір між вхідними затискачами підсилювача. Вихідний опір визначають між вхідними затискачами підсилювача при відключеному опорі навантаження. Вихідна потужність – це корисна потужність, що забезпечується підсилювачем в навантажувальному опорі. Номінальна вхідна напруга (чутливість) – являє собою напругу, яку необхідно підвести до підсилювача, щоб забезпечити на виході необхідну потужність. Діапазон підсилюваних частот. Діапазон або смуга пропускання підсилювача – це область частот, в якій коефіцієнт змінюється не більше, ніж це допустимо за технічними умовами. Рівень власних завад підсилювача. Причини виникнення завад на виході підсилювальної ланки є різноманітними. Їх можна поділити на три основні групи: теплові шуми, шуми підсилювальних елементів, завади через пульсації напруги живлення і накладок зі сторони електричних і магнітних полів. Спотворення в підсилювачах. При підсиленні електричних сигналів можуть виникнути нелінійні, частотні і фазові спотворення. Нелінійні спотворення являють собою зміну форми кривої підсилених коливань, що викликана нелінійними властивостями схеми. Частотними називаються спотворення, що обумовлені зміною величини коефіцієнта підсилення на різних частотах. Причиною частотних спотворень є наявність в схемі підсилювача реактивних елементів. 1. Технічне завдання Спроектувати підсилювач низької частоти, який відповідає заданим параметрам: потужність на навантаженні Рн=0,25 Вт опір навантаження Rн=4 Ом коефіцієнт гармонік Кг=1 % нижня робоча частота fн=50 Гц верхня робоча частота fв=10 кГц частотні спотворення на низьких частотах Мн=2,5 Дб частотні спотворення на високих частотах Мв=3Дб вхідна напруга Евх=0,3 мВ опір джерела сигналу Rдж=100 кОм діапазон регулювання напруги Др=20 Дб температура оточуючого середовища Тос=0÷+50 0С 2. Розрахунок електричної принципової схеми 2.1. Розрахунок безтрансформаторного вихідного каскаду підсилення потужності Рис.1. Схема безтрансформаторного вихідного каскаду підсилення потужності Розрахунок схеми: Визначимо напругу джерела живлення підсилювача Вибираємо Приймаємо напругу живлення каскаду Максимальний струм колектора вихідних транзисторів: Максимальне амплітудне значення напруги на навантажені: Максимальна потужність, яка розсіюється на колекторі вихідного транзистора: Гранична частота підсилення вихідних транзисторів в схемі зі спільним емітером: Вибираємо типи вихідних транзисторів і : КТ815А Тип транзистора fα, МГц h21e, (β) Ск, пФ τкб, пс Ік.0, мкА Uке.макс, В Ік.доп, А Pк.доп, Вт Rt.пк, оС/Вт Транзистори кремнієві, провідність (n-p-n) КТ815А 3 40 60 50 40 1,5 10 10 Приймаємо Розраховуємо значення резисторів R3 і R4: Приймаємо значення і вибираємо резистори загального застосування з металодіелектричним провідним шаром : С2-23-0.125Вт-680Ом±5% Визначаємо значення опору в колі емітера транзистора VT2 для змінного струму : Розраховуємо амплітудне значення струму колектора, яке повинен забезпечити транзистор VT2 : Визначаємо максимальне амплітудне значення вихідної напруги цього транзистора : Потужність, яка розсіюється на колекторі транзистора VT2 : Вибираємо типи транзисторів VT1, VT2 і : КТ503Б і VT3 : КТ502Б, щоб VT2 і VT3 утворювали комплементарну пару. Тип транзистора fα, МГц h21e, (β) Ск, пФ τкб, пс Ік.0, мкА Uке.макс, В Ік.доп, А Pк.доп, Вт Rt.пк, оС/Вт Транзистори кремнієві, провідність (n-p-n) КТ503Б 5 80-240 20 1 25 0,3 0,35 214 Транзистори кремнієві, провідність (p-n-p) КТ502Б 5 80-240 20 1 25 0,3 0,35 Приймаємо Розраховуємо струм бази транзистора VT2 : Визначаємо амплітудне значення напруги на вході транзистора VT2 : Розраховуємо значення опору резистора : Приймаємо значення і вибираємо резистори загального застосування з металодіелектричним провідним шаром : С2-23-0.125Вт-13кОм±5% Знаходимо значення струму колектора транзистора VT1 в режимі спокою: Розраховуємо значення вхідного опору першого каскаду : де – емітерний опір транзистора VT1, приймаємо : Приймаємо значення і вибираємо резистори загального застосування з металодіелектричним провідним шаром : С2-23-0.125Вт-2кОм±5% Еквівалентний опір навантаження каскаду на VT1 : Визначаємо коефіцієнт підсилення за напругою першого каскаду на транзисторі VT1 : Визначаємо коефіцієнт підсилення вихідного каскаду за напругою на транзисторах VT2-VT5, який зібраний за схемою квазікомплементарного повторювача напруги на складових транзисторах : де і − амплітудні значення напруг база-емітер транзисторів VT2 і VT4 відповідно, які відповідають змінам їх базових струмів при номінальному значенні вихідної потужності. Визначаємо сумарний коефіцієнт підсилення за напругою: Розраховуємо коло зміщення транзистора VT1. Для цього спочатку знаходимо струм бази транзистора VT1 в режимі спокою : Приймаємо струм подільника напруги на резисторах R1 і R2 з наступної умови : Приймаємо Розраховуємо значення резисторів подільника напруги : Приймаємо значення і вибираємо резистори загального застосування з металодіелектричним провідним шаром : С2-23-0.125Вт-110кОм±5% Приймаємо значення і вибираємо резистори загального застосування з металодіелектричним провідним шаром : С2-23-0.125Вт-620кОм±5% Еквівалентний опір базового подільника напруги : Еквівалентний вхідний опір каскаду з врахуванням опору базового подільника напруги : Обчислимо значення опорів резисторів захисту і : Приймаємо значення і вибираємо резистори загального застосування з металодіелектричним провідним шаром : С2-33-0.125Вт-3Ом±5% Визначаємо вихідний опір підсилювача : Розподіляємо частотні спотворення на нижній частоті між конденсаторами схеми переводимо частотні спотворення на нижній частоті у відносні одиниці (Мн=100,05·Мн[дБ] ) і розраховуємо значення ємностей конденсаторів : Приймаємо і вибираємо конденсатор: KМ-6-H90-25В-0.47мкФ±20% Приймаємо і вибираємо конденсатор: K50-16-6.3В-500мкФ±20% Діод VD1 призначений для забезпечення термокомпенсованого зміщення квазікомплементарного повторювача напруги на складових транзисторах. Постійна напруга зміщення такої схеми повторювача в режимі спокою повинна складати і формується за рахунок спадів напруг на діодах VD1 який ввімкнений в прямому напрямку. В якості VD1 вибираємо діод, який виготовлені з того ж матеріалу що і транзистори підсилювального каскаду, для яких при струмі І0к1 = Ід(1-3) пряма напруга приблизно дорівнює напрузі зміщення . Діод вибираємо виходячи із заданих параметрів : , та Вибраний тип напівпровідникового діода : АЛ301А-1 – світлодіод червоний. 2.2. Розрахунок транзисторного каскаду в схемі з спільним емітером Рис.2. Схема підсилювального каскаду в схемі з спільним емітером Визначаємо амплітудне значення струму в навантаженні: Задаємося значенням струму колектора транзистора в режимі спокою: Приймаємо номінальне значення струму спокою колектора транзистора Знаходимо мінімальне значення напруги між колектором і емітером транзистора: де – напруга насичення транзистора, яка залежить від значення колекторного струму і матеріалу з якого виготовлений транзистор. Переважно напруга насичення для малопотужного транзистора складає Приймаємо Задаємося спадом напруги на емітерному резисторі , при цьому використовуємо такий вираз і записуємо вираз для значення напруги живлення підсилювального каскаду: Звідси отримуємо формулу для напруги живлення підсилювального каскаду Приймаємо напругу живлення каскаду Вибираємо транзистор типу KT201Г. Тип транзистора fα, МГц h21e, (β) Ск, пФ τкб, пс Ік.0, мкА Uке.макс, В Ік.доп, А Pк.доп, Вт Rt.пк, оС/Вт Транзистори кремнієві, провідність (n-p-n) КТ201Г 10 70-210 20 1 10 0,02 0,15 556 Приймаємо Розраховуємо значення емітерного резистора: Приймаємо значення і вибираємо резистори загального застосування з металодіелектричним провідним шаром : С2-23-0.125Вт-1,8кОм±5% Розраховуємо значення колекторного резистора: Приймаємо значення і вибираємо резистори загального застосування з металодіелектричним провідним шаром : С2-23-0.125Вт-2,7кОм±5% Визначаємо струм бази транзистора в режимі спокою: Задаємося струмом базового подільника напруги і розраховуємо значення опорів резисторів і : Приймаємо значення і вибираємо резистори загального застосування з металодіелектричним провідним шаром : С2-23-0.125Вт-36кОм±5% Приймаємо значення і вибираємо резистори загального застосування з металодіелектричним провідним шаром : С2-23-0.125Вт-33кОм±5% Визначаємо еквівалентний опір базового подільника напруги: Розраховуємо значення коефіцієнта температурної нестабільності: Розраховуємо значення приросту некерованого струму колектора при зміні температури в заданому діапазоні . Для кремнієвих транзисторів: де – значення некерованого струму колектора транзистора. При температурі для транзистора типу КТ201Г : . Розраховуємо значення приросту струму колектора від зміщення вхідної характеристики транзистора при зміні температури оточуючого середовища в заданому діапазоні: де – температурний коефіцієнт зміщення вхідної характеристики транзистора, який для германієвих і кремнієвих транзисторів приблизно дорівнює – 2 мВ/ oC. Розраховуємо значення приросту струму колектора від зміни коефіцієнта підсилення транзистора за струмом в схемі з спільною базою при зміні температури оточуючого середовища на : де – температурний коефіцієнт відносної зміни коефіцієнта підсилення транзистора за струмом в схемі з спільною базою, який для малопотужних транзисторів складає 2·10-4 (1/oC). Сумарний приріст колекторного струму при зміні температури від дії дестабілізуючих факторів при ідеальній термостабілізації Реальний приріст колекторного струму в режимі спокою при зміні температури від дії дестабілізуючих факторів для заданої схеми термостабілізації: Вважаємо, що такий приріст струму колектора в режимі спокою забезпечить достатню температурну стабільність каскаду за постійним струмом при зміні температури оточуючого середовища в заданому діапазоні. Розрахунок транзисторного каскаду в схемі з спільним емітером за змінним струмом Визначаємо дифузійний опір емітерного переходу транзистора для змінного струму: де – температурний потенціал n-p переходу (при Тос=20оС : ). Дифузійний опір бази транзистора: Визначаємо загальний опір бази транзистора: де – об’ємний опір бази, для кремнієвих транзисторів Визначаємо вхідний опір каскаду для змінного струму в схемі з спільним емітером: Еквівалентний опір навантаження каскаду для змінного струму: Визначаємо модуль коефіцієнта підсилення каскаду за напругою: де – опір джерела вхідного сигналу. Приймаємо . Визначаємо еквівалентний вхідний опір каскаду з урахуванням впливу базового подільника напруги: Визначаємо коефіцієнт підсилення каскаду за струмом: де – опір колекторного переходу транзистора для схеми з спільним емітером, Визначаємо вихідний опір каскаду для змінного струму. Значення ємностей розділювальних конденсаторів визначаємо з умови забезпечення необхідного рівня частотних спотворень на низьких частотах. Приймаємо, що сумарний рівень частотних спотворень каскаду на низьких частотах Мн, які вносяться підсилювальним каскадом буде складати Приймаємо і вибираємо конденсатор: K53-7-15В-4,7мкФ±20% Приймаємо і вибираємо конденсатор: K50-16-10В-200мкФ±20% – вихідний опір какаду для схеми з спільним колектором. де – еквівалентний опір зовнішнього кола на вході підсилювального каскаду 2.3. Розрахунок транзисторного каскаду в схемі з спільним емітером Рис.2. Схема підсилювального каскаду в схемі з спільним емітером Визначаємо амплітудне значення струму в навантаженні: Задаємося значенням струму колектора транзистора в режимі спокою: Приймаємо номінальне значення струму спокою колектора транзистора Знаходимо мінімальне значення напруги між колектором і емітером транзистора: де – напруга насичення транзистора, яка залежить від значення колекторного струму і матеріалу з якого виготовлений транзистор. Переважно напруга насичення для малопотужного транзистора складає Приймаємо Задаємося спадом напруги на емітерному резисторі , при цьому використовуємо такий вираз і записуємо вираз для значення напруги живлення підсилювального каскаду: Звідси отримуємо формулу для напруги живлення підсилювального каскаду Приймаємо напругу живлення каскаду Вибираємо транзистор типу KT201Г. Тип транзистора fα, МГц h21e, (β) Ск, пФ τкб, пс Ік.0, мкА Uке.макс, В Ік.доп, А Pк.доп, Вт Rt.пк, оС/Вт Транзистори кремнієві, провідність (n-p-n) КТ201Г 10 70-210 20 1 10 0,02 0,15 556 Приймаємо Розраховуємо значення емітерного резистора: Приймаємо значення і вибираємо резистори загального застосування з металодіелектричним провідним шаром : С2-23-0.125Вт-1,8кОм±5% Розраховуємо значення колекторного резистора: Приймаємо значення і вибираємо резистори загального застосування з металодіелектричним провідним шаром : С2-23-0.125Вт-3,3кОм±5% Визначаємо струм бази транзистора в режимі спокою: Задаємося струмом базового подільника напруги і розраховуємо значення опорів резисторів і : Приймаємо значення і вибираємо резистори загального застосування з металодіелектричним провідним шаром : С2-23-0.125Вт-36кОм±5% Приймаємо значення і вибираємо резистори загального застосування з металодіелектричним провідним шаром : С2-23-0.125Вт-33кОм±5% Визначаємо еквівалентний опір базового подільника напруги: Розраховуємо значення коефіцієнта температурної нестабільності: Розраховуємо значення приросту некерованого струму колектора при зміні температури в заданому діапазоні . Для кремнієвих транзисторів: де – значення некерованого струму колектора транзистора. При температурі для транзистора типу КТ201Г : . Розраховуємо значення приросту струму колектора від зміщення вхідної характеристики транзистора при зміні температури оточуючого середовища в заданому діапазоні: де – температурний коефіцієнт зміщення вхідної характеристики транзистора, який для германієвих і кремнієвих транзисторів приблизно дорівнює – 2 мВ/ oC. Розраховуємо значення приросту струму колектора від зміни коефіцієнта підсилення транзистора за струмом в схемі з спільною базою при зміні температури оточуючого середовища на : де – температурний коефіцієнт відносної зміни коефіцієнта підсилення транзистора за струмом в схемі з спільною базою, який для малопотужних транзисторів складає 2·10-4 (1/oC). Сумарний приріст колекторного струму при зміні температури від дії дестабілізуючих факторів при ідеальній термостабілізації Реальний приріст колекторного струму в режимі спокою при зміні температури від дії дестабілізуючих факторів для заданої схеми термостабілізації: Вважаємо, що такий приріст струму колектора в режимі спокою забезпечить достатню температурну стабільність каскаду за постійним струмом при зміні температури оточуючого середовища в заданому діапазоні. Розрахунок транзисторного каскаду в схемі з спільним емітером за змінним струмом Визначаємо дифузійний опір емітерного переходу транзистора для змінного струму: де – температурний потенціал n-p переходу (при Тос=20оС : ). Дифузійний опір бази транзистора: Визначаємо загальний опір бази транзистора: де – об’ємний опір бази, для кремнієвих транзисторів Визначаємо вхідний опір каскаду для змінного струму в схемі з спільним емітером: Еквівалентний опір навантаження каскаду для змінного струму: Визначаємо модуль коефіцієнта підсилення каскаду за напругою: де – опір джерела вхідного сигналу. Приймаємо . Визначаємо еквівалентний вхідний опір каскаду з урахуванням впливу базового подільника напруги: Визначаємо коефіцієнт підсилення каскаду за струмом: де – опір колекторного переходу транзистора для схеми з спільним емітером, Визначаємо вихідний опір каскаду для змінного струму. Значення ємностей розділювальних конденсаторів визначаємо з умови забезпечення необхідного рівня частотних спотворень на низьких частотах. Приймаємо, що сумарний рівень частотних спотворень каскаду на низьких частотах Мн, які вносяться підсилювальним каскадом буде складати : Приймаємо і вибираємо конденсатор: K53-7-15В-4,7мкФ±20% Приймаємо і вибираємо конденсатор: K50-16-10В-200мкФ±20% – вихідний опір какаду для схеми з спільним колектором. де – еквівалентний опір зовнішнього кола на вході підсилювального каскаду 2.4. Розрахунок витокового повторювача напруги Схема підсилювального каскаду в схемі з спільним стоком має значно більший вхідний опір ніж схема з спільним витоком. Цю схему часто називають також витоковим повторювачем напруги, оскільки її коефіцієнт підсилення за напругою менший від одиниці. Основна перевага схеми витокового повторювача напруги – це велике значення вхідного опору і мала вхідна ємність. Вплив вхідної ємності різко зменшується, особливо коли коефіцієнт підсилення за напругою прямує до одиниці Рис.3. Схема вхідного каскаду на польовому транзисторі Визначаємо амплітудне значення струму в навантаженні: Задаємось значенням струму стоку транзистора в режимі спокою з умови: Приймаємо номінальне значення струму спокою стоку транзистора Знаходимо мінімальне значення напруги між витоком і стоком транзистора в режимі спокою: де – напруга насичення транзистора, яка залежить від значення струму стоку і типу транзистора. Переважно напруга насичення для малопотужного польового транзистора складає Визначаємо напругу живлення каскаду Приймаємо значення напруги живлення . При виборі типу транзистора керуємося такими вимогами: Вибираємо транзистор типу КП103 К. Тип транзистора Іс.макс, мА S, мА/В Uсв.макс, В Uвід, В Сзв, пФ Сзс, пФ Із.вит, нА rсв, кОм Pс.доп, мВт Транзистори польові з керуючим n-p переходом і каналом p - типу КП103 К 1-5,5 1-3 10 1,4-2 20 8 20 66 Розраховуємо значення опору резистора в колі витоку: Приймаємо значення і вибираємо резистори загального застосування з металодіелектричним провідним шаром : С2-23-0.125Вт-2,4кОм±5% Визначаємо початкове зміщення між затвором і витоком транзистора: . Визначаємо напругу на затворі в режимі спокою: Вибираємо струм подільника напруги в колі затвору з умови . Приймаємо і розраховуємо значення опорів резисторів подільника Приймаємо значення і вибираємо резистори загального застосування з металодіелектричним провідним шаром : С2-23-0.125Вт-680кОм±5% Приймаємо значення і вибираємо резистори загального застосування з металодіелектричним провідним шаром : С2-23-0.125Вт-1,8МОм±5% Визначаємо еквівалентний опір вхідного подільника напруги: Розраховуємо коефіцієнт підсилення каскаду за напругою: де – еквівалентний опір навантаження каскаду: Визначаємо значення вхідної ємності каскаду: Вхідний опір схеми має чисто ємнісний характер, а ємнісна складова вхідного опору буде дорівнювати: Мінімальне значення повного вхідного опору каскаду: Значення вихідного опору залежить від значення Rв, також від крутизни польового транзистора S : Витоковий повторювач напруги не дозволяє отримувати таких низьких значень вихідного опору, як у емітерного повторювача напруги, але його вихідний опір не залежить від внутрішнього опору джерела вхідного сигналу. Сумарний рівень частотних спотворень на низьких частотах Мн, які вносяться підсилювальним каскадом буде складати: Мн1[дБ] = 0,5 дБ. Значення ємності розділювального конденсатора визначаємо з умови забезпечення необхідного рівня частотних спотворень на низьких частотах. Приймаємо і вибираємо конденсатор: KЛС-1-Н90-35В-0,068мкФ±20% 2.5. Розрахунок площі радіаторів вихідних транзисторів Для забезпечення нормального температурного режиму транзистори вихідного каскаду розміщуються на радіаторах. Однак, оскільки максимальна потужність розсіювання на вихідних транзисторах не перевищує 1 Вт, то встановлювати ці транзистори на радіаторах у даному випадку не потрібно. 2.6. Аналіз нелінійних спотворень підсилювача Аналіз нелінійних спотворень ведемо для транзистора КТ815А, ввімкненого у схемі зі спільним емітером, який працює у класі B. Динамічні навантажувальні прямі для змінного та постійного струмів даного каскаду збігаються. Вибір положення робочої точки : Для змінного струму : Точка a : Точка b : Вихідні та вхідні статичні характеристики транзистора КТ815А та динамічна навантажувальна пряма для постійного ( ab ) та змінного струмів : / Струми колектора: Струми бази: Визначені напруги база-емітер: Розрахунок значень напруг джерела живлення Наскрізна динамічна характеристика : Визначаємо з графіка значення струмів : Розрахунок коефіцієнта гармонік : Правильність обчислення знайдених струмів можна перевірити за формулою : Підставляючи знайдені значення струмів І1m, І2m, І3m, І4m в формулу для коефіцієнта гармонік, розраховуємо значення коефіцієнта гармонік : Коефіцієнт гармонік із врахуванням зворотного зв’язку: 3. Список використаної літератури Цыкина А.В. Электронные усилители.- М.: Радио и связь, 1982. Проектирование транзисторных усилителей звуковых частот. Под ред. Н.Л. Безладнова. - М.: Связь, 1978. Гершунский Б.С. Справочник по расчету электронных схем. - Киев: Вища школа, 1983. Транзисторы для аппаратуры широкого применения. Справочник под ред. Б.Л. Перельмана. - М.: Радио и связь, 1981. Полупроводниковые приборы: диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы. Справочник. Под общей ред. Н.Н. Горюнова. - М.: Энергоиздат, 1982. Резисторы. Справочник - Под ред. Четверткова И.И. - М.: Энергоиздат, 1981. Справочник по электрическим конденсаторам. Под общей ред. Четверткова И.И. - М.: Радио и связь, 1983. Конструирование и технология печатных плат. Под заглавием авторов: Жигалов А.Т., Котов Е.П. и др. - М.: Высшая школа, 1973. Усатенко С.Т. Графическое изображение электрорадиосхем: Справочник. - К.: Техніка, 1986.

Пояснювальна записка до курсового проекту Електроніка та мікросхемотехніка

hasterbob

22.02.2017 09:02-

Коментарі

Ви не можете залишити коментар. Для цього, будь ласка, або зареєструйтесь.

Ділись своїми роботами та отримуй миттєві бонуси!

Маєш корисні навчальні матеріали, які припадають пилом на твоєму комп'ютері? Розрахункові, лабораторні, практичні чи контрольні роботи — завантажуй їх прямо зараз і одразу отримуй бали на свій рахунок! Заархівуй всі файли в один .zip (до 100 МБ) або завантажуй кожен файл окремо. Внесок у спільноту – це легкий спосіб допомогти іншим та отримати додаткові можливості на сайті. Твої старі роботи можуть приносити тобі нові нагороди!

поділитись