Дослідження схеми на біполярному транзисторі. Звіт до лабораторної роботи з Основи проектування та САПР. Робота № 529146

Дослідження схеми на біполярному транзисторі

Інформація про навчальний заклад

ВУЗ:

Національний університет Львівська політехніка

Інститут:

Не вказано

Факультет:

РТ

Кафедра:

Кафедра КСА

Інформація про роботу

Рік:

2017

Тип роботи:

Звіт до лабораторної роботи

Предмет:

Основи проектування та САПР

Завантажити

Частина тексту файла (без зображень, графіків і формул):

Міністерство освіти і науки України Національний університет «Львівська політехніка» Кафедра КСА / Звіт до лабораторної роботи № 1 з курсу «Основи проектування та САПР» Дослідження схеми на біполярному транзисторі Мета роботи: дослідити схеми біполярних транзисторах, дослідити вплив вхідних параметрів. Дослідити характеристики біполярного транзистора. Теоретична частина Серед напівпровідникових приладів важливе місце займає біполярний транзистор, який застосовується для підсилення і перетворення електричних сигналів і має три виводи. Найбільше розповсюдження отримали транзистори з двома n-p переходами, які називають біполярними, оскільки їх робота основана на використанні носіїв заряду обох знаків. Структура і умовне позначення біполярного транзистора зображені на рис.1. Транзистор побудований на основі напівпровідникової монокристалічної пластини, в якій створені три області з різною електропровідністю. Для прикладу на рис.1.а зображений транзистор з електропровідністю типу n–p–n, середня область якого має діркову p, а дві крайні – електронну n електропровідність. Широко застосовуються також транзистори з електропровідністю типу p–n–p, в яких діркову p електропровідність мають дві крайні області, а середня область має електронну n електропровідність. Середня область транзистора називається базою, одна крайня область – емітером, а друга – колектором. Таким чином транзистор має два n –p переходи: емітерний – між емітером і базою і колекторний – між базою і колектором. Віддаль між цими переходами повинна бути дуже малою (одиниці мікрометра), окрім цього концентрація домішок в базі завжди на декілька порядків менша ніж в емітері і колекторі. Схеми для дослідження Рисунок 2- Схема без корекції Рисунок 3 - Схема з корекцією Моделювання електронних схем у системі Elektronics Workbench / Результати моделювання // / Моделювання електронних схем у системі Elektronics Workbench / Результати моделювання // / Висновок: виконавши цю лабораторну роботу можна зробити висновок про те, що результати моделювання в середовищі Elektronics Workbench не відповідає реальним даним.

Звіт до лабораторної роботи Основи проектування та САПР

hasterbob

10.03.2017 17:27

Коментарі

Ви не можете залишити коментар. Для цього, будь ласка, або зареєструйтесь.

Ділись своїми роботами та отримуй миттєві бонуси!

поділитись