DevioLabавтоматичне керування капіталом
ПРАЦЮЄ 24/7
КРИПТОВАЛЮТИ · АКЦІЇ · 10 БІРЖ

Портфель, який керується автоматично

DevioLab підбирає стратегії, відстежує ринки та автоматизує купівлю і продаж активів. Кількість доступних криптовалют, акцій і торгових можливостей зростає щодня.

10підключених біржCrypto + Stocksв одному портфелі24/7автоматичний контроль

Дослідження схеми на біполярному транзисторі

Інформація про навчальний заклад

ВУЗ:
Національний університет Львівська політехніка
Інститут:
Інститут комп’ютерних технологій, автоматики та метрології
Факультет:
РТ
Кафедра:
Кафедра комп’ютеризованих систем автоматики

Інформація про роботу

Рік:
2017
Тип роботи:
Звіт до лабораторної роботи
Предмет:
Основи проектування та САПР
Група:
КН-11
Коротко про документ

Про що ця робота

У документі наведено звіт до лабораторної роботи з дослідження характеристик біполярного транзистора. Здійснено моделювання електронних схем у системі Electronics Workbench.

У роботі розглядаються

  • База
  • Моделювання електронних схем
  • Electronics Workbench

Зміст і розділи

  1. Мета роботи
  2. Теоретична частина
  3. Схеми для дослідження
  4. Результати моделювання
  5. Висновок
Для кого:Студенти технічних спеціальностей вищих навчальних закладів
Викладачі:Мичуда

Ключові поняття

базаn-p перехіделектропровідністьмоделюванняElectronics Workbenchкорекціяелектричний сигнал

Частина тексту файла (без зображень, графіків і формул):

Міністерство освіти і науки України Національний університет «Львівська політехніка» Кафедра КСА / Звіт до лабораторної роботи № 1 з курсу «Основи проектування та САПР» Дослідження схеми на біполярному транзисторі Мета роботи: дослідити схеми біполярних транзисторах, дослідити вплив вхідних параметрів. Дослідити характеристики біполярного транзистора. Теоретична частина Серед напівпровідникових приладів важливе місце займає біполярний транзистор, який застосовується для підсилення і перетворення електричних сигналів і має три виводи. Найбільше розповсюдження отримали транзистори з двома n-p переходами, які називають біполярними, оскільки їх робота основана на використанні носіїв заряду обох знаків. Структура і умовне позначення біполярного транзистора зображені на рис.1. Транзистор побудований на основі напівпровідникової монокристалічної пластини, в якій створені три області з різною електропровідністю. Для прикладу на рис.1.а зображений транзистор з електропровідністю типу n–p–n, середня область якого має діркову p, а дві крайні – електронну n електропровідність. Широко застосовуються також транзистори з електропровідністю типу p–n–p, в яких діркову p електропровідність мають дві крайні області, а середня область має електронну n електропровідність. Середня область транзистора називається базою, одна крайня область – емітером, а друга – колектором. Таким чином транзистор має два n –p переходи: емітерний – між емітером і базою і колекторний – між базою і колектором. Віддаль між цими переходами повинна бути дуже малою (одиниці мікрометра), окрім цього концентрація домішок в базі завжди на декілька порядків менша ніж в емітері і колекторі. Схеми для дослідження  Рисунок 2- Схема без корекції  Рисунок 3 - Схема з корекцією Моделювання електронних схем у системі Elektronics Workbench / Результати моделювання // / Моделювання електронних схем у системі Elektronics Workbench / Результати моделювання // / Висновок: виконавши цю лабораторну роботу можна зробити висновок про те, що результати моделювання в середовищі Elektronics Workbench не відповідає реальним даним.
Допоможи студентському архіву

Ми допомогли тобі — допоможи наступному студенту

Файл ще не обрано

Оголошення від адміністратора

Антиботан аватар за замовчуванням

Подякувати Студентському архіву довільною сумою

Admin

26.02.2023 12:38

Дякуємо, що користуєтесь нашим архівом!