Дослідження схеми на біполярному транзисторі. Звіт до лабораторної роботи з Основи проектування та САПР. Робота № 529146

Перехід до торгівельного партнера Binance

Дослідження схеми на біполярному транзисторі

Інформація про навчальний заклад

ВУЗ:

Національний університет Львівська політехніка

Інститут:

Не вказано

Факультет:

РТ

Кафедра:

Кафедра КСА

Інформація про роботу

Рік:

2016

Тип роботи:

Звіт до лабораторної роботи

Предмет:

Основи проектування та САПР

Завантажити

Частина тексту файла (без зображень, графіків і формул):

Міністерство освіти і науки України Національний університет «Львівська політехніка» Кафедра КСА / Звіт до лабораторної роботи № 1 з курсу «Основи проектування та САПР» Дослідження схеми на біполярному транзисторі Мета роботи: дослідити схеми біполярних транзисторах, дослідити вплив вхідних параметрів. Дослідити характеристики біполярного транзистора. Теоретична частина Серед напівпровідникових приладів важливе місце займає біполярний транзистор, який застосовується для підсилення і перетворення електричних сигналів і має три виводи. Найбільше розповсюдження отримали транзистори з двома n-p переходами, які називають біполярними, оскільки їх робота основана на використанні носіїв заряду обох знаків. Структура і умовне позначення біполярного транзистора зображені на рис.1. Транзистор побудований на основі напівпровідникової монокристалічної пластини, в якій створені три області з різною електропровідністю. Для прикладу на рис.1.а зображений транзистор з електропровідністю типу n–p–n, середня область якого має діркову p, а дві крайні – електронну n електропровідність. Широко застосовуються також транзистори з електропровідністю типу p–n–p, в яких діркову p електропровідність мають дві крайні області, а середня область має електронну n електропровідність. Середня область транзистора називається базою, одна крайня область – емітером, а друга – колектором. Таким чином транзистор має два n –p переходи: емітерний – між емітером і базою і колекторний – між базою і колектором. Віддаль між цими переходами повинна бути дуже малою (одиниці мікрометра), окрім цього концентрація домішок в базі завжди на декілька порядків менша ніж в емітері і колекторі. Схеми для дослідження Рисунок 2- Схема без корекції Рисунок 3 - Схема з корекцією Моделювання електронних схем у системі Elektronics Workbench / Результати моделювання // / Моделювання електронних схем у системі Elektronics Workbench / Результати моделювання // / Висновок: виконавши цю лабораторну роботу можна зробити висновок про те, що результати моделювання в середовищі Elektronics Workbench не відповідає реальним даним.

Звіт до лабораторної роботи Основи проектування та САПР

hasterbob

10.03.2017 17:03-

Коментарі

Ви не можете залишити коментар. Для цього, будь ласка, або зареєструйтесь.

Ділись своїми роботами та отримуй миттєві бонуси!

Маєш корисні навчальні матеріали, які припадають пилом на твоєму комп'ютері? Розрахункові, лабораторні, практичні чи контрольні роботи — завантажуй їх прямо зараз і одразу отримуй бали на свій рахунок! Заархівуй всі файли в один .zip (до 100 МБ) або завантажуй кожен файл окремо. Внесок у спільноту – це легкий спосіб допомогти іншим та отримати додаткові можливості на сайті. Твої старі роботи можуть приносити тобі нові нагороди!

поділитись