МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ «ЛЬВІВСЬКА ПОЛІТЕХНІКА» ІКТА Кафедра ЗІ / Звіт до лабораторної роботи №4 з курсу: «Компонентна база засобів технічного захисту інформації» на тему: «Моделювання характеристик напівпровідникових діодів» ЛЬВІВ 2017 Метою роботи є ознайомлення з основними параметрами і характеристиками напівпровідникових діодів, дослідити їх вольт-амперні характеристики. Ознайомитись з випрямними властивостями діода. Завдання За допомогою графічного редактора системи схемотехнічного моделювання MicroCap 8 ознайомитись з моделями діода та стабілітрона. Отримати та дослідити вольт-амперні характеристики діода та стабілітрона. Дослідити роботу діода у схемі однопівперіодного випрямляча. Послідовність виконання роботи Дослідження вольт-амперних характеристик діода / Рис. 1.1 Схема для дослідження вольт-амперних характеристик діода / Рис. 1.2. ВАХ діода З даних характеристики видно, що напруга пробою складає -50.47В, а порогова напруга складає 0.88В. Дослідження вольт-амперних характеристик кремнієвого стабілітрона / Рис. 1.1 Схема для дослідження вольт-амперних характеристик стабілітрона / Рис. 2.2 ВАХ стабілітрона З даних характеристик видно, що напруга пробою дорівнює -7.24 В, а напруга порогова рівна 0.66 В. Дослідження випрямних властивостей діода, використовуючи джерело синусоїдальної напруги V1 з частотою f=50Гц та амплітудою А=30 В. / Рис. 3.1 Схема дослідження для випрямних властивостей діода / Рис. 3.2 Осцилограми напруги та струму на резисторі навантаження Висновок: Прямий струм дорівнюватиме нулю доти, поки напруга не досягне відповідного значення, за якого струм почне швидко збільшуватись зі збільшенням прикладеної напруги. За високих зворотних напруг напівпровідниковим діодам властивий пробій р-n–переходу – явище різкого збільшення диференціальної провідності р-n–переходу у разі досягнення зворотною напругою (струмом) критичного для конкретного приладу значення