Моделювання характеристик напівпровідникових діодів. Звіт до лабораторної роботи з Компонентна база засобів технічного захисту інформації. Робота № 529220

Перехід до торгівельного партнера Binance

Моделювання характеристик напівпровідникових діодів

Інформація про навчальний заклад

ВУЗ:

Національний університет Львівська політехніка

Інститут:

ІКТА

Факультет:

ЗІ

Кафедра:

Не вказано

Інформація про роботу

Рік:

2024

Тип роботи:

Звіт до лабораторної роботи

Предмет:

Компонентна база засобів технічного захисту інформації

Завантажити

Частина тексту файла (без зображень, графіків і формул):

МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ «ЛЬВІВСЬКА ПОЛІТЕХНІКА» ІКТА Кафедра ЗІ / Звіт до лабораторної роботи №4 з курсу: «Компонентна база засобів технічного захисту інформації» на тему: «Моделювання характеристик напівпровідникових діодів» ЛЬВІВ 2017 Метою роботи є ознайомлення з основними параметрами і характеристиками напівпровідникових діодів, дослідити їх вольт-амперні характеристики. Ознайомитись з випрямними властивостями діода. Завдання За допомогою графічного редактора системи схемотехнічного моделювання MicroCap 8 ознайомитись з моделями діода та стабілітрона. Отримати та дослідити вольт-амперні характеристики діода та стабілітрона. Дослідити роботу діода у схемі однопівперіодного випрямляча. Послідовність виконання роботи Дослідження вольт-амперних характеристик діода / Рис. 1.1 Схема для дослідження вольт-амперних характеристик діода / Рис. 1.2. ВАХ діода З даних характеристики видно, що напруга пробою складає -50.47В, а порогова напруга складає 0.88В. Дослідження вольт-амперних характеристик кремнієвого стабілітрона / Рис. 1.1 Схема для дослідження вольт-амперних характеристик стабілітрона / Рис. 2.2 ВАХ стабілітрона З даних характеристик видно, що напруга пробою дорівнює -7.24 В, а напруга порогова рівна 0.66 В. Дослідження випрямних властивостей діода, використовуючи джерело синусоїдальної напруги V1 з частотою f=50Гц та амплітудою А=30 В. / Рис. 3.1 Схема дослідження для випрямних властивостей діода / Рис. 3.2 Осцилограми напруги та струму на резисторі навантаження Висновок: Прямий струм дорівнюватиме нулю доти, поки напруга не досягне відповідного значення, за якого струм почне швидко збільшуватись зі збільшенням прикладеної напруги. За високих зворотних напруг напівпровідниковим діодам властивий пробій р-n–переходу – явище різкого збільшення диференціальної провідності р-n–переходу у разі досягнення зворотною напругою (струмом) критичного для конкретного приладу значення

Звіт до лабораторної роботи Компонентна база засобів технічного захисту інформації

broflovskyk

19.03.2017 17:03-

Коментарі

Ви не можете залишити коментар. Для цього, будь ласка, або зареєструйтесь.

Ділись своїми роботами та отримуй миттєві бонуси!

Маєш корисні навчальні матеріали, які припадають пилом на твоєму комп'ютері? Розрахункові, лабораторні, практичні чи контрольні роботи — завантажуй їх прямо зараз і одразу отримуй бали на свій рахунок! Заархівуй всі файли в один .zip (до 100 МБ) або завантажуй кожен файл окремо. Внесок у спільноту – це легкий спосіб допомогти іншим та отримати додаткові можливості на сайті. Твої старі роботи можуть приносити тобі нові нагороди!

поділитись