Дослідження приладів на основі P-N переходів. Звіт до лабораторної роботи з Електроніка та мікросхемотехніка. Робота № 529268

Перехід до торгівельного партнера Binance

Дослідження приладів на основі P-N переходів

Інформація про навчальний заклад

ВУЗ:

Національний університет Львівська політехніка

Інститут:

ІКТА

Факультет:

ЗІ

Кафедра:

Не вказано

Інформація про роботу

Рік:

2024

Тип роботи:

Звіт до лабораторної роботи

Предмет:

Електроніка та мікросхемотехніка

Група:

БІ 21

Завантажити

Частина тексту файла (без зображень, графіків і формул):

МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ «ЛЬВІВСЬКА ПОЛІТЕХНІКА» ІКТА Кафедра БІТ / Звіт до лабораторної роботи №1 з курсу: «Електроніка та мікросхемотехніка» на тему: «Дослідження приладів на основі P-N переходів» ЛЬВІВ 2017 Мета роботи : ознайомитись з основними параметрами і характеристиками напівпровідникових діодів і дослідити їх вольт-амперні характеристики. Хід роботи Вольт-амперна характеристика діода D1- 1N4001 при джерелі струму J1=1мА і джерелі постійної напруги Е1=10В / Рис. 1.1. Принципова електрична схема(а) / Рис. 1.2. Вольт – амперна характеристика діода (пряма вітка) / Рис. 1.3. Вольт – амперна характеристика діода (зворотня вітка) Вольт-амперна характеристика транзистора Q1 – BC107A в діодному включенні при джерелі струму J1=1мА і джерелі постійної напруги Е1=10В / Рис. 2.1. Принципова електрична схема (б) / Рис. 1.2. Вольт – амперна характеристика транзистора (пряма вітка) / Рис. 1.3. Вольт – амперна характеристика транзистора (зворотня вітка) Вольт-амперна характеристика стабілітрона D1 – 10BQ015_IR при джерелі струму J1=1мА. / Рис. 3.1. Принципова електрична схема (в) / Рис. 3.2. Вольт – амперна характеристика стабілітрона Часові характеристики діода D1 – 1N4009 : V(1)=f(T), V(2)=f(T), I(R1)=f(T) при джерелі сінусоїдальної напруги Е1 з частотою f=50Гц та амплітудою А=31.4 / Рис. 4.1. Принципова електрична схема (г) / Рис. 4.2. Часові характеристики діода Вольт-амперна характеристика тиристора VS1 при джерелі постійного струму J1(VALUE=PULSE 15000m -150m 0.7 1 2 3) . / Рис. 5. 1. Принципова електрична схема (д) / Рис. 5.2. Вольт – амперна характеристика тиристора Вольт - амперні та часові характеристики тиристора: V(1)=f(T), V(2)=f(T) при джерелі постійного струму J1(VALUE=PULSE 15000m -150m 0.7 1 2 3), а також J2=250мА / Рис. 6.1. Принципова електрична схема (е) / Рис. 6.2. Вольт – амперні та часові характеристики тиристора Вольт-амперна характеристика симістора. / Рис. 7.1. Принципова електрична схема (є) Рис. 7.2. Вольт – амперна характеристика симістора Висновок: В даній лабораторній роботі я ознайомилась з основними характеристиками напівпровідникових діодів і дослідив їхні ВАХ.

Звіт до лабораторної роботи Електроніка та мікросхемотехніка

faster2012

16.04.2017 11:04-

Коментарі

Ви не можете залишити коментар. Для цього, будь ласка, або зареєструйтесь.

Ділись своїми роботами та отримуй миттєві бонуси!

Маєш корисні навчальні матеріали, які припадають пилом на твоєму комп'ютері? Розрахункові, лабораторні, практичні чи контрольні роботи — завантажуй їх прямо зараз і одразу отримуй бали на свій рахунок! Заархівуй всі файли в один .zip (до 100 МБ) або завантажуй кожен файл окремо. Внесок у спільноту – це легкий спосіб допомогти іншим та отримати додаткові можливості на сайті. Твої старі роботи можуть приносити тобі нові нагороди!

поділитись