Моделювання характеристик і визначення параметрів транзистора в схемі зі спільним емітером. Звіт до лабораторної роботи з Електроніка та мікросхемотехніка. Робота № 529269

Перехід до торгівельного партнера Binance

Моделювання характеристик і визначення параметрів транзистора в схемі зі спільним емітером

Інформація про навчальний заклад

ВУЗ:

Національний університет Львівська політехніка

Інститут:

ІКТА

Факультет:

ЗІ

Кафедра:

Не вказано

Інформація про роботу

Рік:

2024

Тип роботи:

Звіт до лабораторної роботи

Предмет:

Електроніка та мікросхемотехніка

Група:

БІ 21

Завантажити

Частина тексту файла (без зображень, графіків і формул):

МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ «ЛЬВІВСЬКА ПОЛІТЕХНІКА» ІКТА Кафедра БІТ / Звіт до лабораторної роботи №2 з курсу: «Електроніка та мікросхемотехніка» на тему: «Моделювання характеристик і визначення параметрів транзистора в схемі зі спільним емітером» ЛЬВІВ 2017 Мета роботи : Ознайомитися з особливостями роботи транзистора в схемі зі спільним емітером, промоделювати вхідні та вихідні статичні характеристики, визначити коефіцієнт підсилення за струмом і вхідний опор, порівняти характеристики транзистора і складеного транзистора. Хід роботи Схема включення транзистора n-p-n типу Q1- 2N1613 зі спільним емітером, використовуючи джерело струму J1=10мА і джерело постійної напруги Е1=15В. / Рис. 1.1. Принципова електрична схема дослідження транзистора зі спільним емітером / Рис. 1.2. Вхідна вольт – амперна характеристика IБ=f(UБЕ) якщо UKЕ =const / Рис. 1.3. Вихідна вольт – амперна характеристика IK=f(UKЕ) якщо IБ=const Коефіцієнта підсилення за струмом і вхідний опір Схема включення складеного транзистора n-p-n типу Q1, 2 - 2N1613 зі спільним емітером, використовуючи джерело струму J1=10мА і джерело постійної напруги Е1=15В. / Рис. 3.1. Принципова електрична схема дослідження складеного транзистора зі спільним емітером / Рис. 3.2. Вольт – амперна характеристика складеного транзистора IK(Q1)+IК(Q2)=f(E1) якщо IБ1=const Схема включення для транзисторів n-p-n типу Q1- 2N1613 і p-n-p типу Q2-2N1132, використовуючи джерело струму J1=10мА і джерело постійної напруги Е1=15В. / Рис. 4.1. Принципова електрична комплементарного транзистора / Рис. 4.2. Вольт – амперна характеристика комплементарного транзистора -I(Е1)=f(E1) якщо IБ1=const Порівняльні вихідні характеристики для різних типів транзисторів Можна побачити, що при однаковому вхідному струмові дані схеми по різному підсилюють його і відповідно вони матимуть різні вихідні струми на виході при подаванні на їх вхід одного й того ж вхідного. Як видно схема зі складеним транзистором має коефіцієнт підсилення за струмом понад 12 разів більший за схему з простим транзистором, а схема з комплементарним транзистором майже у 19 разів. Також видно у схемі з простим транзистором напруга, що призводить до різкого зростання струму колектора дуже невелика і практично однакова при різних струмах бази, у схемі зі складеним транзистором дана напруга збільшується, але є теж близькою при різних струмах бази, у комплементарного транзистора вона збільшується і є різною при різних струмах бази. Висновок: В даній лабораторній роботі було проведено ознайомлення з особливостями роботи транзистора в схемі зі спільним емітером, змоделювано вхідні та вихідні статичні характеристики, визначено коефіцієнт підсилення за струмом і вхідний опор, проведено порівняння характеристик різних транзисторів.

Звіт до лабораторної роботи Електроніка та мікросхемотехніка

faster2012

16.04.2017 11:04-

Коментарі

Ви не можете залишити коментар. Для цього, будь ласка, або зареєструйтесь.

Ділись своїми роботами та отримуй миттєві бонуси!

Маєш корисні навчальні матеріали, які припадають пилом на твоєму комп'ютері? Розрахункові, лабораторні, практичні чи контрольні роботи — завантажуй їх прямо зараз і одразу отримуй бали на свій рахунок! Заархівуй всі файли в один .zip (до 100 МБ) або завантажуй кожен файл окремо. Внесок у спільноту – це легкий спосіб допомогти іншим та отримати додаткові можливості на сайті. Твої старі роботи можуть приносити тобі нові нагороди!

поділитись