Подякувати Студентському архіву довільною сумою
Admin
26.02.2023 12:38
Дякуємо, що користуєтесь нашим архівом!
Інформація про навчальний заклад
ВУЗ:
Інші
Інститут:
Не вказано
Факультет:
Не вказано
Кафедра:
Не вказано
Інформація про роботу
Рік:
2024
Тип роботи:
Практика
Предмет:
Практика
Частина тексту файла (без зображень, графіків і формул):
ЗМІСТ
1
Мета і завдання практики
3
2
База практики
5
3
Індивідуальне завдання
10
4
Практичне завдання
20
Висновок
37
1. МЕТА І ЗАВДАННЯ ПРАКТИКИ
Мета виробничої. Поглиблене ознайомлення студентів зі специфікою майбутньої спеціальності, розширення й доповнення знань, здобутих студентами під час підготовки згідно навчальної програми освітньо-кваліфікаційного рівня «Бакалавр» за напрямом 6.0804 «Комп‘ютерні науки», а також набуття первинних навичок інженерної, дослідницької та наукової діяльності, виховання потреби систематично оновлювати свої знання та творчо застосовувати їх у практичній діяльності.
Завдання практики.
вивчення методики розробки систем автоматизованого проектування, їх впровадження та експлуатації;
вивчення стадій та етапів проектування комп'ютерних систем;
вивчення організації проектних робіт, порядку розробки та затвердження проектної і технічної документації, пов'язаних з розробкою математичного, програмного, лінгвістичного, інформаційного та технічного забезпечень комп’ютерних систем проектування;
розвиток та закріплення навичок самостійної роботи по розробці математичного, програмного, інформаційного та лінгвістичного забезпечень;
набуття навичок виробничої та організаційної роботи на посаді інженера-системотехніка, системного аналітика або наукового співробітника;
ознайомлення з питаннями організації та проведення наукової роботи;
набуття виробничих навичок, а саме: технічної, проектувальної, виконавської;
набуття навичок групової роботи та роботи в колективі спеціалістів;
підготовка до вивчення спеціальних дисциплін під час проходження підготовки на освітньо-кваліфікаційному рівні спеціаліста і магістра.
В результаті проходження практики студенти повинні знати:
основні стадії і етапи розробки комп'ютерних систем проектування;
сучасні технології розробки програмних, інформаційних і технічних систем, включно з питаннями документального супроводження;
сучасні технології впровадження, супроводження та експлуатації комп'ютерних систем проектування, пов'язані з ними документи та організаційно-методичні заходи;
обов'язки, передбачені посадовими інструкціями для інженера-системотехніка, системного аналітика чи наукового співробітника;
структуру підприємства (організації), класи розв'язуваних ними задач в галузі розробки комп'ютерних систем та їх складових частин;
наукові основи планування організаційно-технічних розробок, їх приймання та передачі у виробництво;
основні існуючі розробки в галузі комп'ютерних систем проектування, пов'язані з тематикою дипломного проекту або роботи.
2. БАЗА ПРАКТИКИ
24 травня 1945 р. був підписаний початковий декрет про відкриття Політехніки Лодзької, статус державної академічної школи, що має три факультети, що дає нею: механічний, електротехнічний, хімічний, а також текстильне відділення. Декрет давав можливість утворення нових факультетів.
Літом 1945 р. почалася діяльність Політехніки Лодзької, а сьогодні в її склад входять наступні факультети: механічний, електротехніки і електроніки, хімічний, текстильний, харчової хімії і біотехнології, будівництва і архітектури, технічної фізики, інформатики і прикладної математики, організації і управління, інженерних процесів і охорони навколишнього середовища. Крім того, в структурі Політехніки Лодзької знаходяться: центр міжнародної освіти, інститут паперу і паперових машин, студія іноземних мов, студія фізичного виховання і спорту, центральна бібліотека, комп'ютерний центр, центр діагностики і лазерної терапії, дві філії в місті Бельско-Бяла: факультет приладобудування і факультет текстильної промисловості і охорони середовища. По даним на 1 жовтня 1997 р. в Політехніці в Лодзі навчалися 16572 студенти. Заняття проводять 1650 академічних викладачів, зокрема 135 професорів, 209 докторів наук і 745 кандидатів наук.
Заклад Технічного Університету в Лодзі строго зв’язується з історією і розвитком індустріальності в Лодзі. Неймовірний розвиток текстильної промисловості в другій половині XIX сторіччя в Лодзі призвів до того, що Лодзь став другим найбільшим містом в Польщі. Ця ситуація вимагала надзвичайно компетентних працівників, а саме випускників вищих технічних шкіл. Довга битва встановлення технічного університету в Лодзі почалася. Перші дії були схожі на падіння Січневого Повстання. Призначення Політехнічного Інституту в Лодзі планувалося. Ініціативним випадком керував генеральний директор урядового комітету для суспільної освіти - Вітт. Передбачається, що курси починаються в 1865. Деяка область в межах міста жертвувала до майбутнього університету, вердикт змагання за проект університетської будівлі був анонсований, тимчасові кімнати наймають і професори. Проект Акту на Інституті був готовий, завершальна версія Акту відправлена Цареві для підпису 13 липня 1866. На великий жаль Цар не прийняв ідею встановлення Політехнічного Інституту.
В кінці сімдесятих XIX сторіччя була зроблена ще одна спроба, щоб встановити технічний університет в Лодзі. 31 січня 1876 Муніципалітет відправив лист до Губернатора Піотркова, в якому просить про його підтримку в причині. Промисловці і торговці Лодзі компрометували себе до забезпечення кредиту від банківських і кредиторських установ для будівництва Інституту. На жаль ці зусилля також виявились неефективними.
Після відновлення свободи Польщею, в 1921 рух був вимушений встановити Технічний Університет. Все ж таки уряд вирішив, що в Лодзі не буде університету, і ідея потерпіла невдачу знову.
Аж після Другої Світової Війни, ця ідея була введена в існування. Через декілька місяців зусиль владою Лодзя рішення було зроблене в Міністерстві Освіти, що “потреба встановити технічний університет в Лодзі не вимагає подальшого виправдання”. 8 травня 1945 Богдан Стефановський від варшавського Університету Технології прибув до Лодзі. Наступного дня, одержуючи допомогу від своїх найближчих партнерів, почав інтенсивно працювати на створення університету.
Міські власті надали тимчасові передумови університету. На початку будівлями університету були колишні будівлі фабрики Розенблат, які розташувались поблизу ділової частини міста Лодзя.
Декрет, який офіційно ввів Технічний Університет Лодзі в існування, був підписаний 24 травня 1945. Перші здібності університету були Механічна Розробка з Текстильною Технічною Одиницею, Радіотехнікою і Хімією. 525 абітурієнтів булу допущено в перший рік навчання, 458 студентів продовжувало свої подальші роки навчання. Університет мав 33 відділи з 33 професорами, 15 старшими лекторами і 53 професорами асистента.
Університет, що розвивається динамічно. Будівлі фабрики Розенблат були швидко пристосовані. З кожним роком передумови університету покращували, число студентів і академіків зростає, і завдання університету були ще і ще стимулюючими.
Найголовніший документ, який регулює дію і організацію Університету, - Статути. Який регулює наступні проблеми:
організація Університету і внутрішнє розділення в одиницях;
управління Установою (це визначає власті і їх компетентність);
o принципи зайнятості і завдання працівників;
правила поповнення і правила з приводу життя студентів.
Інший важливий документ - Правила Вивчення. Що визначає права і зобов'язання студента; правила фінансової підтримки, необхідні документи вимагали в ході вивчень і міжнародного обміну, правил реєстрації і процедур розпізнавання для заочників ТУЛ.
Місія Технічного Університету Лодзя визначає головні завдання розвитку ТУЛ з посиланням:
освіта студентів;
розвиток дослідження і науковий штат;
фінансовий, міжнародний і освітній поліс.
Європейська Офіційна урядова Заява визначає шляхи зовнішньої політики Університету із спеціальним центром на відносинах з Європейськими Партнерами для того, щоб збільшити інтернаціоналізацію освіти.
Викладацьке Керівництво - склад правил і хороша практика. Він включає як вказано нижче:
вивчайте правила;
принципи щодо передачі і відновлення вивчень;
принципи щодо адміністративної підтримки заочників;
справи студенті (правила призначення кімнат в гуртожитках);
плати за навчання;
опис викладацької інфраструктури ТУЛ;
моделі форм, використовуваних в ТУЛ.
Сьогодні Технічний Університет Лодзя пропонує 33 області вивчень понад 20 тисячам студентів, зокрема сто двадцять спеціальностей в дев'яти здібностях. Програми ступеня забезпечені як перший цикл і програми секундного циклу. Навчання проходить за новими програмами вивчення і Європейській Системі Кредитної Передачі були введені в Технічний Університет Лодзя в навчальному році 2007/2008. Система надає можливість студентам отримати два дипломи в двох різних областях вивчень і надає можливість розпізнавання періоду рухливості.
Міжнародна Здатність Споруди (IFE), заснував в 1992, - одиниця, де всі курси викладаються в іноземних мовах - дев'ять в англійській мові (Механічна Розробка і Застосував Інформатику; Бізнес і Технологія; Біомедична Розробка; Біотехнологія; Телекомунікації і Інформатика; Інформатика; Розробка Архітектури; Інформаційна Технологія; Наука і Технологія) і один по-французьки. Профіль освіти в ТУЛ комбінує знання основних наук, технічних наук, теми фахівця з проблемами в області організації і управління, економіки, кладучи гроші в банк, маркетинг, і в мистецтвах. Студенти познайомились з найостаннішими технологіями і комп’ютерними технологіями.
Понад 1500 академіків працюють в ТУЛ. Вони серед лідерів в Польських і міжнародних університетах в дослідженні на численних областях науки і технології. Великий ряд дослідження стосується додатків нових технологій і матеріалів також як і роботи поза новими технологіями. Краще всього представлені області науки - біотехнологія, електроніка і телекомунікація, інформатика, розробка матеріалів, технології і нанотехнології звернулася в техніку, медицину, екологічний захист, і удосконалення живильної безпеки і якості. Біомедична розробка і дослідження в нових технологіях в текстильній розробці також динамічно розвивають області науки в університеті.
Технічний Університет Лодзі координує дії Балтійського Морського Університету, які включають 180 університетів від 14 країн регіону Балтійське Море.
Створення Лазерного Симптому і Терапії Центрують - майбутня установа медицини взята до уваги, щоб бути чудовим досягненням ТУЛ. Головне завдання, щоб створити цю одиницю мало виконати дослідження на впливі лазерних променів на людський організм також як і розвивати нові методи загоєння із застосуванням лазерної технології.
Інститут паперового Виробництва і Друку, яка виховує фахівців в паперовому виробництві і друці.
Міжнародна співпраця включає обмін студентів і наукові проекти. Технічний Університет Лодзі співробітничає з понад 300 установами в 40 країнах. Це забезпечує декілька дюжин міжнародних проектів дослідження, а також бере участь в Робочих програмах Рамки ЄС.
Технічний університет м. Лодзь має:
- розширену локальну і глобальну мережі, яка охоплює всі комп’ютери ВУЗу і утворює спільну інформаційну базу даних;
- якісне, ліцензійне програмне забезпечення;
- велику базу прикладних програм, які дають максимальну зручність та ефективність у навчанні;
- відкритий доступ до мережі WWW;
- ліцензійну базу офісних програм;
- добре налагоджену інформаційно – потокову базу даних.
Завдяки локальній і глобальній мережі, інформаційні потоки даних охоплюють всі кафедри та бази даних університету і тим самим забезпечують ефективну та надійну співпрацю між викладачами та студентами. Технічний університет м. Лодзь володіє комплексним пакетом офісних програм, які оптимально забезпечують керування інформаційними потоками та базами даних даної системи.
Складовими пакету є : Microsoft Windows, Microsoft Office, Adobe Reader, Unix, Corel Draw, AutoCAD, MathCAD та багато інших.
3. ІНДИВІДУАЛЬНЕ ЗАВДАННЯ
Математичне моделювання елементів і технологічних процесів виготовлення над- і ультравеликих ІС (СБІС і УБІС) є тією областю, де досягнення фундаментальних наук - фізики напівпровідників і фізичного матеріалознавства, радіоактивної фізики і фізики плазми, хімії і фізичної хімії, фундаментальної і прикладної математики - дають безпосередній економічний ефект.
На сьогоднішній день досягнутий той рівень, при якому чисто експериментальний підхід до оптимізації конструкції елементів інтегральних схем (ІС) і технології з виробництва, метод проб і помилок, що є по суті справи, став еволюційно і економічно абсолютно неприйнятним.
Про виняткове значення, яке сьогодні мають СБІС, можна судити по силі, що робиться в цій області в індустріально розвинених країнах на самих різноманітних рівнях. Невисока вартість таких систем, складність яких винятково можна добитися тільки зниженням питомої вартості проектування, дозволяючи уникати дорогих помилок при їх розробці. Саме тому, а також тому, що експериментальні дослідження займають дуже багато час, часто дуже дорогі або просто нездійснимі, стало абсолютно необхідним застосування засобів математичного моделювання на всіх етапах проектування і виготовлення СБІС.
Останнім часом стали доступними програми, призначені безпосередньо для розробки поточних і перспективних технологій в мікроелектроніці.
У зв'язку з цим представляється абсолютно необхідним підготовка фахівців в області мікроелектроніки, знайомих з принципами і програмами математичного моделювання.
Про розробника:
Компанія ISE AG (Integrated System Engineering AG) заснована 24 грудня 1993 року на базі Швейцарського Федерального технологічного інституту м. Цюріха. Її президент В.Фіхтнер. Діяльність компанії направлена на розробку спеціалізованого програмного забезпечення в області моделювання напівпровідникових приладів і технологій, а також дослідження в області мікромеханіки і мікросенсоріки.
Кооперація провідних європейських виробників прикладного програмного забезпечення і технічних університетів привела до створення першої комерційної версії ISE TCAD, з якою компанія вперше вийшла на ринок в 1994 році. На поточний день ISE AG входить в першу трійку провідних виробників в області TCAD, успішно конкуруючи з такими компаніями, як TMA (США) і Silvaco(США).
До числа основних споживачів ISE TCAD входять найбільші виробники мікроелектронних приладів і устаткування в США, Західній Європі, Японії і Східній Азії. Такі як: Hitachi, HP, Motorola, NEC, Mitsubishi, NTT, Siemens, Intel, Toshiba, Fuji, ELMOS, Aerospatiale, ABB Semiconductor, National Semiconductor, SGS Thomson, Marconi та інші.
У 1998 році в компанії ISE працювало більше 40 професійних розробників САПР на території Західній Європі і США. Компанія має представництва в 6 країнах світу.
САПР ISE TCAD
Приладова-технологічна САПР ISE TCAD орієнтована на проектування елементної бази СБІС і дозволяє здійснити наскрізне моделювання, як інтегральних напівпровідникових структур, так і дискретних елементів, розрахувати повний набір статичних, динамічних і частотних характеристик активних і пасивних елементів СБІС в одно, дво і тривимірному наближенні.
Склад ISE TCAD
Інтерактивна оболонка GENESISe, інтегруюча всі програмні модулі ISE TCAD.
Функції GENESISe:
маніпуляція проектами (створення, копіювання, редагування);
доступ і робота з універсальною базою даних проектів, створення і робота з власною базою даних;
управління планувальником обчислювальних процесів;
параметризація проектів, побудова дерева обчислювальних експериментів;
проведення обчислювальних експериментів по вибраній методиці;
дружний інтерфейс до більшості програмних модулів ISE TCAD.
Програми моделювання технологічних процесів формування напівпровідникових структур. До їх числа входять:
Програма TESIM, призначена для оперативного моделювання технологічних процесів в одновимірному наближенні;
Програма двомірного моделювання технологічних процесів DIOS.
Її основні особливості:
автоматична тріангуляція сітки просторової дискретизації, адаптованої до особливостей структури;
аналітична і Монте-Карло апроксимація розподілів іонів при іонній імплантації, облік розподілу точкових дефектів і аморфізації кремнію при МУЛ;
ієрархія моделей дифузії домішок, що включають облік таких фізичних явищ, як: дифузія, прискорена (сповільнена) окисленням, радіаційно-прискорена дифузія, висококонцентраційна дифузія, нелокальна взаємодія домішок, дифузія точкових дефектів;
ієрархія моделей окислення кремнію;
узгодження процесів перерозподілу домішок з механічною напругою, що виникає в процесі формування структури приладу;
розвинений графічний інтерфейс;
значно більша (у 3-5 разів) швидкодія, в порівнянні з аналогічними комерційними симуляторами SUPREM4 і MEDICI.
Програма тривимірного моделювання топографії шарів PROSIT;
Програма компіляції тривимірних структур GIP.
Генератор два і тривимірних звичайно-елементних сіток MESH, адаптованих до топографії шарів і використовуючий алгоритм Делоне-тріангуляції.
Інтерактивний компонувальник двомірних структур MDRAW.
Програма одне, два і тривимірного моделювання напівпровідникових приладів і схем DESSIS.
Область застосування програми:
Електрофізичне моделювання напівпровідникових приладів і підсистем. Аналіз теплових процесів в елементах БІС;
Статичний, динамічний і малосигнальний аналіз напівпровідникових приладів і фрагментів схем;
Моделювання приладів з використанням ієрархії фізичних моделей опису поведінки електронний-дірчастої плазми: дифузійно-дрейфова, термодинамічна, квазігідродинамічна, Монте-Карло моделі.
Програма два і тривимірного моделювання термомеханічних, електричних і магнітних явищ в напівпровідникових структурах і між зв’язкових SOLIDIS.
Програми графічної пост-обробки PICASSO і VISE.
САПР ISE TCAD поставляється на наступні обчислювальні платформи:
Cray;
DEC Alpha;
HP;
IBM;
MIPS;
Sun
Також можлива установка на IBM сумісні ПК під управлінням ОС Linux або Windows NT.
У сучасній апаратурі зв'язку широко використовуються могутні СВЧ VDMOS і LDMOS транзистори. Транзистори цих типів застосовуються також в радіолокації, телевізійних передавачах і ін. Це обумовлено тим, що їх характеристики у зв'язку з розвитком технології стали кращими, ніж у біполярних транзисторів. Тому у вітчизняному виробництві силових СВЧ транзисторів на основі VDMOS і LDMOS структур зацікавлені як розробники спеціальної техніки, так і виробники апаратури зв'язку, побутової техніки і т.д.
Приладові-технологічні САПР достатньо широко використовуються в мікроелектроніці для дослідження функціонування різних напівпровідникових приладів - від дискретних високовольтних транзисторів до гетероструктур і одноелектронних транзисторів. Вирішувані за допомогою моделювання завдання також дуже різноманітні. Це оптимізація конструкції і технології напівпровідникових приладів дослідження фізичних ефектів, у тому числі і квантово-механічних вивчення технологічного маршруту, а також багато що інше.
САПР ISE TCAD належить до систем моделювання, відомих і широко використовуваних у всьому світі. Багато крупних фірм, що займаються виробництвом напівпровідникових приладів, користуються пакетом ISE TCAD. Не дивлячись на існування великої кількості програм орієнтованих на проектування напівпровідникових приладів і що дають відмінні результати на відомих і відлагоджених технологіях, ISE TCAD вони можуть замінити тільки при вже настроєному і відпрацьованому технологічному процесі.
У середовищі САПР ISE TCAD створені віртуальні фізико-технологічні моделі VDMOS і LDMOS транзисторів. Моделі транзисторів дозволяють досліджувати і оптимізувати технологію виробництва, а також проводити на їх основі приладове моделювання з розрахунком основних електро- і теплофізичних параметрів транзисторів. Все це в комплексі дозволяє розробляти технологію виробництва транзисторів із заданими характеристиками, причому технологію можна оптимізувати під реальних можливості підприємства виготівника. Для перевірки адекватності віртуальних VDMOS і LDMOS транзисторів було проведено контрольне моделювання з використанням експериментальних даних по тестових пластинах з реального технологічного процесу. Порівняння показав близький збіг результатів моделювання з експериментальними даними (відхилення не більше 10%), на підставі чого зроблений висновок про адекватність віртуальних моделей транзисторів реальним приладам.
Отримані в результаті приладового моделювання вихідні і передавальні характеристики транзисторів близькі до характеристик знятим з реальних приладів, тобто параметри моделей транзисторів відповідають проектним вимогам до транзисторів.
На підставі отриманих результатів зроблений висновок про можливості і доцільності використання САПР ISE TCAD для розробки виробів силової електроніки СВЧ із заданими характеристиками на основі технології підприємства виготівника.
Показана висока ефективність пакету ISE TCAD, що дозволяє значно понизити витрати матеріальних засобів і часу на розробку напівпровідникових приладів.
РЕДАКТОР SENTAURUS STRUCTURE EDITOR
Sentaurus Structure Editor представляє собою структурний редактор, який може бути використаний для створення 2D та 3D структурних пристроїв. Цей модуль (редактор) являє собою введення в основні характеристики та функціональння Sentaurus Structure Editor. Він призначений для недосвідчених користувачів цього програмного забезпечення (TCAD).
Огляд редактора
Sentaurus Structure Editor представляє собою структурний редактор, який може бути використаний для створення 2D та 3D структурних пристроїв. В ньому передбачені три різні режими: 2D редагування, 3D редагування і процесу емуляції 3D.
За допомогою графічного інтерфейсу користувача, 2D та 3D моделі пристроїв створюються геометрично, за допомогою 2D або 3D примітивів, таких як прямокутники, полігони, паралелепіпеди, циліндри і сфери. Складні форми створюються простим пересіченням примітивних елементів.
Особливим в графічному інтерфейсі користувача Sentaurus Structure Editor є вікно командного рядка, в якому Sentaurus Structure Editor друкує команди сценарію, відповідного GUI операцій.
Початок роботи з редактором
Щоб почати роботу з редактором у командному рядку потрібно ввести SDE.
Графічний інтерфейс користувача
У Sentaurus Structure Editor можуть бути створені або відредаговані інтерактивно, використовуючи графічний інтерфейс користувача (GUI). Головне вікно графічного інтерфейсу складається з трьох функціональних областях: меню, панелі інструментів, а також списки, що знаходяться у верхній частині головного вікна Відкрити вікно в центрі; вікно командного рядка в нижній частині у головному вікні.
Графічний інтерфейс користувача редактору Sentaurus Structure Editor
Головне меню
Рядок головного меню складається з наступних меню:
File
Завантажувати, зберігати та друкувати функції
Edit
Зміна існуючого геометричного об’єкту
View
Візуалізація переваг і допоміжні пункти
Draw
Малювання та основні параметрів створення об'єкта
Mesh
Визначення сітки стратегії
Device
Визначення допінг профілів
Contacts
Визначення контактів
Help
Довідка
Панель інструментів
Панель інструментів містить набір попередньо встановлених клавіш і кнопок, які можуть бути вибірково додані або видалені з панелі інструментів.
Списки
Чотири елемента списку використовується для вибору об'єктів на операцію:
Список матеріал використовується для вибору матеріалів, які будуть призначені на нові об'єкти.
Перелік робіт площин використовується для вибору площини роботи з 3D-редагування.
Список контактів для вибору імені контакту в наступну групу контактів регіону / особи / EDGE операцій. Зауважимо, що будь-який контакт має бути визначений до його показу в цьому списку.\
Вибір рівня використовується для вибору типу об'єкта, доступні для редагування (див. рівень вибору).
Відкрити вікно
Відкрити вікно відображає поточний пристрій, відредаговані. У результаті всіх операцій є інтерактивним негайно відображаються у вікні перегляду. Клацніть правою кнопкою миші у вікні перегляду для відображення контекстного меню:
Selection Level
Контроль, який тип об'єкта може бути вибраний натисканням (Виберіть режим), або шляхом визначення вікна, утримуючи кнопку миші (вікно Вибір режиму). Опції для вибору рівня тіла, особи, та інших.
Toggle Visibility
Активує або деактивує джерело світла для затінення 3D об'єктів.
Info
Ця опція з'являється тільки після того, якщо щось вибрано. Він відображає інформацію, таку як ім'я області, матеріал з якого зроблений і координати.
Вікно командного рядка
У вікні командного рядка відображається схема сценарію команд відповідно самим GUI операцій. Схеми команди можуть бути введені безпосередньо в командному рядку. Ця функція корисна в поєднанні з різкою і вставляти команди сценарію і з текстового редактора, при створенні та тестуванні схеми сценарії.
4. ПРАКТИЧНА ЧАСТИНА
1. Відкрийте вікно терміналу “Applications → Accessories → Terminal”.
2. Створіть свою власну папку в якій буду збережені TCAD проекти.
3. Відкрите Sentaurus Structure Editor за допомогою команди user@user:~$ sde.
Поради:
Перед початком залучити нову геометрію пристроїв, що можуть бути корисні виберіть пункт " Exact Coordinates" від " Draw" меню. Бажано також вибрати галочку "Auto Region Naming" від " Draw" мене, таким чином, щоб мати вибір іменування звернено регіонів.
Початок роботи
1. Створюємо прямокутну область розміром 20 мкм до 10 мкм. Обираємо напівпровідниковий елемент Silicon (кремнію), в ході навчань ми будемо використовувати також іншого роду елементи.
2. Встановлюємо дві точки у верхню частині прямокутної області за допомогою команди " Add Vertex"
Дві точки повинні мати координати [4,0] і [16,0].
3. Тепер ми можемо визначити контакти для нашого пристрою. Вибираємо "Contact", потім "Contact Sets..." з меню. Нижче відображається у вікні контакт встановити, що ви повинні побачити. Називаємо два контакти TOP і BOT відповідно.
4. Після того як ми створили контакти потрібно вибрати верхні і нижні краї, а також встановити вибраний краї в якості контакту.
Нижче відображено нашу структуру
5. Наступним кроком буде визначення концентрації, ми можемо визначити постійну активну концентрацію і аналітичного профілю в нашій структурі.
Визначаємо постійний профіль, виконавши команду: Constant Profile Placement...
Тоді ми повинні побачити вікно Constant Profile Placement. У ньому потрібно вказати регіон постійного профілю, виду (Arsenic) і концентрацію що рівна 1e+16 см-3.
Після натисніть кнопку Add Placement закрити це вікно.
6. Тепер нам потрібно вказати Analytical Profile Placement, щоб зробити це, ми повинні вибрати Define Ref/Eval Window → Line.
Потім натисніть на регіон, ви повинні побачити вікно точні координати з'являються. Вкажіть координати [4,0], а потім [16,0].
Тепер ми можемо натиснути Analytical Profile Placement.
Вказуємо Gaussian analytical profile 1e+18 cm-3 з довжиною дифузії 1um. Легуючих домішок буде у випадку Бор (Boron). Ми також вказуємо бічний профіль, а потім ставимо коефіцієнт 0,8.
Оскільки наш профіль добре визначений, наступним кроком буде визначення сітки. Щоб визначити розмір кроку для сітки, виберіть Mesh → Refinement Placement...
Нам потрібно розмістити нашу уточнення в усьому регіоні, тоді ми повинні визначити розмір комірки і додати їх розміщення.
Останнім кроком є генерація сітки, він буде досягнутий вибором Mesh → Build Mesh.
Ми повинні вибрати сітку в розділі Meshing Engine і опціонально Tecplot SV у Mesh вікні, потім натискаємо кнопку Build Mesh, і ви повинні бачити ваш пристрій структуру зі сформованою сіткою.
Програма
File {
*Input
Grid = "U_day01_msh.grd"
Doping = "U_day01_msh.dat"
Parameter = "silicon.par"
*Output
Current = "U_day01_des.plt"
Plot = "U_day01_des.dat"
Output = "U_day01_des.log"
}
Electrode {
{Name = "TOP" Voltage=0.0}
{Name = "BOT" Voltage=0.0}
}
Physics {
Temperature = 300
#Mobility( DopingDep HighFieldSat Enormal )
#EffectiveIntrinsicDensity(OldSlotboom)
Recombination(SRH)
}
Plot {
eDensity hDensity eCurrent hCurrent
Potential SpaceCharge ElectricField
eMobility hMobility eVelocity hVelocity
Doping DonorConcentration AcceptorConcentration
}
Math {
Extrapolate *off by default
RelErrControl *on by default
Iterations = 20 *default = 50
Notdamped = 100 *default = 1000
}
Solve {
Coupled(Iterations=100){Poisson}
Coupled{Poisson Electron Hole}
Quasistationary(InitialStep = 0.01
Increment = 1 *by default is 2
Decrement = 2 *by default is 2
MinStep = 1e-5
MaxStep = 0.2
Goal{Name = "TopAnode" Voltage = 1}
){ Coupled{Poisson Electron Hole} }
}
ВИСНОВОК
Під час проходження практики я поглиблено ознайомився зі специфікою майбутньої спеціальності, розширив й доповним знання, здобутих під час підготовки згідно навчальної програми освітньо-кваліфікаційного рівня «Бакалавр» за напрямом 6.0804 «Комп‘ютерні науки», а також набув первинних навичок інженерної, дослідницької та наукової діяльності, виховання потреби систематично оновлювати свої знання та творчо застосовувати їх у практичній діяльності.
На практичних заняттях ознайомився з комплексом для проектування та симулювання напівпровідникових пристроїв TCAD. До його складу входять графічна оболонка MDRAW, стимулятор пристроїв DESSIS, програми для графічного відображення результатів INSPECT та PICASSO. А також познайомились з редактором Sentaurus Structure Editor, який представляє собою структурний редактор, який використовується для створення 2D та 3D об’єктів. В ньому змоделювали напівпровідниковий пристрій, з яким провели певні дослідження.
Дані навики є необхідними для здобуття нашої майбутньої професії та їхньою реалізацією на виробництві.
17.07.2020 15:07-
Ділись своїми роботами та отримуй миттєві бонуси!
0%
Оголошення від адміністратора