МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ «ЛЬВІВСЬКА ПОЛІТЕХНІКА» / МОДЕЛЮВАННЯ ВОЛЬТ-АМПЕРНИХ ХАРАКТЕРИСТИК ТА ВИЗНАЧЕННЯ ДИФЕРЕНЦІАЛЬНИХ ПАРАМЕТРІВ ПОЛЬОВИХ ТРАНЗИСТОРІВ Лабораторної робот № 4 з навчальної дисципліни “Схемотехніка пристроїв технічного захисту інформації” Варіант 21 МЕТА РОБОТИ Ознайомитися з польовими транзисторами з керувальним р-n–переходом та з ізольованим затвором. Дослідити вхідні та вихідні статичні характеристики. Навчитись визначати диференціальні параметри польових транзисторів ЗАВДАННЯ За допомогою графічного редактора системи схемотехнічного моделювання MicroCap 12 ознайомитись з моделями польових транзисторів. Отримати та дослідити вольт-амперні характеристики з керувальним р-n– переходом та з ізольованим затвором. Визначити диференціальні параметри польових транзисторів. ПОРЯДОК ВИКОНАННЯ РОБОТИ Тип транзистора JFET DNMOS BF246A MFE990 / / / S= ΔID/ ΔVGS​​​=(4.6−1.5)/(−1−(−2)) ​=3.1/1​=3.1мА/В gds​=(4.6−4.3)/( 10−8)​=0.3/2​=0.15мА/В / / / S=(5.2−2.4​)/4−3=2.8мА/В gds​=(5.2−4.9)/ (10−8)​=0.3/2​=0.15мА/В ВИСНОВОК У ході виконання лабораторної роботи було досліджено вольт-амперні характеристики (ВАХ) та визначено диференціальні параметри двох типів польових транзисторів: транзистора з керувальним p-n переходом (JFET, тип BF246A), МДН-транзистора з індукованим каналом n-типу (MOSFET, тип MFE990). Були побудовані експериментальні ВАХ витоку та стоку для обох транзисторів за допомогою симулятора Micro-Cap. Проведено аналіз їх роботи у різних режимах, зокрема в активному та насиченому. У результаті: для JFET отримано крутизну S=3,1 мА вихідну провідність gds=0,15 мА для MOSFET отримано S=2,8 мА gds=0,15 мА Отримані результати підтверджують теоретичні знання щодо роботи польових транзисторів: високий вхідний опір, залежність струму стоку від керуючої напруги затвор–джерело та характерні області насичення і лінійного режиму.