Варіант 21. Інші з схемотехніка пристроїв технічного захисту інформації. Робота № 532049

Варіант 21

Інформація про навчальний заклад

ВУЗ:

Національний університет Львівська політехніка

Інститут:

Не вказано

Факультет:

КН

Кафедра:

Не вказано

Інформація про роботу

Рік:

2026

Тип роботи:

Інші

Предмет:

схемотехніка пристроїв технічного захисту інформації

Завантажити

Частина тексту файла (без зображень, графіків і формул):

МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ «ЛЬВІВСЬКА ПОЛІТЕХНІКА» / МОДЕЛЮВАННЯ ВОЛЬТ-АМПЕРНИХ ХАРАКТЕРИСТИК ТА ВИЗНАЧЕННЯ ДИФЕРЕНЦІАЛЬНИХ ПАРАМЕТРІВ ПОЛЬОВИХ ТРАНЗИСТОРІВ Лабораторної робот № 4 з навчальної дисципліни “Схемотехніка пристроїв технічного захисту інформації” Варіант 21 МЕТА РОБОТИ Ознайомитися з польовими транзисторами з керувальним р-n–переходом та з ізольованим затвором. Дослідити вхідні та вихідні статичні характеристики. Навчитись визначати диференціальні параметри польових транзисторів ЗАВДАННЯ За допомогою графічного редактора системи схемотехнічного моделювання MicroCap 12 ознайомитись з моделями польових транзисторів. Отримати та дослідити вольт-амперні характеристики з керувальним р-n– переходом та з ізольованим затвором. Визначити диференціальні параметри польових транзисторів. ПОРЯДОК ВИКОНАННЯ РОБОТИ Тип транзистора JFET DNMOS BF246A MFE990 / / / S= ΔID/ ΔVGS=(4.6−1.5)/(−1−(−2)) =3.1/1=3.1мА/В gds=(4.6−4.3)/( 10−8)=0.3/2=0.15мА/В / / / S=(5.2−2.4)/4−3=2.8мА/В gds=(5.2−4.9)/ (10−8)=0.3/2=0.15мА/В ВИСНОВОК У ході виконання лабораторної роботи було досліджено вольт-амперні характеристики (ВАХ) та визначено диференціальні параметри двох типів польових транзисторів: транзистора з керувальним p-n переходом (JFET, тип BF246A), МДН-транзистора з індукованим каналом n-типу (MOSFET, тип MFE990). Були побудовані експериментальні ВАХ витоку та стоку для обох транзисторів за допомогою симулятора Micro-Cap. Проведено аналіз їх роботи у різних режимах, зокрема в активному та насиченому. У результаті: для JFET отримано крутизну S=3,1 мА вихідну провідність gds=0,15 мА для MOSFET отримано S=2,8 мА gds=0,15 мА Отримані результати підтверджують теоретичні знання щодо роботи польових транзисторів: високий вхідний опір, залежність струму стоку від керуючої напруги затвор–джерело та характерні області насичення і лінійного режиму.

Інші схемотехніка пристроїв технічного захисту інформації

FARAWAL

02.06.2026 16:33

Коментарі

Ви не можете залишити коментар. Для цього, будь ласка, або зареєструйтесь.

Ділись своїми роботами та отримуй миттєві бонуси!

поділитись