Варіант 21. Інші з схемотехніка пристроїв технічного захисту інформації. Робота № 532049

Перехід до торгівельного партнера Binance

Варіант 21

Інформація про навчальний заклад

ВУЗ:

Національний університет Львівська політехніка

Інститут:

Не вказано

Факультет:

КН

Кафедра:

Не вказано

Інформація про роботу

Рік:

2025

Тип роботи:

Інші

Предмет:

схемотехніка пристроїв технічного захисту інформації

Завантажити

Частина тексту файла (без зображень, графіків і формул):

МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ «ЛЬВІВСЬКА ПОЛІТЕХНІКА» / МОДЕЛЮВАННЯ ВОЛЬТ-АМПЕРНИХ ХАРАКТЕРИСТИК ТА ВИЗНАЧЕННЯ ДИФЕРЕНЦІАЛЬНИХ ПАРАМЕТРІВ ПОЛЬОВИХ ТРАНЗИСТОРІВ Лабораторної робот № 4 з навчальної дисципліни “Схемотехніка пристроїв технічного захисту інформації” Варіант 21 МЕТА РОБОТИ Ознайомитися з польовими транзисторами з керувальним р-n–переходом та з ізольованим затвором. Дослідити вхідні та вихідні статичні характеристики. Навчитись визначати диференціальні параметри польових транзисторів ЗАВДАННЯ За допомогою графічного редактора системи схемотехнічного моделювання MicroCap 12 ознайомитись з моделями польових транзисторів. Отримати та дослідити вольт-амперні характеристики з керувальним р-n– переходом та з ізольованим затвором. Визначити диференціальні параметри польових транзисторів. ПОРЯДОК ВИКОНАННЯ РОБОТИ Тип транзистора JFET DNMOS BF246A MFE990 / / / S= ΔID/ ΔVGS=(4.6−1.5)/(−1−(−2)) =3.1/1=3.1мА/В gds=(4.6−4.3)/( 10−8)=0.3/2=0.15мА/В / / / S=(5.2−2.4)/4−3=2.8мА/В gds=(5.2−4.9)/ (10−8)=0.3/2=0.15мА/В ВИСНОВОК У ході виконання лабораторної роботи було досліджено вольт-амперні характеристики (ВАХ) та визначено диференціальні параметри двох типів польових транзисторів: транзистора з керувальним p-n переходом (JFET, тип BF246A), МДН-транзистора з індукованим каналом n-типу (MOSFET, тип MFE990). Були побудовані експериментальні ВАХ витоку та стоку для обох транзисторів за допомогою симулятора Micro-Cap. Проведено аналіз їх роботи у різних режимах, зокрема в активному та насиченому. У результаті: для JFET отримано крутизну S=3,1 мА вихідну провідність gds=0,15 мА для MOSFET отримано S=2,8 мА gds=0,15 мА Отримані результати підтверджують теоретичні знання щодо роботи польових транзисторів: високий вхідний опір, залежність струму стоку від керуючої напруги затвор–джерело та характерні області насичення і лінійного режиму.

Інші схемотехніка пристроїв технічного захисту інформації

FARAWAL

02.06.2026 16:06-

Коментарі

Ви не можете залишити коментар. Для цього, будь ласка, або зареєструйтесь.

Ділись своїми роботами та отримуй миттєві бонуси!

Маєш корисні навчальні матеріали, які припадають пилом на твоєму комп'ютері? Розрахункові, лабораторні, практичні чи контрольні роботи — завантажуй їх прямо зараз і одразу отримуй бали на свій рахунок! Заархівуй всі файли в один .zip (до 100 МБ) або завантажуй кожен файл окремо. Внесок у спільноту – це легкий спосіб допомогти іншим та отримати додаткові можливості на сайті. Твої старі роботи можуть приносити тобі нові нагороди!

поділитись