МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ «ЛЬВІВСЬКА ПОЛІТЕХНІКА» / МОДЕЛЮВАННЯ ВОЛЬТ-АМПЕРНИХ ХАРАКТЕРИСТИК ТА ВИЗНАЧЕННЯ ДИФЕРЕНЦІАЛЬНИХ ПАРАМЕТРІВ БІПОЛЯРНИХ ТРАНЗИСТОРІВ Лабораторної робот № 3 з навчальної дисципліни “Схемотехніка пристроїв технічного захисту інформації” Варіант 21 МЕТА РОБОТИ Ознайомитися з біполярними транзисторами n–p–n та p–n–p типів. Дослідити вхідні та вихідні статичні характеристики транзистора у схемі увімкнення зі спільною базою та зі спільним емітером. Навчитись визначати диференціальні параметри біполярного транзистора. ЗАВДАННЯ За допомогою графічного редактора системи схемотехнічного моделювання MicroCap 12 ознайомитись з моделями біполярного транзистора. Отримати та дослідити вольт-амперні характеристики біполярного транзистора у схемах увімкнення зі спільною базою та зі спільним емітером. Визначити диференціальні параметри біполярного транзистора у семах увімкнення зі спільним емітером та зі спільною базою. Порівняти ВАХ та h-параметри біполярних транзисторів у різних схемах увімкнення. Порядок Виконання Роботи Створення схеми зі спільною базою / Графіки вхідних і вихідних ВАХ / Графік 1 / Графік 2 Створення схеми зі спільною емітером / Графіки вхідних і вихідних ВАХ / Графік 3 / Графік 4 Визначення h-параметрів біполярного транзистора для схем увімкнення зі спільною базою та спільним емітером Вхідна ВАХ з графіка 1 ΔUбе≈100мВ (від 700 до 800 мВ) ΔIе≈3.0мА (від 0 до 3 мА) h11Б​=​ΔUбе/ ΔIе​​​=0.1/0.003​=33.33 Вихідна ВАХ з графіка 2 (лінії майже горизонтальні) ΔUКкб=10В ΔIк≈25μA h22Б​= ​ΔIк/ ΔUкб ​​=25×10-6/10​=2.5×10-6Ом IEе=300мкА, Iк=275 мкА h21Б​=​IK/ IE ​​=275/300​=0.917 ΔUБЕ​=5мВ ΔUКБ​=10В h12Б​=0.005/10​=0.0005 Вхідна ВАХ з графіка 3: ΔUБЕ​=100мВ (700–800 мВ) ΔIB​=6.5мА (0 до 6.5 мА) h11Е​=0,1/0.0065≈15.38 Вихідна ВАХ з графіка 4: ΔUКЕ​=10В ΔIK​=1.3мА h22Е​=0.0013/10​=0.00013 ΔIB​=3мА, ΔIK​=75мА h21Е​=75/3​=25 ΔUКЕ​=10В, ΔUБЕ​=5мВ h12Е​=0.005/10​=0.0005 Висновок Схема зі спільним емітером забезпечує більший коефіцієнт підсилення струму та кращу керованість, тому є більш поширеною у підсилювачах. Схема зі спільною базою має вищий вхідний опір та стабільніший вихід, що може бути корисно в ВЧ-схемах. Обидві схеми демонструють типові властивості нелінійних елементів, які описуються h-параметрами.