Частина тексту файла (без зображень, графіків і формул):
МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ
НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ «ЛЬВІВСЬКА ПОЛІТЕХНІКА»
/
МОДЕЛЮВАННЯ ВОЛЬТ-АМПЕРНИХ ХАРАКТЕРИСТИК ТА ВИЗНАЧЕННЯ ДИФЕРЕНЦІАЛЬНИХ ПАРАМЕТРІВ БІПОЛЯРНИХ ТРАНЗИСТОРІВ
Лабораторної робот № 3
з навчальної дисципліни “Схемотехніка пристроїв технічного захисту інформації”
Варіант 21
МЕТА РОБОТИ
Ознайомитися з біполярними транзисторами n–p–n та p–n–p типів. Дослідити вхідні та вихідні статичні характеристики транзистора у схемі увімкнення зі спільною базою та зі спільним емітером. Навчитись визначати диференціальні параметри біполярного транзистора.
ЗАВДАННЯ
За допомогою графічного редактора системи схемотехнічного моделювання MicroCap 12 ознайомитись з моделями біполярного транзистора.
Отримати та дослідити вольт-амперні характеристики біполярного транзистора у схемах увімкнення зі спільною базою та зі спільним емітером.
Визначити диференціальні параметри біполярного транзистора у семах увімкнення зі спільним емітером та зі спільною базою.
Порівняти ВАХ та h-параметри біполярних транзисторів у різних схемах увімкнення.
Порядок Виконання Роботи
Створення схеми зі спільною базою
/
Графіки вхідних і вихідних ВАХ
/
Графік 1
/
Графік 2
Створення схеми зі спільною емітером
/
Графіки вхідних і вихідних ВАХ
/
Графік 3
/
Графік 4
Визначення h-параметрів біполярного транзистора для схем увімкнення зі спільною базою та спільним емітером
Вхідна ВАХ з графіка 1
ΔUбе≈100мВ (від 700 до 800 мВ)
ΔIе≈3.0мА (від 0 до 3 мА)
h11Б=ΔUбе/ ΔIе=0.1/0.003=33.33
Вихідна ВАХ з графіка 2 (лінії майже горизонтальні)
ΔUКкб=10В
ΔIк≈25μA
h22Б= ΔIк/ ΔUкб =25×10-6/10=2.5×10-6Ом
IEе=300мкА, Iк=275 мкА
h21Б=IK/ IE =275/300=0.917
ΔUБЕ=5мВ ΔUКБ=10В
h12Б=0.005/10=0.0005
Вхідна ВАХ з графіка 3:
ΔUБЕ=100мВ (700–800 мВ)
ΔIB=6.5мА (0 до 6.5 мА)
h11Е=0,1/0.0065≈15.38
Вихідна ВАХ з графіка 4:
ΔUКЕ=10В ΔIK=1.3мА
h22Е=0.0013/10=0.00013
ΔIB=3мА, ΔIK=75мА
h21Е=75/3=25
ΔUКЕ=10В, ΔUБЕ=5мВ
h12Е=0.005/10=0.0005
Висновок
Схема зі спільним емітером забезпечує більший коефіцієнт підсилення струму та кращу керованість, тому є більш поширеною у підсилювачах. Схема зі спільною базою має вищий вхідний опір та стабільніший вихід, що може бути корисно в ВЧ-схемах. Обидві схеми демонструють типові властивості нелінійних елементів, які описуються h-параметрами.