Частина тексту файла (без зображень, графіків і формул):
МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ
НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ «ЛЬВІВСЬКА ПОЛІТЕХНІКА»
/
МОДЕЛЮВАННЯ ВОЛЬТ-АМПЕРНИХ ХАРАКТЕРИСТИК ТА ВИЗНАЧЕННЯ ДИФЕРЕНЦІАЛЬНИХ ПАРАМЕТРІВ БІПОЛЯРНИХ ТРАНЗИСТОРІВ
Лабораторної робот № 3
з навчальної дисципліни “Схемотехніка пристроїв технічного захисту інформації”
Варіант 21
МЕТА РОБОТИ
Ознайомитися з біполярними транзисторами n–p–n та p–n–p типів. Дослідити вхідні та вихідні статичні характеристики транзистора у схемі увімкнення зі спільною базою та зі спільним емітером. Навчитись визначати диференціальні параметри біполярного транзистора.
ЗАВДАННЯ
За допомогою графічного редактора системи схемотехнічного моделювання MicroCap 12 ознайомитись з моделями біполярного транзистора.
Отримати та дослідити вольт-амперні характеристики біполярного транзистора у схемах увімкнення зі спільною базою та зі спільним емітером.
Визначити диференціальні параметри біполярного транзистора у семах увімкнення зі спільним емітером та зі спільною базою.
Порівняти ВАХ та h-параметри біполярних транзисторів у різних схемах увімкнення.
Порядок Виконання Роботи
Створення схеми зі спільною базою
/
Графіки вхідних і вихідних ВАХ
/
Графік 1
/
Графік 2
Створення схеми зі спільною емітером
/
Графіки вхідних і вихідних ВАХ
/
Графік 3
/
Графік 4
Визначення h-параметрів біполярного транзистора для схем увімкнення зі спільною базою та спільним емітером
Вхідна ВАХ з графіка 1
ΔUбе≈100мВ (від 700 до 800 мВ)
ΔIе≈3.0мА (від 0 до 3 мА)
h11Б=ΔUбе/ ΔIе=0.1/0.003=33.33
Вихідна ВАХ з графіка 2 (лінії майже горизонтальні)
ΔUКкб=10В
ΔIк≈25μA
h22Б= ΔIк/ ΔUкб =25×10-6/10=2.5×10-6Ом
IEе=300мкА, Iк=275 мкА
h21Б=IK/ IE =275/300=0.917
ΔUБЕ=5мВ ΔUКБ=10В
h12Б=0.005/10=0.0005
Вхідна ВАХ з графіка 3:
ΔUБЕ=100мВ (700–800 мВ)
ΔIB=6.5мА (0 до 6.5 мА)
h11Е=0,1/0.0065≈15.38
Вихідна ВАХ з графіка 4:
ΔUКЕ=10В ΔIK=1.3мА
h22Е=0.0013/10=0.00013
ΔIB=3мА, ΔIK=75мА
h21Е=75/3=25
ΔUКЕ=10В, ΔUБЕ=5мВ
h12Е=0.005/10=0.0005
Висновок
Схема зі спільним емітером забезпечує більший коефіцієнт підсилення струму та кращу керованість, тому є більш поширеною у підсилювачах. Схема зі спільною базою має вищий вхідний опір та стабільніший вихід, що може бути корисно в ВЧ-схемах. Обидві схеми демонструють типові властивості нелінійних елементів, які описуються h-параметрами.
Ви не можете залишити коментар. Для цього, будь ласка, увійдіть
або зареєструйтесь.
Ділись своїми роботами та отримуй миттєві бонуси!
Маєш корисні навчальні матеріали, які припадають пилом на твоєму комп'ютері? Розрахункові, лабораторні, практичні чи контрольні роботи — завантажуй їх прямо зараз і одразу отримуй бали на свій рахунок! Заархівуй всі файли в один .zip (до 100 МБ) або завантажуй кожен файл окремо. Внесок у спільноту – це легкий спосіб допомогти іншим та отримати додаткові можливості на сайті. Твої старі роботи можуть приносити тобі нові нагороди!