Розрахунок типових вузлів електронних схем. Розрахункова робота з Електроніка та мікросхемотехніка. Робота № 61

Розрахунок типових вузлів електронних схем

Інформація про навчальний заклад

ВУЗ:

Національний університет Львівська політехніка

Інститут:

Не вказано

Факультет:

Не вказано

Кафедра:

Комп'ютеризовані системи автоматики

Інформація про роботу

Рік:

2015

Тип роботи:

Розрахункова робота

Предмет:

Електроніка та мікросхемотехніка

Група:

КС

Завантажити

Частина тексту файла (без зображень, графіків і формул):

Міністерство освіти і науки України Національний університет „Львівська політехніка” Кафедра „Комп’ютеризовані системи автоматики” Розрахункова робота №2 з навчальної дисципліни „Електроніка та мікросхемотехніка” на тему: „Розрахунок типових вузлів електронних схем” Виконав: студентка групи КС Перевірив: Львів-2008 Завдання №2. Для заданої схеми підсилювального каскаду вибрати тип операційного підсилювача і розрахувати значення всіх елементів схеми і вибрати їх номінальні значення і типи згідно з ДЕСТ- ом. Розрахувати основні параметри схеми (вхідний і вихідний опори, коефіцієнт підсилення за напругою, похибку коефіцієнта підсилення за напругою, значення дрейфу вихідної напруги) і визначити смугу пропускання. Розрахунок неінвертуючого каскаду на операційному підсилювачі EMBED Visio.Drawing.6 Рис. Схема неінвертуючого каскаду підсилення на операційному підсилювачі Розрахунок починаємо з вибору типу інтегрального операційного підсилювача. Визначаємо максимальну швидкість наростання вихідної напруги, яку повинен забезпечити операційний підсилювач DA1 EMBED Equation.2 Вибираємо тип операційного підсилювача КР1408 ОД1 , який має такі електричні параметрами: EMBED Equation.2 . EMBED Equation.3 В/мкс EMBED Equation.3 ; EMBED Equation.3 ; Uзм/ΔT=50(мкВ/оС); EMBED Equation.3 ; EMBED Equation.3 ; EMBED Equation.3 ; EMBED Equation.3 ; EMBED Equation.3 Визначаємо необхідне значення коефіцієнта підсилення каскаду за напругою EMBED Equation.2 Задаємося допустимим дрейфом вихідної напруги підсилювального каскаду Едр =(20 – 100 )мВ і визначаємо значення резистора зворотного зв'язку EMBED Equation.2 де (Івх/T) - температурний дрейф вхідних струмів операційного підсилювача. Приймаємо (Івх/T)  Iвх/100 EMBED Equation.3 EMBED Equation.3 ; Тос- максимальна різниця температур оточуючого середовища EMBED Equation.2 EMBED Equation.3 EMBED Equation.3 Приймаємо R3=2МОм, резистор типу С2-23-0,125- 2 МОм 5%. Знаходимо значення резистора R1 з умови забезпечення необхідного коефіцієнта підсилення за напругою для неінвертуючого ввімкнення операційного підсилювача EMBED Equation.3 Розраховуємо значення вхідного опору для неінвертуючого ввімкнення операційного підсилювача EMBED Equation.2 Визначаємо амплітудне значення струму в навантаженні, яке повинен забезпечити підсилювальний каскад EMBED Equation.2 Максимальний струм, який може забезпечити безпосередньо сам операційний підсилювач не буде перевищувати значення EMBED Equation.2 EMBED Equation.3 EMBED Equation.3 EMBED Equation.3 Транзистори VT1 і VT2 забезпечують підсилення за струмом і потужністю і складають схему комплементарний повторювач напруги. Ці транзистори повинні відповідати таким вимогам EMBED Equation.2 Вибираємо типи транзисторів VT1 і VT2 , які мають необхідні електричні параметри. Транзистор КТ-502А. EMBED Equation.3 EMBED Equation.3 EMBED Equation.3 EMBED Equation.3 EMBED Equation.3 EMBED Equation.3 EMBED Equation.3 Визначаємо вихідний опір повторювача напруги на транзисторах VT1 і VT2 EMBED Equation.2 де Т - температурний потенціал (Т25 мВ). Визначаємо вихідний опір підсилювача з врахуванням загального від'ємного зворотного зв'язку EMBED Equation.2 Вибираємо резистор R2 з умови забезпечення необхідного значення вхідного опору підсилювального каскаду на операційному підсилювачі і усунення впливу опору джерела вхідного сигналу EMBED Equation.2 Розподіляємо заданий коефіцієнт частотних спотворень на низьких частотах EMBED Equation.3 між двома конденсаторами С1 і С2 відповідно: EMBED Equation.3 і EMBED Equation.3 і розраховуємо значення ємностей цих конденсаторів EMBED Equation.2 де EMBED Equation.2 EMBED Equation.2 де EMBED Equation.2

Розрахункова робота Електроніка та мікросхемотехніка

2015

Коментарі

Ви не можете залишити коментар. Для цього, будь ласка, або зареєструйтесь.

Ділись своїми роботами та отримуй миттєві бонуси!

поділитись