МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ “ЛЬВІВСЬКА ПОЛІТЕХНІКА” КАФЕДРА ЕОМ
Звіт з лабораторних робіт з курсу “Комп’ютерна електроніка” Підготував: ст. гр. КІ- 2 Прийняв: Кузьо М.М. Варіант:13 Львів-2012 Лабораторна робота №6 ТЕМА: Дослідження операційного підсилювача і спеціалізованих пристроїв на його основі. Операційні підсилювачі (ОП) — це підсилювачі постійного струму з глибоким зворотнім зв'язком, що призначені для реалізації з аналоговими сигналами різних математичних операцій: додавання, віднімання, логарифмування, інтегрування, тощо. Саме цьому використанню вони і забов'язані своєю назвою. Порядок виконання роботи № 6: Варіант U1, B U2, B R1, кОм R2, кОм R3, кОм R4, кОм  13 17 14 16 22 13 20   Розрахувати коефіцієнти підсилення k1 та k2 кожного вхідного сигналу:
та
k2=20/22=0.909 k1=(1+0.909)13/(16+13)=0.86 Обчислити коефіцієнт підсилення операційного підсилювача k0 при розімкнутому зворотньому зв’язку:
де UВИХ – розрахункове значення вихідної напруги,
, U(+) – значення напруги на прямому вході ОП,
, U(–) – значення напруги на інверсному вході ОП,
Uвих=17*0,86-14*0.909=1.894 В U(+)=17*13/(16+13)=7,63В U(–)=(14*20+1,894*22)/(22+20)=7,36В k0=1.894/(7.636-7.36)=7,01 Визначити коефіцієнти підсилення К1 та К2 кожного вхідного сигналу. Для цього на вхід, коефіцієнт підсилення на якому визначається, подати синусоподібну напругу амплітудою, відповідно, U1 або U2, а на інший вхід постійну напругу нульового рівня:
, і рівне 1 або 2. K1=1.894/17=0.111 K2=1.894/14=0.135 Обчислити значення коефіцієнта підсилення операційного підсилювача при розімкнутому зворотньому зв’язку К0 . Для цього, на входи пристрою подати синусоподібні сигнали відповідних амплітуд U1 та U2 і виміряти різницю потенціалів ΔV на безпосередніх входах операційного підсилювача та значення вихідної напруги UВИХ :
K0=1.894/(17-14)=0.947 / часова діаграми вхідного та вихідного сигналів: / ВИСНОВОК: на цій лабораторній роботі ми дослідили включенння біполярного транзистора по схемі із спільною базою і виконали спрощений розрахунок транзисторного каскаду СБ із термостабілізацією.