МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ «ЛЬВІВСЬКА ПОЛІТЕХНІКА» ІКТА Кафедра БІТ / Звіт до лабораторної роботи №2 з курсу: «Електроніка та мікросхемотехніка» на тему: «Моделювання характеристик і визначення параметрів транзистора в схемі зі спільним емітером»  ЛЬВІВ 2017 Мета роботи : Ознайомитися з особливостями роботи транзистора в схемі зі спільним емітером, промоделювати вхідні та вихідні статичні характеристики, визначити коефіцієнт підсилення за струмом і вхідний опор, порівняти характеристики транзистора і складеного транзистора. Хід роботи Схема включення транзистора n-p-n типу Q1- 2N1613 зі спільним емітером, використовуючи джерело струму J1=10мА і джерело постійної напруги Е1=15В. / Рис. 1.1. Принципова електрична схема дослідження транзистора зі спільним емітером / Рис. 1.2. Вхідна вольт – амперна характеристика IБ=f(UБЕ) якщо UKЕ =const / Рис. 1.3. Вихідна вольт – амперна характеристика IK=f(UKЕ) якщо IБ=const Коефіцієнта підсилення за струмом і вхідний опір

Схема включення складеного транзистора n-p-n типу Q1, 2 - 2N1613 зі спільним емітером, використовуючи джерело струму J1=10мА і джерело постійної напруги Е1=15В. / Рис. 3.1. Принципова електрична схема дослідження складеного транзистора зі спільним емітером / Рис. 3.2. Вольт – амперна характеристика складеного транзистора IK(Q1)+IК(Q2)=f(E1) якщо IБ1=const
Схема включення для транзисторів n-p-n типу Q1- 2N1613 і p-n-p типу Q2-2N1132, використовуючи джерело струму J1=10мА і джерело постійної напруги Е1=15В. / Рис. 4.1. Принципова електрична комплементарного транзистора / Рис. 4.2. Вольт – амперна характеристика комплементарного транзистора -I(Е1)=f(E1) якщо IБ1=const
Порівняльні вихідні характеристики для різних типів транзисторів Можна побачити, що при однаковому вхідному струмові дані схеми по різному підсилюють його і відповідно вони матимуть різні вихідні струми на виході при подаванні на їх вхід одного й того ж вхідного. Як видно схема зі складеним транзистором має коефіцієнт підсилення за струмом понад 12 разів більший за схему з простим транзистором, а схема з комплементарним транзистором майже у 19 разів. Також видно у схемі з простим транзистором напруга, що призводить до різкого зростання струму колектора дуже невелика і практично однакова при різних струмах бази, у схемі зі складеним транзистором дана напруга збільшується, але є теж близькою при різних струмах бази, у комплементарного транзистора вона збільшується і є різною при різних струмах бази. Висновок: В даній лабораторній роботі було проведено ознайомлення з особливостями роботи транзистора в схемі зі спільним емітером, змоделювано вхідні та вихідні статичні характеристики, визначено коефіцієнт підсилення за струмом і вхідний опор, проведено порівняння характеристик різних транзисторів.