МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ «ЛЬВІВСЬКА ПОЛІТЕХНІКА» ІКТА Кафедра ЗІ / Звіт до лабораторної роботи №10 з курсу: «Основи теорії кіл, сигнали та процеси в системах технічного захисту інформації, частина 2» на тему: «Вплив активних елементів на сигнали»  ЛЬВІВ 2017 Мета роботи – дослідити вплив діодів на проходження сигналів. Встановити яким чином різні включення діодів впливають на форму та параметри сигналів. Порядок виконання роботи Синтезувати схему рис.5.а), за допомогою системи схемотехнічного моделювання Micro-Cap8(MC8). Для побудови схеми використати діод 1N4009, джерело синусоїдальної напруги з такими параметрами: амплітуда=20В, частота=50Гц. За допомогою системи моделювання перехідних процесів отримати залежності напруги від часу на джерелі сигналу та на резисторі. При аналізі перехідних процесів рекомендований діапазон часу=0.1с. Графіки подати у звіт. Синтезувати схему рис.5.б), за допомогою системи схемотехнічного моделювання Micro-Cap8(MC8). Для побудови схеми використати діод 1N4009, джерело напруги з такими параметрами: сигнал прямокутної форми, амплітуда=5В, період повторення=0.01с., тривалість імпульсу=0.005с.. За допомогою системи моделювання перехідних процесів отримати залежності напруги від часу на джерелі сигналу та на резисторі. При аналізі перехідних процесів рекомендований діапазон часу=0.1с. Графіки подати у звіт. Синтезувати схему рис.5.б), за допомогою системи схемотехнічного моделювання Micro-Cap8(MC8). Для побудови схеми використати діод 1N4009, джерело напруги з такими параметрами: сигнал пилкоподібної форми, амплітуда=5В, період повторення=0.01с., тривалість імпульсу=0.005с.. За допомогою системи моделювання перехідних процесів отримати залежності напруги від часу на джерелі сигналу та на резисторі. При аналізі перехідних процесів рекомендований діапазон часу=0.1с. Графіки подати у звіт. Синтезувати схеми рис.6. а), б), в) за допомогою системи схемотехнічного моделювання Micro-Cap8(MC8). Для побудови схеми використати діоди 1N4009, джерело синусоїдальної напруги з такими параметрами: амплітуда=20В, частота=50Гц. . За допомогою системи моделювання перехідних процесів отримати залежності напруги від часу на джерелі сигналу та на резисторі. При аналізі перехідних процесів рекомендований діапазон часу=0.2с. Графіки подати у звіт. // а) б) Рис.5. Схеми включення діодів з різними джерелами . /// а) б) в) Рис.6. Різні схеми включення діодів. / Осцилограма напруги на джерелі сигналу і на резисторі навантаження при включенні діода з джерелом синусоїдальної напруги / Осцилограма напруги на джерелі сигналу і на резисторі навантаження при включенні діода з джерелом прямокутних сигналів / Осцилограма напруги на джерелі сигналу і на резисторі навантаження при включенні діода з джерелом пилкоподібних сигналів / Осцилограма напруги на джерелі сигналу і на резисторі навантаження при включенні діода з джерелом синусоїдальної напруги за схемою рис. 6 а) / Осцилограма напруги на джерелі сигналу і на резисторі навантаження при включенні діода з джерелом синусоїдальної напруги за схемою рис. 6 б) / Осцилограма напруги на джерелі сигналу і на резисторі навантаження при включенні діода з джерелом синусоїдальної напруги за схемою рис. 6 в) Висновок: на даній лабораторній роботі я дослідив вплив діодів на проходження сигналів і встановив яким чином різні включення діодів впливають на форму та параметри сигналів. Як можна побачити на поданих осцилограмах, основна властивість діода, яка впливає проходження сигналів – це властивість пропускати струм тільки в одному напрямку, що виявляється в пропусканні сигналу протягом половини періоду.