DevioLabавтоматичне керування капіталом
ПРАЦЮЄ 24/7
КРИПТОВАЛЮТИ · АКЦІЇ · 10 БІРЖ

Портфель, який керується автоматично

DevioLab підбирає стратегії, відстежує ринки та автоматизує купівлю і продаж активів. Кількість доступних криптовалют, акцій і торгових можливостей зростає щодня.

10підключених біржCrypto + Stocksв одному портфелі24/7автоматичний контроль

Дослідження приладів на основі p-n переходів

Інформація про навчальний заклад

ВУЗ:
Національний університет Львівська політехніка
Інститут:
Інститут телекомунікацій, радіоелектроніки та електронної техніки
Факультет:
Радіотехнічний факультет
Кафедра:
Кафедра електронних приладів

Інформація про роботу

Рік:
2009
Тип роботи:
Звіт до лабораторної роботи
Предмет:
Електроніка та мікросхемотехніка
Група:
РТ-11
Коротко про документ

Про що ця робота

У ході роботи досліджено вольт-амперні та часові характеристики напівпровідникових діодів, транзисторів, стабілітронів, тиристорів і симісторів. Моделювання схем виконано за допомогою системи Micro-Cap 8.

У роботі розглядаються

  • p-n перехід
  • Вольт-амперна характеристика
  • Напівпровідникові діоди
  • Транзистори
  • Стабілітрони
  • Тиристори
  • Симістори
  • Micro-Cap

Зміст і розділи

  1. Мета роботи
  2. Порядок виконання роботи
  3. Дослідження діода 1N4001
  4. Дослідження транзистора BC107A
  5. Дослідження стабілітрона
  6. Часові характеристики діода
  7. Дослідження тиристора
  8. Дослідження симістора
  9. Висновок
Для кого:Студенти технічних спеціальностей вищих навчальних закладів
Викладачі:Кеньо Г.В.

Ключові поняття

p-n перехідвольт-амперна характеристикадіодстабілітронMicro-Capнапруга включенняструм утриманнявипрямляючі властивості

Частина тексту файла (без зображень, графіків і формул):

МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ «ЛЬВІВСЬКА ПОЛІТЕХНІКА»  ДОСЛІДЖЕННЯ ПРИЛАДІВ НА ОСНОВІ P-N ПЕРЕХОДІВ Звіт до лабораторної роботи № 3 з навчальної дисципліни: “Електроніка та мікросхемотехніка” МЕТА РОБОТИ Ознайомитися з основними параметрами і характеристиками напівпровідникових діодів і дослідити їх вольт-амперні характеристики. ПОРЯДОК ВИКОНАННЯ РОБОТИ Синтезувати схему, рис.1, за допомогою системи схемотехнічного моделювання Micro-Cap8(MC8). Використати джерело струму J1=1мА і джерело постійної напруги Е1=10В. Зняти вольт-амперну характеристику діода D1- 1N4001 . Рисунок 1. Схема ввімкнення діода для дослідження ВАХ. Рисунок 2. ВАХ діода D1- 1N4001. Синтезувати схему, рис.3, за допомогою системи схемотехнічного моделювання Micro-Cap8(MC8). Використати джерело струму J1=1мА і джерело постійної напруги Е1=10В. Зняти вольт-амперну характеристику транзистора Q1 – BC107A в діодному включенні. Рисунок 3. Схема діодного ввімкнення транзистора для дослідження ВАХ. Рисунок 4. ВАХ транзистора Q1 – BC107A. Синтезувати схему, рис.5, за допомогою системи схемотехнічного моделювання Micro-Cap8(MC8). Використати джерело струму J1=1мА. Зняти вольт-амперну характеристику стабіліторна D1 – 10BQ015_IR. Рисунок 5. Схема ввімкнення стабілітрона для дослідження ВАХ. Рисунок 6. ВАХ стабілітрона. Синтезувати схему, рис.7, за допомогою системи схемотехнічного моделювання Micro-Cap8(MC8). Використати джерело сінусоїдальної напруги Е1 з частотою f=50Гц та амплітудою А=31.4 . Зняти часові характеристики діода D1 – 1N4009 : V(1)=f(T), V(2)=f(T), I(R1)=f(T). Використовуючи часові характеристики пояснити випрямляючі властивості діода. Рисунок 7. Схема ввімкнення діода для дослідження часових характеристик.  Рисунок 8. Часові характеристики діода D1 – 1N4009. Синтезувати схему, рис.9, за допомогою системи схемотехнічного моделювання Micro-Cap8(MC8). Використати джерело постійного струму J1(VALUE=PULSE 15000m -150m 0.7 1 2 3) . Зняти вольт-амперну характеристику тиристора VS1. За допомогою ВАХ визначити напругу включення та струм утримання тиристора. Рисунок 9. Схема діодного включення тиристора для дослідження ВАХ . Рисунок 10. ВАХ тиристора при діодному включенні. Iутримання = 645 тА Uвключення= 17,157 В Синтезувати схему, рис.9, за допомогою системи схемотехнічного моделювання Micro-Cap8(MC8). Використати джерело постійного струму J1(VALUE=PULSE 15000m -150m 0.7 1 2 3), а також J2=250мА . Зняти часові характеристики тиристора: V(1)=f(T), V(2)=f(T). Зняти вольт-амперну характеристику тиристора VS1. Рисунок 9. Схема включення тиристора керованого катодом для дослідження, часових характеристик та ВАХ . Рисунок 10. Часові характеристики та ВАХ тиристора керованого катодом. Використовуючи файл diac1.cir з системи Micro-Cap8(MC8), рис.11, отримати схему включення симістра. Зняти вольт-амперну характеристику симістора. Рисунок 11. Схема включення симістора для дослідження ВАХ . Рисунок 10. ВАХ симістора. Висновок: діод у колі електричного струму поводить себе, як нелінійний елемент, що видно з його ВАХ, при ввімкненні в коло синусоїдного струму діод проявлятиме випрямляючі властивості і обрізатиме нижню половину сінусоїди, що викликається особливостями роботи діода та прямим включенням, оскільки при зворотньому він буде закритий,, транзистор у діодному включенні проявляє тіж самі властивості, що і діод, з допомогою ВАХ тиристора переконалися, що він може працювати в таикх режимах: перший стан характеризується малим струмом, що протікає через прилад, і великим спаданням напруги на ньому, а другий відповідає малому спаданню напруги на приладі і великому струмі, що проходить через нього.
Допоможи студентському архіву

Ми допомогли тобі — допоможи наступному студенту

Файл ще не обрано

Оголошення від адміністратора

Антиботан аватар за замовчуванням

Подякувати Студентському архіву довільною сумою

Admin

26.02.2023 12:38

Дякуємо, що користуєтесь нашим архівом!