DevioLabавтоматичне керування капіталом
ПРАЦЮЄ 24/7
КРИПТОВАЛЮТИ · АКЦІЇ · 10 БІРЖ

Портфель, який керується автоматично

DevioLab підбирає стратегії, відстежує ринки та автоматизує купівлю і продаж активів. Кількість доступних криптовалют, акцій і торгових можливостей зростає щодня.

10підключених біржCrypto + Stocksв одному портфелі24/7автоматичний контроль

Дослідження напівпровідникового діода

Інформація про навчальний заклад

ВУЗ:
Національний університет Львівська політехніка
Інститут:
ІКТА
Факультет:
Інститут комп’ютерних технологій, автоматики та метрології
Кафедра:
Кафедра автоматики та телемеханіки

Інформація про роботу

Рік:
2007
Тип роботи:
Лабораторна робота
Предмет:
Автоматика та телемеханіка
Група:
ІБ
Коротко про документ

Про що ця робота

У роботі досліджуються властивості напівпровідникових діодів шляхом зняття вольт-амперних характеристик. Наведено теоретичні відомості про випрямляючі діоди та методи їх перевірки.

У роботі розглядаються

  • Напівпровідникові діоди
  • Вольт-амперна характеристика
  • Випрямляючі діоди
  • Електричний струм
  • Напівпровідникові прилади

Зміст і розділи

  1. Мета роботи
  2. Теоретичні відомості
  3. Схема для дослідження напівпровідникового діода
  4. Побудова вольт-амперної характеристики діода
  5. Висновок
Для кого:Студенти технічних спеціальностей вищих навчальних закладів.
Викладачі:Не вказано

Ключові поняття

напівпровідниковий діодвольт-амперна характеристикаn-p перехідвипрямляючий діодпряма напругазворотній струмгерманієвий діодкремнієвий діоделектрична ємність

Частина тексту файла (без зображень, графіків і формул):

Міністерство освіти і науки України ІКТАМ при Національному університеті "Львівська політехніка" Кафедра : автоматики та телемеханіки Лабораторна робота 3 Дослідження напівпровідникового діода Мета роботи- визначення властивостей напівпровідниковових діодів шляхом практичного зняття і дослідження їх вольт-амперних характеристик. Теоретичні відомості Напівпровідниковим діодом називається напівпровідниковий прилад з n-рпереходом, який має два виводи. Основною властивістю напівпровідникового діода є одностороння провідність, властива n-р переходу. Усі напівпровідникові діоди поділяються на дві групи: випрямляючі і спеціальні. Випрямляючі діоди призначені для випрямлення змінного струму. У залежності від частоти і форми змінної напруги вони поділяються на високочастотні, низькочастотні та імпульсні. Конструктивно випрямляючі діоди поділяються на площинні і точкові, а за технологією виготовлення на сплавні, дифузійні та епітаксіальні. Принцип побудови точкового діода. Найширшу групу напівпровідникових діодів складають площинні діоди, в яких n-p перехід формується методом вплавляння або шляхом дифузії домішкових речовин в об’єм пластини напівпровідника. а) б) Принцип побудови площинних германієвих діодів, виготовлених сплавним (а) і дифузійним (б) методом. Низькочастотні площинні випрямляючі діоди, призначені для випрямлення змінного струму з частотою 50 кГц. Ці діоди застосовуються у випрямляючих пристроях для живлення різноманітної апаратури. Германієві діоди переважно виготовляють на випрямлені струми до 1000 А і зворотні напруги 150В. Кремнієві діоди допускають густину струму до200А/см2, а гранична зворотна напруга досягає 1000В. Випрямляючі діоди характеризуються такими основними параметрами. максимальне середнє значення випрямленого струму Iпр.сп.; спад напруги на діоді при певному значенні випрямленого струму Uпр; максимальна зворотня напруга Uзв; максимальний зворотній струм при певному значенні зворотної напруги Ізв.; гранична частота fмакс.; ємність діода Сд. основні параметри деяких випрямляючих діодів Тип діода Максимальний випрямлений струм Пряме падіння напруги Максимальна звороиня напруга Максимальний зворотній струм  Д2Б-Д2И Д9Б-Д9М Д226-Д229Е КД106А Д223-Д223, 2Д215А Д242-Д242Б 0,008-0,025 0,015-0,04 0,3 0,3 0,05 1,0 10 1 1 1 1 1 1,2 1,0-1,5 10-150 10-100 200-400 100 50-150 400 100 100-250 60-250 50 10 1 50 3000   Схема для дослідження нарівпровідникового діода Зняття вольт-амперної характеристик Inp=f(Unp) при прямій напрузі. Прикладеній до діода. Inp=f(Unp) Діод типу __2Д213А_ Таблиця 2 Таблиця 3 Uзв, мкА Iзв, В                                    Unp, В Inp, мА                                                                           Зняття вольт-амперної характеристики Iзв=f1(Uзв) при зворотній напрузі, прикладеній до діода. Iзв=f1(Uзв) Діод типу__Д7Г Таблиця 4 Таблиця 5 Unp, В Inp, мА                                                                                Uзв, мкА Iзв, В                                                         Побудова вольт – амперної характеристики діода За даними таблиць у прямокутній системі координат будують вольт – амперну характеристику діода I=f (U). Необхідно правильно підібрати масштаби струмів і напруг, що відкладаються по осях у прямому і зворотньому напрямках. Висновок: на цій лабораторній роботі ми навчилися визначати властивості напівпровідниковових діодів шляхом практичного зняття і дослідження їх вольт-амперних характеристик.
Допоможи студентському архіву

Ми допомогли тобі — допоможи наступному студенту

Файл ще не обрано

Оголошення від адміністратора

Антиботан аватар за замовчуванням

Подякувати Студентському архіву довільною сумою

Admin

26.02.2023 12:38

Дякуємо, що користуєтесь нашим архівом!