Дослідження приладів на основі P-N переходів

Інформація про навчальний заклад

ВУЗ:

Національний університет Львівська політехніка

Інститут:

Інститут комп’ютерних технологій, автоматики та метрології

Факультет:

Факультет дизайну та комп'ютерних технологій

Кафедра:

Кафедра безпеки інформаційних технологій

Інформація про роботу

Рік:

2017

Тип роботи:

Звіт до лабораторної роботи

Предмет:

Електроніка та мікросхемотехніка

Група:

БІ 21

Коротко про документ

Про що ця робота

Звіт до лабораторної роботи присвячено дослідженню основних параметрів і вольт-амперних характеристик напівпровідникових діодів, транзисторів, стабілітронів, тиристорів та симісторів. У ході роботи знято електричні схеми та побудовано прямі й зворотні вітки характеристик досліджуваних приладів.

У роботі розглядаються

Напівпровідникові діоди
Вольт-амперна характеристика
Біполярні транзистори
Стабілітрони
Тиристори
Симістори
Електричні схеми

Зміст і розділи

Мета роботи
Хід роботи
Висновок

Для кого:Студенти технічних спеціальностей вищих навчальних закладів, які вивчають дисципліну електроніка та мікросхемотехніка.

Викладачі:Не вказано

Ключові поняття

p-n перехідвольт-амперна характеристикадіодстабілітронелектрична схемачасові характеристикиджерело струму

Схожі матеріали

Моделювання характеристик і визначення параметрів транзистора в схемі зі спільним емітером Переглянути → Ітераційні методи розв’язування систем лінійних алгебраїчних рівнянь Переглянути → Числове інтегрування функції однієї змінної Переглянути → Системи нелінійних рівнянь. Метод Ньютона та алгоритм Переглянути → Дослідження проходження сигналів через RC-ланку Переглянути → Дослідження лінійного електричного кола змінного струму при послідовному з’єднанні елементів Переглянути →

Частина тексту файла (без зображень, графіків і формул):

МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ «ЛЬВІВСЬКА ПОЛІТЕХНІКА» ІКТА Кафедра БІТ / Звіт до лабораторної роботи №1 з курсу: «Електроніка та мікросхемотехніка» на тему: «Дослідження приладів на основі P-N переходів» ЛЬВІВ 2017 Мета роботи : ознайомитись з основними параметрами і характеристиками напівпровідникових діодів і дослідити їх вольт-амперні характеристики. Хід роботи Вольт-амперна характеристика діода D1- 1N4001 при джерелі струму J1=1мА і джерелі постійної напруги Е1=10В / Рис. 1.1. Принципова електрична схема(а) / Рис. 1.2. Вольт – амперна характеристика діода (пряма вітка) / Рис. 1.3. Вольт – амперна характеристика діода (зворотня вітка) Вольт-амперна характеристика транзистора Q1 – BC107A в діодному включенні при джерелі струму J1=1мА і джерелі постійної напруги Е1=10В / Рис. 2.1. Принципова електрична схема (б) / Рис. 1.2. Вольт – амперна характеристика транзистора (пряма вітка) / Рис. 1.3. Вольт – амперна характеристика транзистора (зворотня вітка) Вольт-амперна характеристика стабілітрона D1 – 10BQ015_IR при джерелі струму J1=1мА. / Рис. 3.1. Принципова електрична схема (в) / Рис. 3.2. Вольт – амперна характеристика стабілітрона Часові характеристики діода D1 – 1N4009 : V(1)=f(T), V(2)=f(T), I(R1)=f(T) при джерелі сінусоїдальної напруги Е1 з частотою f=50Гц та амплітудою А=31.4 / Рис. 4.1. Принципова електрична схема (г) / Рис. 4.2. Часові характеристики діода Вольт-амперна характеристика тиристора VS1 при джерелі постійного струму J1(VALUE=PULSE 15000m -150m 0.7 1 2 3) . / Рис. 5. 1. Принципова електрична схема (д) / Рис. 5.2. Вольт – амперна характеристика тиристора Вольт - амперні та часові характеристики тиристора: V(1)=f(T), V(2)=f(T) при джерелі постійного струму J1(VALUE=PULSE 15000m -150m 0.7 1 2 3), а також J2=250мА / Рис. 6.1. Принципова електрична схема (е) / Рис. 6.2. Вольт – амперні та часові характеристики тиристора Вольт-амперна характеристика симістора. / Рис. 7.1. Принципова електрична схема (є) Рис. 7.2. Вольт – амперна характеристика симістора Висновок: В даній лабораторній роботі я ознайомилась з основними характеристиками напівпровідникових діодів і дослідив їхні ВАХ.

Звіт до лабораторної роботи Електроніка та мікросхемотехніка

Допоможи студентському архіву