ДОСЛІДЖЕННЯ ПРИЛАДІВ НА ОСНОВІ P-N ПЕРЕХОДІВ. Звіт про виконання лабораторної роботи з Захист інформації. Робота № 523040

ДОСЛІДЖЕННЯ ПРИЛАДІВ НА ОСНОВІ P-N ПЕРЕХОДІВ

Інформація про навчальний заклад

ВУЗ:

Національний університет Львівська політехніка

Інститут:

ІКТА

Факультет:

Не вказано

Кафедра:

Не вказано

Інформація про роботу

Рік:

2013

Тип роботи:

Звіт про виконання лабораторної роботи

Предмет:

Захист інформації

Завантажити

Частина тексту файла (без зображень, графіків і формул):

МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ «ЛЬВІВСЬКА ПОЛІТЕХНІКА» ІКТА кафедра ЗІ Звіт про виконання лабораторної роботи №1 з курсу: «Схемотехніка пристроїв технічного захисту інформації» на тему: «ДОСЛІДЖЕННЯ ПРИЛАДІВ НА ОСНОВІ P-N ПЕРЕХОДІВ» МЕТА РОБОТИ Ознайомитися з основними параметрами і характеристиками напівпровідникових діодів і дослідити їх вольт-амперні характеристики. Завдання Синтезувати схему, рис.11.а), за допомогою системи схемотехнічного моделювання Micro-Cap8(MC8). Використати джерело струму J1=1мА і джерело постійної напруги Е1=10В. Зняти вольт-амперну характеристику діода D1- 1N4001 . Синтезувати схему, рис.11.б), за допомогою системи схемотехнічного моделювання Micro-Cap8(MC8). Використати джерело струму J1=1мА і джерело постійної напруги Е1=10В. Зняти вольт-амперну характеристику транзистора Q1 – BC107A в діодному включенні. Синтезувати схему, рис.11.в), за допомогою системи схемотехнічного моделювання Micro-Cap8(MC8). Використати джерело струму J1=1мА. Зняти вольт-амперну характеристику стабіліторна D1 – 10BQ015_IR. Синтезувати схему, рис.11.г), за допомогою системи схемотехнічного моделювання Micro-Cap8(MC8). Використати джерело сінусоїдальної напруги Е1 з частотою f=50Гц та амплітудою А=31.4 . Зняти часові характеристики діода D1 – 1N4009 : V(1)=f(T), V(2)=f(T), I(R1)=f(T). Використовуючи часові характеристики пояснити випрямляючі властивості діода. Синтезувати схему, рис.11.д), за допомогою системи схемотехнічного моделювання Micro-Cap8(MC8). Використати джерело постійного струму J1(VALUE=PULSE 15000m -150m 0.7 1 2 3) . Зняти вольт-амперну характеристику тиристора VS1. За допомогою ВАХ визначити напругу включення та струм утримання тиристора. Синтезувати схему, рис.11.е), за допомогою системи схемотехнічного моделювання Micro-Cap8(MC8). Використати джерело постійного струму J1(VALUE=PULSE 15000m -150m 0.7 1 2 3), а також J2=250мА . Зняти часові характеристики тиристора: V(1)=f(T), V(2)=f(T). Зняти вольт-амперну характеристику тиристора VS1. За допомогою ВАХ визначити напругу включення та струм утримання тиристора. Використовуючи файл diac1.cir з системи Micro-Cap8(MC8), рис.11.є), отримати схему включення симістра. Зняти вольт-амперну характеристику симістора. // а) б) / / в) г) / / д) е) / Графіки Схема а) ВАХ діода Пряма вітка // /Зворотня вітка / Схема б) ВАХ транзистора Пряма вітка / Зворотня вітка / Схема в) ВАХ стабілітрона / Схема г) Часові характеристики діода/ Схема д) ВАХ тиристора / Схема г) Часові характеристики та ВАХ тиристора / Схема е) ВАХ симітора Висновки В даній лабораторній роботі я ознайомився з основними характеристиками напівпровідникових діодів і дослідив їхні ВАХ.

Звіт про виконання лабораторної роботи Захист інформації

NIOON

31.03.2013 18:12

Коментарі

Ви не можете залишити коментар. Для цього, будь ласка, або зареєструйтесь.

Ділись своїми роботами та отримуй миттєві бонуси!

поділитись